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一種支持任意碼率的高斯低通濾波器設(shè)計[微波|射頻][其他]

GMSK(高斯最小偏移鍵控)調(diào)制技術(shù)具有較高的頻譜調(diào)制效率，適用于航空航天高碼率遙測領(lǐng)域。高斯低通濾波器是GMSK調(diào)制技術(shù)的關(guān)鍵單元。介紹了高斯低通濾波器的設(shè)計原理，通過采用LUT查表法和異或運算的方法在Xilinx的FPGA中實現(xiàn)了一種支持任意碼率、低資源消耗的高斯低通濾波器。對仿真和實現(xiàn)結(jié)果進行分析，該濾波器在未使用DSP48E1s資源和較少的LUT資源條件下實現(xiàn)了任意碼率切換功能。

發(fā)表于：7/5/2021

基于空間占用率判定的智能電梯控制系統(tǒng)設(shè)計[電子元件][其他]

針對傳統(tǒng)電梯控制系統(tǒng)存在的質(zhì)量雖未達到電梯系統(tǒng)的閾值設(shè)定，但電梯內(nèi)部空間被占滿，導(dǎo)致依據(jù)質(zhì)量指標判定，響應(yīng)外部請求而使門控進行無效打開的問題，對電梯控制系統(tǒng)進行優(yōu)化設(shè)計。系統(tǒng)釆用STM32單片機作為主控芯片，利用光敏傳感器進行電梯空間占用率的感知。采用LabVIEW搭建上位機，對電梯運行數(shù)據(jù)實時監(jiān)測。測試結(jié)果表明，該系統(tǒng)能夠準確檢測電梯空間占用率，并根據(jù)空間占用率進行電梯運行控制，解決了因無法判定電梯內(nèi)部空間占有率而產(chǎn)生的門控?zé)o效打開問題，極大節(jié)約了電力資源，節(jié)省了乘客搭乘時間，提高了電梯的運行能效。

發(fā)表于：7/5/2021

一種應(yīng)用于CAN收發(fā)器的寬輸入范圍的遲滯比較器設(shè)計[其他][其他]

為了將CAN(Controller Area Network)總線上的-12~12 V的信號轉(zhuǎn)化為0~5 V的串行數(shù)字信號，設(shè)計了一種應(yīng)用于CAN收發(fā)器的寬輸入范圍的遲滯比較器。實現(xiàn)的方案是先使用電阻將電源和總線上的信號線性疊加得到5 V電壓內(nèi)的信號，再使用全差分放大器進行鉗位，使用共模反饋穩(wěn)定共模工作點，最后使用對尾電流進行溫度補償?shù)膬?nèi)部正反饋的遲滯比較器比較得到數(shù)字信號?；赩IS 0.4 μm BCD工藝，使用Hspice進行了仿真驗證。仿真結(jié)果表明：電路能夠?qū)?12~12 V的電壓比較得到正確的數(shù)字信號。在常溫即25 ℃，TT工藝角下，遲滯門限為108.9 mV。在溫度從-40 ℃~125 ℃變化時，遲滯門限電壓變化小于9.16 mV，溫度系數(shù)為0.055 5 mV/℃。

發(fā)表于：7/5/2021

一種基于MEMS的小型化雙通帶寬帶濾波器芯片[MEMS|傳感技術(shù)][通信網(wǎng)絡(luò)]

基于Micro-Electro-Mechanical System(MEMS)工藝，采用雙層諧振腔濾波結(jié)構(gòu)，分析并設(shè)計了一種基于MEMS的硅基Substrate Integrated Waveguide(SIW)雙通帶寬帶帶通濾波器芯片。設(shè)計的濾波器芯片在21.25～29 GHz以及43～47.5 GHz雙通帶頻帶內(nèi)插入損耗小于3 dB，相對帶寬分別為30%以及10%，帶外抑制度大于20 dB，并且在雙通帶間產(chǎn)生了零點，尺寸僅為4.2 mm×1.1 mm×0.8 mm。該濾波器是平面堆疊結(jié)構(gòu)，具有體積小、頻帶寬、易集成等優(yōu)點，有較好的應(yīng)用價值。

發(fā)表于：7/5/2021

一種用于時間交織型SAR ADC的電容校正技術(shù)[其他][其他]

時間交織型SAR ADC對包括電容失配在內(nèi)的通道間失配較敏感，其中電容失配既包括通道內(nèi)的失配也包括通道間的失配，是影響時間交織型SAR ADC性能的重要因素。為了提升時間交織型SAR ADC的性能，基于對SAR ADC中DAC電容失配對時間交織型SAR ADC影響的分析，結(jié)合單通道低速工作SAR ADC的電容校正方法，提出了一套適用于時間交織型SAR ADC的電容校正方法，實現(xiàn)了超過9 dB的SFDR和超過2.5 dB的SNDR性能提升。

發(fā)表于：7/5/2021

高頻驅(qū)動電路與高效GaN HEMT電源模塊的實現(xiàn)[電源技術(shù)][其他]

