PSoC Express實施透明無代碼PSoC應用開發(fā)

發(fā)表于：6/12/2010

Vishay發(fā)布幫助客戶進一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

視頻展示了組合封裝的SiZ700DT TrenchFET®不對稱功率MOSFET器件在DC/DC轉(zhuǎn)換器中如何減少高邊和低邊功率MOSFET所占用的空間以及節(jié)約系統(tǒng)成本

發(fā)表于：6/12/2010

Altera 28nm FPGA突破帶寬瓶頸應對云計算時代

Altera繼今年2月公布了28 nm新工藝上的三大創(chuàng)新技術：嵌入式HardCopy模塊、部分重新配置和28 Gbps收發(fā)器技術后，于4月20日發(fā)布基于28 nm的Stratix V系列FPGA。

發(fā)表于：6/12/2010

Intersil公司與Xilinx公司在多千兆收發(fā)器領域開展緊密合作

Intersil公司的新型負載點電源解決方案獲準用于Xilinx的Spartan-6和Virtex-6FPGA多千兆收發(fā)器評估套件；全新的ISL6442MGTX評估套件可以在Intersil訂購

發(fā)表于：6/11/2010

回看過去10年芯片仿真驗證

回看那時，工藝技術是180納米及設計晶體管的平均數(shù)在2000萬個。一個ASIC平均100萬門，而大的設計到1000萬門及最大的設計在1億個門。僅只有很少部分設計從功能上采用嵌入式軟件。 驗證占整個設計周期的70％時間及僅只有在大的CPU或圖像芯片設計中才采用仿真emulation。在2000年EVE的仿真系統(tǒng)能夠進行60萬門的ASIC，幾乎己到極限。

發(fā)表于：6/9/2010

Altera榮獲《中國電子報》“最佳3G通信FPGA供應商”獎

2010年6月8號，北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天宣布，公司于5月17號2010世界電信和信息社會日期間獲得《中國電子報》“最佳3G通信FPGA供應商”獎。該獎項是對Altera在過去幾年中對中國電信行業(yè)特別是對中國成功部署3G的貢獻的認可。

發(fā)表于：6/8/2010

Xilinx Virtex-6與Spartan-6 FPGA連接目標參考設計支持PCI Express 兼容性設計

全球可編程平臺領導廠商賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX) ）日前宣布其Spartan®-6與Virtex®-6 FPGA連接目標參考設計通過PCI Express®認證，為支持開發(fā)人員的下一代高速串行I/O設計， 提供了一個完整且切實可行的參考實例。作為賽靈思連接目標設計平臺的一部分，該參考設計將能夠為設計人員提供所需資源，讓他們可以把時間集中在差異化產(chǎn)品的設計上，從而加快其客戶終端產(chǎn)品系統(tǒng)的部署速度。

發(fā)表于：6/8/2010

新的低成本BREVIA開發(fā)套件加速了對深受歡迎的LatticeXP2 FPGA系列應用的開發(fā)

美國俄勒岡州希爾斯波羅市? 2010年6月7日 ?萊迪思半導體公司（NASDAQ: LSCC）今天宣布推出立即可獲取的新的多功能LatticeXP2?Brevia開發(fā)套件和28個新的經(jīng)器件驗證的參考設計，這對于開發(fā)大批量、成本敏感，高密度的應用是理想的。目前低成本的Brevia開發(fā)套件的促銷價僅為29美元。即時上電，易于使用的LatticeXP2 FPGA系列為用戶提供了更高的系統(tǒng)集成的優(yōu)點，嵌入式存儲器、內(nèi)置鎖相環(huán)、高性能的LVDS I / O和遠程現(xiàn)場升級（TransFR?技術）都在單個器件之中。專為寬范圍的高密度應用而設計，其中包括通用I / O擴展、視頻圖像信號處理，接口橋接和控制功能，深受歡迎的LatticeXP2 FPGA系列產(chǎn)品用于各種終端市場，如安全和監(jiān)控、消費、顯示器、汽車、通信，計算和工業(yè)。

發(fā)表于：6/8/2010

發(fā)揮 FPGA 設計的無限潛力

盡管 FPGA 為嵌入式設計帶來了強大的功能與靈活性，但額外的開發(fā)流程也給設計工作增加了新的復雜性和限制問題。整合傳統(tǒng)的硬件-FPGA-軟件設計流程并充分利用 FPGA 的可再編程功能是我們的一個解決之道。

發(fā)表于：6/7/2010

晶體硅太陽能電池的絲網(wǎng)印刷技術

生產(chǎn)晶體硅太陽能電池最關鍵的步驟之一是在硅片的正面和背面制造非常精細的電路，將光生電子導出電池。這個金屬鍍膜工藝通常由絲網(wǎng)印刷技術來完成——將含有金屬的導電漿料透過絲網(wǎng)網(wǎng)孔壓印在硅片上形成電路或電極。典型的晶體硅太陽能電池從頭到尾整個生產(chǎn)工藝流程中需要進行多次絲網(wǎng)印刷步驟。通常，有兩種不同的工藝分別用于電池正面(接觸線和母線)和背面（電極/鈍化和母線）的絲網(wǎng)印刷?！颈?】 表1：晶體硅太陽能電池的制造需要進行多次絲網(wǎng)印刷步驟。應用材料公司Baccini產(chǎn)品可以幫助實現(xiàn)綠色框中的步驟。

發(fā)表于：6/7/2010