業(yè)界動態(tài) 英偉達(dá)GPU被曝嚴(yán)重漏洞 英偉達(dá) GPU，被白帽黑客發(fā)現(xiàn)了嚴(yán)重漏洞。 通過一種名為 GPUHammer 的攻擊方式，可以讓 GPU 上跑的大模型，準(zhǔn)確率從 80% 直接掉到 0.02%，可以說是渣都不剩。 多倫多大學(xué)的研究人員形容，這種攻擊就像在模型中引發(fā)災(zāi)難性的腦損傷。 目前，研究人員已經(jīng)在英偉達(dá) RTX A6000 上成功測試了這種攻擊，但不排除其他型號也可能受到影響。 發(fā)表于：7/21/2025 1:01:59 PM 中國商飛建成全球首個5G工業(yè)園區(qū) 7 月 20 日消息，據(jù)中新社報道，中國商飛董事長賀東風(fēng) 7 月 19 日在 2025 中國聯(lián)通合作伙伴大會上稱，中國國產(chǎn)大飛機(jī)已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的新階段，中國商飛將持續(xù)推進(jìn) 5G、人工智能在大飛機(jī)產(chǎn)業(yè)中的落地應(yīng)用。 中國商飛建成全球首個 5G 工業(yè)園區(qū)，持續(xù)推進(jìn) 5G、AI 在大飛機(jī)產(chǎn)業(yè)中的落地應(yīng)用 發(fā)表于：7/21/2025 11:34:07 AM 我國建成全球最大亞米級商業(yè)遙感衛(wèi)星星座 7月20日消息，據(jù)媒體報道，2015年10月，長光衛(wèi)星自主研發(fā)的“吉林一號”星座首組四星成功入軌，一舉創(chuàng)下我國商業(yè)航天領(lǐng)域多項(xiàng)歷史性突破，正式開啟中國商業(yè)航天新時代。 發(fā)表于：7/21/2025 11:27:55 AM AI應(yīng)用的“安全鎖”：安全閃存技術(shù)在滿足行業(yè)認(rèn)證中的作用 隨著AI 的普及，我們必須全面審視并應(yīng)對網(wǎng)絡(luò)攻擊威脅，在確保AI應(yīng)用持續(xù)穩(wěn)定運(yùn)行的同時保障其安全性。數(shù)據(jù)投毒、分類模型篡改、后門注入攻擊以及AI模型逆向工程，這些僅僅是黑客所采用的部分惡意技術(shù)手段。 發(fā)表于：7/21/2025 11:23:03 AM 曝英偉達(dá)H20清庫存后將不再重啟生產(chǎn) 7月20日消息，據(jù)報道，NVIDIA已告知中國客戶，H20芯片的供應(yīng)有限，并且公司不打算重啟生產(chǎn)。 近日NVIDIA公開宣布，H20芯片已經(jīng)獲得美國的批準(zhǔn)，將重新恢復(fù)對中國廠商供應(yīng)。 不過最新消息顯示，由于美國4月的銷售禁令，NVIDIA取消了在臺積電預(yù)訂的制造產(chǎn)能，導(dǎo)致H20芯片的供應(yīng)有限。 發(fā)表于：7/21/2025 11:21:51 AM 商務(wù)部關(guān)于英偉達(dá)H20芯片解禁答記者問 據(jù)商務(wù)部網(wǎng)站7月18日消息，有記者提問稱：近日，美方有關(guān)官員表示，美批準(zhǔn)向中國銷售英偉達(dá)H20芯片是中美經(jīng)貿(mào)談判的一部分，目前華為等中國企業(yè)已經(jīng)生產(chǎn)了等效芯片，美方不希望中方實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。請問商務(wù)部對此有何評論？ 發(fā)表于：7/21/2025 11:15:16 AM 臺積電中科1.4nm晶圓廠預(yù)計年底動工 7 月 19 日消息，據(jù)中國臺灣《經(jīng)濟(jì)日報》，中科管理局昨日舉行中科園區(qū) 22 周年園慶。中科管理局局長許茂新宣布，中科二期擴(kuò)建項(xiàng)目已正式交地給臺積電，臺積電也已承租土地，預(yù)計今年底 4 座新廠將動土。 他表示，新廠建設(shè)預(yù)計將耗時兩年，預(yù)計 2027 年底完成風(fēng)險性試產(chǎn)，2028 年下半年正式啟動 2 納米以下先進(jìn)制程。 發(fā)表于：7/21/2025 11:10:01 AM 中國聯(lián)通發(fā)布全球最長距離大模型異構(gòu)混訓(xùn)成果 7月19日，在2025中國聯(lián)通合作伙伴大會期間，中國聯(lián)通研究院聯(lián)合上海人工智能實(shí)驗(yàn)室等合作伙伴，正式發(fā)布了全球最長距離大模型異構(gòu)混訓(xùn)試驗(yàn)成果，向業(yè)界展現(xiàn)了中國聯(lián)通在智算網(wǎng)絡(luò)關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的里程碑，為智算產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展注入新范式。 發(fā)表于：7/21/2025 11:04:01 AM 北大團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)二維硒化銦半導(dǎo)體晶圓制備突破 7 月 19 日消息，據(jù)北京大學(xué)物理學(xué)院消息，北京大學(xué)物理學(xué)院凝聚態(tài)物理與材料物理研究所劉開輝教授課題組與合作者提出“固–液–固”材料制備新策略，首次實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量二維硒化銦（InSe）半導(dǎo)體晶圓的制備。 發(fā)表于：7/21/2025 10:59:44 AM 全球首個二維半金屬材料問世 可用于存儲芯片的磁狀態(tài)切換 7 月 21 日消息，德國于利希研究中心（Forschungszentrum Jülich）的研究人員宣布成功創(chuàng)制出全球首個經(jīng)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證的二維半金屬材料。這是一種僅允許單一自旋方向（“自旋向上”或“自旋向下”）電子導(dǎo)電的材料。 相關(guān)成果以“編輯推薦”形式發(fā)表于《物理評論快報》（IT之家附 DOI:10.1103/mx46-85zf），標(biāo)志著新一代高能效自旋電子學(xué)材料研究取得重要突破。 發(fā)表于：7/21/2025 10:17:01 AM ?…22232425262728293031…?
