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存储芯片争霸战愈演愈烈 三星Q4有望重夺DRAM市场头把交椅
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存储芯片三大厂商不同策略抢占DRAM市场
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三星4nm工艺良率升至70%
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消息称三星新设定制SoC开发团队强化自研能力
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传三星拿下英伟达明年SOCAMM2半数订单
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三星考虑削减HBM3E产能 并扩产DRAM
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三星新型FeFET 3D NAND功耗暴降96%
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三星半导体部门拒绝与手机部门签长期供应协议
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三星2025H2成为谷歌TPU主力HBM内存供应商
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消息称三星明年2月正式发布HBM4
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2025Q3全球DRAM市场环比增长30%
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三星研发新型NAND闪存技术 功耗暴降96%
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三星与SK电讯联手研发6G 人工智能将全面接管网络管理
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三星电子整合HBM技术路线 核心团队并入DRAM开发体系
發(fā)表于：2025/11/28 上午9:13:59
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三星HBM4对英伟达供应价格看齐SK海力士
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韩国虽称霸HBM市场 但缺乏混合键合核心专利
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三星24Gb GDDR7已进入量产
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2025年Q3DRAM产业营收环比增30.9% 达414亿美元
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三星打响自研芯片反击战 2nm 产能预估猛增163%
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三星与SK海力士第四季DRAM售价将再次大幅上涨
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三星电子正启动存储芯片产能重大战略调整
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京东方宣布与三星显示OLED专利战达成和解
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三星加速扩大1cnm DRAM生产
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三星2nm工艺细节公布
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传三星已拿下比特微及嘉楠科技2nm矿机芯片代工订单
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特斯拉自建芯片工厂越来越近
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美国加速芯片国产化 目标实现50%自给率！
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三星电子与SK海力士目标明年上半年完成HBM4E研发
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三星立志2027年拿下全球20%晶圆代工市场
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存储芯片三巨头齐聚HBF新赛道
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