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業(yè)界動(dòng)態(tài)

英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS? 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本

【2025年3月27日, 德國慕尼黑訊】Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。

發(fā)表于：3/27/2025 3:14:46 PM

華為吳輝：跨越數(shù)智鴻溝，共創(chuàng)AI新時(shí)代

3月20日，華為中國合作伙伴大會(huì)2025在深圳隆重舉行。大會(huì)以“因聚而生，眾智有為”為主題，旨在凝聚華為和伙伴們的智慧，強(qiáng)健“伙伴+華為”合作伙伴體系，一起抓住智能化的巨大機(jī)遇，加速客戶智能化進(jìn)程，與伙伴攜手共贏智能未來。

發(fā)表于：3/27/2025 2:39:12 PM

2024年度中國科學(xué)十大進(jìn)展發(fā)布

3月27日消息，今日，國家自然科學(xué)基金委員會(huì)發(fā)布了2024年度“中國科學(xué)十大進(jìn)展”。

發(fā)表于：3/27/2025 1:01:08 PM

消息稱英偉達(dá)H20芯片遭中國限購

一夜蒸發(fā)1.2萬億：消息稱英偉達(dá)H20芯片遭中國限購華為等國產(chǎn)替代崛起

發(fā)表于：3/27/2025 11:15:29 AM

SEMI：2025年全球晶圓廠設(shè)備投資將增至1100億美元

3月26日消息，國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）發(fā)布報(bào)告稱，預(yù)計(jì)2025年全球晶圓廠設(shè)備支出將同比增長2%，達(dá)到1,100億美元。預(yù)計(jì)2026年全球晶圓廠設(shè)備支出有望同比大幅增長18%，達(dá)到1,300億美元。 SEMI認(rèn)為，隨著人工智能（AI）需求不斷增長，推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心的持續(xù)擴(kuò)張，以及邊緣設(shè)備對于AI的部署，提升了對于云端及邊緣AI芯片和存儲(chǔ)芯片的需求，帶動(dòng)了晶圓廠設(shè)備支出增長。

發(fā)表于：3/27/2025 11:03:00 AM

2025年1-2月日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額同比大漲31%

3月27日，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)（SEAJ）公布統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，2025年2月份日本制半導(dǎo)體制造設(shè)備銷售額（3個(gè)月移動(dòng)平均值、包含出口）為4,120.65億日元，同比大漲29.8%，連續(xù)第14個(gè)月呈現(xiàn)增長，增幅連續(xù)11個(gè)月達(dá)2位數(shù)百分比（10%以上）水準(zhǔn)，月銷售額連續(xù)第16個(gè)月突破3,000億日元，連續(xù)4個(gè)月高于4,000億日元，僅低于2024年12月的4,433.64億日元和2025年1月的4,167.90億日元，創(chuàng)1986年開始進(jìn)行統(tǒng)計(jì)以來歷史第3高紀(jì)錄。

發(fā)表于：3/27/2025 10:56:39 AM

消息稱英偉達(dá)考慮找英特爾代工游戲GPU

3 月 26 日消息，據(jù) GuruFocus 報(bào)道，英偉達(dá)正在考慮使用英特爾代工服務(wù)來制造面向游戲玩家的 GPU。瑞銀分析師蒂莫西?阿庫里（Timothy Arcuri）表示，如果英特爾贏得英偉達(dá)的訂單，這將是英特爾代工服務(wù)的重大勝利，甚至可能成為其業(yè)務(wù)的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。

發(fā)表于：3/27/2025 10:50:05 AM

臺(tái)積電SoIC產(chǎn)能將倍增

3月26日消息，據(jù)最新的業(yè)內(nèi)傳聞顯示，英偉達(dá)（NVIDIA）下一代Rubin GPU將采用臺(tái)積電的SoIC（System-on-Integrated Chip）封裝技術(shù)，這也也將是該公司首款采用Chiplet設(shè)計(jì)的GPU。市場期待，臺(tái)積電SoIC有望取代CoWoS成為市場新焦點(diǎn)，預(yù)期需求將大幅成長。

發(fā)表于：3/27/2025 10:41:51 AM

薄晶圓工藝興起

從平面SoC向3D-IC和先進(jìn)封裝的轉(zhuǎn)變，需要更薄的晶圓，以提高性能、降低功耗，縮短信號(hào)傳輸所需的距離以及驅(qū)動(dòng)信號(hào)所需的能量。對超薄晶圓有需求的市場正在不斷擴(kuò)大。一個(gè)由12個(gè)DRAM芯片和一個(gè)基礎(chǔ)邏輯芯片組成的HBM模塊的總厚度，仍小于一片原生硅晶圓的厚度。在為人工智能應(yīng)用組裝扇出型晶圓級(jí)封裝以及先進(jìn)的2.5D和3D封裝方面，薄晶圓也起著關(guān)鍵作用，而這些人工智能應(yīng)用的增長速度比主流IC要快得多。再加上行業(yè)對輕薄手機(jī)、可穿戴設(shè)備和醫(yī)療電子產(chǎn)品的需求，似乎如果沒有可靠地加工薄硅晶圓的能力，現(xiàn)代微電子將難以實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：3/27/2025 10:34:33 AM

中微公司在等離子體刻蝕技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破

3 月 26 日消息，近日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布通過不斷提升反應(yīng)臺(tái)之間氣體控制的精度，ICP 雙反應(yīng)臺(tái)刻蝕機(jī) Primo Twin-Star® 又取得新的突破，反應(yīng)臺(tái)之間的刻蝕精度已達(dá)到 0.2A（亞埃級(jí)）。

發(fā)表于：3/27/2025 10:27:39 AM