為了滿足當前電源模塊高效大功率的要求，針對氮化鎵器件設(shè)計一款高頻驅(qū)動電路，并搭建形成高頻高效的電源模塊。電路通過調(diào)節(jié)死區(qū)最小化處理模塊與非重疊模塊，抑制功率器件的大電流直通現(xiàn)象，有助于提升電源模塊的效率；利用氮化鎵器件的高頻特性，使電源系統(tǒng)的工作頻率大幅提升。電源系統(tǒng)測試結(jié)果表明，1 MHz時輸出波形上升沿、下降沿時間分別為10 ns和5 ns；10 MHz時輸出波形上升沿、下降沿時間分別為14 ns和8 ns。系統(tǒng)可實現(xiàn)10 W左右的大功率輸出。1 MHz和10 MHz工作頻率下系統(tǒng)達到的效率分別為93.7%和83.5%。

發(fā)表于：7/5/2021

Faster RCNN和LGDF結(jié)合的肝包蟲病CT圖像病灶分割[測試測量][醫(yī)療電子]

針對人工閱片工作量大、閱片質(zhì)量不佳且容易出現(xiàn)漏檢、錯判等問題，將Faster RCNN目標檢測模型應(yīng)用于肝包蟲病CT圖像的檢測，并對目標檢測模型進行改進：基于圖片分辨率低、病灶大小不同的特點，使用網(wǎng)絡(luò)深度更深的殘差網(wǎng)絡(luò)(ResNet101)代替原來的VGG16網(wǎng)絡(luò)，用以提取更豐富的圖像特征；根據(jù)目標檢測模型得出的病灶坐標信息引入LGDF模型進一步對病灶進行分割，從而輔助醫(yī)生更高效的診斷疾病。實驗結(jié)果表明，基于ResNet101特征提取網(wǎng)絡(luò)的目標檢測模型能夠有效提取目標的特征，檢測準確率相比原始檢測模型提高2.1%，具有較好的檢測精度。同時，將病灶坐標信息引入LGDF模型，相比于原始的LGDF模型更好地完成了對肝包蟲病病灶的分割，Dice系數(shù)提高了5%，尤其對多囊型肝包蟲病CT圖像的分割效果較好。

發(fā)表于：7/5/2021

基于強化學(xué)習(xí)的特征工程算法研究[其他][其他]

特征工程可以自動地處理和生成那些判別性高的特征，而無需人為的操作。特征工程在機器學(xué)習(xí)中是不可避免的一環(huán)，也是至關(guān)重要的一環(huán)。提出一種基于強化學(xué)習(xí)(RL)的方法，將特征工程作為一個馬爾可夫決策過程(MDP)，在上限置信區(qū)間算法(UCT)的基礎(chǔ)上提出一個近似的方法求解二分類數(shù)值數(shù)據(jù)的特征工程問題，來自動獲得最佳的變換策略。在5個公開的數(shù)據(jù)集上驗證所提出方法的有效性，F(xiàn)Score平均提高了9.032%，同時與其他用有限元變換進行特征工程的方法進行比較。該方法確實可以得到判別性高的特征，提高模型的學(xué)習(xí)能力，得到更高的精度。

發(fā)表于：7/5/2021

從算法發(fā)展研究人工智能應(yīng)用問題與對策[人工智能][其他]

基礎(chǔ)硬件的發(fā)展帶來了算力的提高，深度學(xué)習(xí)算法的出現(xiàn)和應(yīng)用奠定了人工智能技術(shù)理論基礎(chǔ)，Google、百度等高科技公司將人工智能應(yīng)用的作為重點領(lǐng)域而加大投入，從而加速了人工智能的落地。當前人工智能已成為引領(lǐng)信息產(chǎn)業(yè)革命的最重要的技術(shù)手段。與此同時，人工智能對人類的潛在威脅也在加劇。對人工智能算法進行分析，歸納算法發(fā)展過程及缺陷，并總結(jié)這些缺陷可能引發(fā)的技術(shù)問題和倫理問題。最后，對人工智能的應(yīng)用，從算法和倫理角度給出一定的對策。

發(fā)表于：7/5/2021

2.3～2.7 GHz雙模式低噪聲射頻接收前端全集成芯片的設(shè)計[微波|射頻][其他]

基于GaAs pHEMT工藝設(shè)計了一款2.3～2.7 GHz雙模式低噪聲射頻接收前端全集成芯片。該接收前端芯片包含一個單刀雙擲(SPDT)收發(fā)開關(guān)及一個帶旁路功能的低噪聲放大器。一方面，采用帶源級電感負反饋的共源共柵結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了放大器模式，將SPDT開關(guān)作為放大器輸入匹配網(wǎng)絡(luò)的一部分，一體化優(yōu)化設(shè)計獲得最少元件及較高Q值的輸入匹配網(wǎng)絡(luò)，進而實現(xiàn)低噪聲、高增益和良好的輸入回波損耗匹配；另一方面，采用多組開關(guān)聯(lián)合實現(xiàn)了旁路功能用于衰減高輸入功率的射頻信號。測試結(jié)果表明，在2.3～2.7 GHz的寬頻帶范圍內(nèi)，實現(xiàn)的接收前端芯片在LNA模式下的噪聲系數(shù)可達到1.53～1.64 dB的較低水平，且增益在18.1～19.2 dB之間，在2.5 GHz時輸入1 dB壓縮點為-1.5 dBm；在旁路模式下，插入損耗在工作頻段內(nèi)維持在約6～7 dB的水平。

