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2027年底全球DRAM供需仍有40%缺口
發(fā)表于：2026/4/20 下午1:08:56
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DRAM提产加速 但仅能满足市场六成需求
發(fā)表于：2026/4/20 上午10:17:24
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ASML EUV最新路线图曝光
發(fā)表于：2026/4/20 上午9:44:33
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三星宣布LPDDR4/4X年底停产
發(fā)表于：2026/4/20 上午9:30:12
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三星罢工风险升级 工会预警一年损高达203亿美元
發(fā)表于：2026/4/20 上午9:00:06
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三星电子首批HBM4E内存性能样品生产在即
發(fā)表于：2026/4/17 上午10:48:01
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特斯拉AI6和AI6.5芯片将分别应用三星和台积电在美2nm产能
發(fā)表于：2026/4/17 上午10:40:04
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英特尔任命前三星电子高管为代工服务总经理
發(fā)表于：2026/4/17 上午9:35:24
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内部涨价 三星HBM4内存晶圆代工报价上调
發(fā)表于：2026/4/14 上午10:57:56
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三星工会要求天价奖金 存储部门人均285万元
發(fā)表于：2026/4/14 上午10:46:18
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三星2nm被曝当前良率在55%上下 无法稳定交付
發(fā)表于：2026/4/14 上午9:05:11
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三星2nm工艺良率不稳定 高通骁龙8旗舰仍无订单
發(fā)表于：2026/4/13 上午9:32:22
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全球首只纯内存芯片ETF横空出世
發(fā)表于：2026/4/9 上午7:47:15
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三星DRAM二季度合约价将再涨30%
發(fā)表于：2026/4/7 上午9:31:36
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三星电子甩卖西安工厂86台成熟制程芯片设备
發(fā)表于：2026/4/3 下午1:11:54
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台积电3nm产能告急 三星2nm成全球唯一平替
發(fā)表于：2026/4/1 下午1:04:21
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存储双雄加码混合键合技术 或用于下一代HBM生产
發(fā)表于：2026/4/1 上午10:43:14
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传三星2031年量产1nm 采用Forksheet器件结构
發(fā)表于：2026/4/1 上午10:28:05
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三星公布硅光子蓝图 2028年量产
發(fā)表于：2026/3/31 上午9:45:04
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三星计划2028年实现AI芯片全面集成硅光器件
發(fā)表于：2026/3/30 上午10:39:05
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三星西安晶圆厂升级完成 实现236层V8 3D NAND闪存量产
發(fā)表于：2026/3/30 上午10:16:15
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2025年全球OLED显示器品牌市占率发布
發(fā)表于：2026/3/27 下午1:10:11
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三星展示超高容量密集封装技术 单颗芯片4TB
發(fā)表于：2026/3/27 上午10:33:08
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消息称三星Exynos 2800采用第二代2nm工艺SF2P
發(fā)表于：2026/3/27 上午9:52:04
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三星与SK海力士加速中国工厂扩产
發(fā)表于：2026/3/26 上午10:23:58
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追平台积电 三星2nm工艺良率已突破60%
發(fā)表于：2026/3/25 上午9:59:32
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三星电子加码氮化镓制造领域
發(fā)表于：2026/3/23 上午10:17:05
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台积电和三星晶圆代工已对5/4nm主力制程涨价
發(fā)表于：2026/3/20 上午9:51:39
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三星电子宣布2026年向AI半导体领域投资逾110万亿韩元
發(fā)表于：2026/3/20 上午9:47:15
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反转 美光与三星恢复存储芯片长期合约谈判
發(fā)表于：2026/3/20 上午9:10:56
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