12月23日消息，隨著美國大力發(fā)展本土芯片制造業(yè)，英特爾、臺積電、三星都在積極擴大在美國的產能。其中，作為“主場作戰(zhàn)”的英特爾，其目前在美國本土所擁有的產能無疑是最多的。特別是英特爾位于亞利桑那州錢德勒的Fab 52 晶圓廠，無論是在制程節(jié)點的先進程度、技術復雜度，還是規(guī)劃產能上，都已顯著超越臺積電目前在亞利桑那州的布局。

據Tom′s Hardware 援引CNBC報導，英特爾Fab 52 是一座專為未來而生的頂級晶圓廠，其核心使命是生產Intel 18A及更先進制程。

為了達成這一目標，英特爾導入兩大革命性技術：

RibbonFET 全環(huán)繞閘極（GAA）晶體管：這是英特爾在晶體管架構上的重大升級，目的在提升性能并降低功耗。

PowerVia 背面供電網路：通過將供電線路移至晶圓背面，解決了傳統(tǒng)正面供電導致的布線擁擠與壓降問題。

Intel 18A 的復雜度與精細度，遠遠超過臺積電亞利桑那州Fab 21 第一期N4 或 N5 制程。即使與臺積電 N4P 或 第二期工程的 N3 制程相比，Intel 18A 規(guī)格依然更具領先性。

已安裝4臺ASML EUV光刻機，未來整個園區(qū)將擴增至15臺以上

對于一座先進制程晶圓廠的實力來說，往往取決于極紫外光（EUV）光刻設備。 英特爾Fab 52 安裝了四臺ASML Twinscan NXE 標準數值孔徑EUV 系統(tǒng)。其中至少包括一臺NXE:3800E，這是ASML 目前最先進標準數值孔徑的EUV 系統(tǒng)。

△英特爾 Fab 52 晶圓廠內的ASML EUV光刻機

據了解，NXE:3800E 包括更快的晶圓傳輸系統(tǒng)、更高效的晶圓臺以及更強大的光源。在30mJ/cm2 的曝光劑量下，NXE:3800E 每小時可處理高達220 片晶圓。相較之下，廠內另外三臺NXE:3600D 系統(tǒng)在同樣曝光劑量下的產能僅為每小時160 片。

英特爾計劃在亞利桑那州的Silicon Desert 園區(qū)總共部署至少15 臺EUV 光刻設備。雖然目前尚不清楚其中有多少比例會是新一代的High-NA EUV設備，也不清楚會有多少會被分配到即將建設的Fab 62。但至少15 臺EUV光刻設備這個數字，表示英特爾擁有極大的空間來進一步擴充其產能上限。

月產能4萬片

生產規(guī)模方面，英特爾Fab 52 擁有強大的產能。滿負載運轉時，產能可達每周10,000 片晶圓的，換算后約為每月40,000 片晶圓。以當今產業(yè)標準來看，這是一座規(guī)模極其龐大的超大型晶圓廠。

相比之下，臺積電亞利桑那州Fab 21晶圓廠已經量產的一期工程只有每月20,000片晶圓的產能，因為臺積電通常以約每月20,000 片為一個生產產線。這代表著，英特爾Fab 52 的單廠產能，相當于臺積電Fab 21 第一期與第二期兩個產線的產能總和。

產能利用率及良率挑戰(zhàn)

盡管技術與設備處于領先地位，但英特爾與臺積電在美國的布局策略存在顯著差異，這也帶來了不同的營運挑戰(zhàn)。

對于英特爾來說，其高風險高回報的模式正利用Fab 52 生產Panther Lake和Clearwater Forest處理器。目前的Intel 18A 技術仍處于良率曲線的早期階段。英特爾預計要到2027 年初，Intel 18A 的良率才能達到最高水準。在此之前，英特爾可能會刻意控制CPU 的產量，這代表著Fab 52 的產能利用率在短期內將維持在較低水平，部分時間可能會處于閑置狀態(tài)。

△由英特爾Fab 52制造的基于Intel 18A制程的Clearwater Forest

至于臺積電，通過穩(wěn)扎穩(wěn)打模式在美國采用的是已經過驗證的較成熟制程（如N5/N4）。這種策略使其能夠快速提升產量，并讓工廠的產能利用率迅速接近100%。

因此，兩這兩種不同的布局，顯示出英特爾在亞利桑那州扮演的是技術開拓者的角色，試圖在美國本土直接建立最尖端的技術標竿。而臺積電則傾向于將已經成熟的產線轉移至美國，以確保商業(yè)運行的穩(wěn)定與效率。

總結來說，英特爾在亞利桑那州的Fab 52 代表了美國本土制造的最先進布局。它擁有更先進的Intel 18A 制程、更強大的EUV 設備群，以及兩倍于臺積電一期項目的產能潛力。雖然在2027 年良率成熟之前，英特爾在產能利用率上可能無法與臺積電匹敵，但Fab 52 的存在確實鞏固了英特爾做為美國芯片之王的地位。這場對決最終的勝負，將取決于英特爾能否在2027 年如期達成Intel 14A 制程獲得頭部的外部客戶的訂單。