發(fā)表于：7/5/2021

Ka波段頻率源建模分析與設(shè)計[其他][其他]

利用鎖相環(huán)與多次倍頻的方式設(shè)計了一個Ka波段的用于小型化交會參數(shù)探測單元的頻率源。該頻率源輸出頻率為36 GHz，輸出功率大于15 dBm。在設(shè)計時使用數(shù)學(xué)建模的方法對鎖相環(huán)各個部分進行建模，然后得到系統(tǒng)的傳遞函數(shù)，通過對閉環(huán)系統(tǒng)的系統(tǒng)函數(shù)分析，得到能夠使系統(tǒng)穩(wěn)定工作的系統(tǒng)參數(shù)。最后使用裸芯片以微組裝的形式加工到RO4350和RO5880基板與腔體上，并完成測試。測試結(jié)果表明，使用數(shù)學(xué)建模的方式能夠得到穩(wěn)定工作頻率源。

發(fā)表于：7/5/2021

基于場路耦合的反激變換器板級輻射研究[電源技術(shù)][其他]

輻射干擾問題是制約電源產(chǎn)品高頻化、小型化的因素之一。基于場路耦合的仿真思路，建立MOSFET的電磁場有限元模型和高頻變壓器的等效高頻電路模型。結(jié)合從SIwave電磁仿真軟件中提取的PCB網(wǎng)絡(luò)參數(shù)，對一款5 W輸出的反激變換器的板級輻射干擾進行聯(lián)合仿真，并對比了兩種高頻變壓器模型對遠場仿真結(jié)果的影響。實驗結(jié)果表明，在230 MHz以內(nèi)的頻段3 m遠場仿真超標頻點與實測吻合，驗證了該仿真方法的正確性，且簡化的變壓器二電容模型具有更寬頻帶的適用性；所得到的近場電磁場分布表明MOSFET和變壓器副邊的整流二極管是主要的輻射源。

發(fā)表于：7/5/2021

采用平面分柵結(jié)構(gòu)的高增益寬帶射頻VDMOS研制[微波|射頻][其他]

硅基射頻場效應(yīng)晶體管具有線性度好、驅(qū)動電路簡單、開關(guān)速度快、熱穩(wěn)定性好、沒有二次擊穿等優(yōu)點，在HF、VHF和UHF波段具有廣闊的應(yīng)用前景。針對射頻場效應(yīng)晶體管寬帶、高增益和高效率的應(yīng)用需求，基于標準平面MOS工藝，采用平面分柵(split gate)結(jié)構(gòu)，通過優(yōu)化結(jié)構(gòu)和工藝參數(shù)研制出一款工作電壓為28 V的硅基射頻垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(VDMOS)。該器件在30~90 MHz頻段范圍內(nèi)，小信號增益大于19 dB，在60 MHz頻點下連續(xù)波輸出功率可以達到87 W，功率附加效率達72.4 %，具有優(yōu)異的射頻性能。

發(fā)表于：7/5/2021

【萊迪思技術(shù)白皮書】為智能工業(yè)自動化開發(fā)鍛造加速引擎[人工智能][工業(yè)自動化]

萊迪思(Lattice)半導(dǎo)體繼2018年推出面向低功耗網(wǎng)絡(luò)邊緣AI的sensAI，2020年公布面向低功耗嵌入式視覺和面向網(wǎng)絡(luò)保護恢復(fù)可信根的mVision 1.0與Sentry 1.0，及其后續(xù)升級版本mVision 2.0和Sentry 2.0后，日前，面向智能工業(yè)系統(tǒng)的Automate解決方案集合也正式面世。

發(fā)表于：6/29/2021

顯示技術(shù)：OLED浪潮及其它激動人心的發(fā)展趨勢 [顯示光電][消費電子]

自從平板電腦在20世紀90年代初期采用LCD技術(shù)后，現(xiàn)代顯示行業(yè)開始蓬勃發(fā)展。采用LCD技術(shù)的產(chǎn)品輕薄便攜，當時的CRT技術(shù)難以望其項背。在接下來的二十年里，LCD在筆記本電腦和其它小眾設(shè)備中一統(tǒng)天下，在電視機和顯示器中取代了CRT，并在智能手機等新型設(shè)備上得到了廣泛應(yīng)用。而今，我們正處于又一次顯示技術(shù)更迭的初期，新興的OLED顯示技術(shù)正在消費終端領(lǐng)域逐步取代LCD的地位。其它一些值得深入研究的技術(shù)也紛紛涌現(xiàn)，包括迷你LED、微型LED和微型OLED。這幾個名稱很相似，也很容易混淆，但無論從它們的優(yōu)勢和有待解決的問題，還是應(yīng)用范圍和所處發(fā)展階段來看，它們都是截然不同的幾種技術(shù)。

發(fā)表于：6/27/2021