頭條 英特爾推出首批嵌入式系統(tǒng)用Bartlett Lake處理器 英特爾推出首批嵌入式系統(tǒng)用 Bartlett Lake 處理器，采混合架構(gòu) 最新資訊 在中國(guó)被禁之后，蘋果又在德國(guó)敗訴！這一次或?qū)⒈徽麄€(gè)歐盟禁售！ 當(dāng)?shù)貢r(shí)間12月20日，高通宣布德國(guó)慕尼黑地區(qū)法院認(rèn)定蘋果使用英特爾芯片和Qorvo部件的iPhone機(jī)型侵犯了高通的一項(xiàng)“包絡(luò)跟蹤”技術(shù)專利（可幫助手機(jī)收發(fā)無(wú)線信號(hào)時(shí)節(jié)省電池電量），并授予了高通所請(qǐng)求的永久禁令，要求蘋果公司停止在德國(guó)銷售、許諾銷售和進(jìn)口銷售使用英特爾芯片和Qorvo器件的某些iPhone機(jī)型。 發(fā)表于：2018/12/23 中國(guó)將再添兩座12吋晶圓廠：富士康投620億，夏普投611億？ 據(jù)《日經(jīng)新聞》12月21日下午報(bào)道，鴻海集團(tuán)控股子公司夏普將在中國(guó)投資1萬(wàn)億日元（約合人民幣611億元）建晶圓廠。然而就在剛剛（12月21日晚間），《日經(jīng)新聞》再次報(bào)道稱，富士康正與中國(guó)珠海市政府談判，擬投資約90億美元（約合人民幣620億元）在珠海建立一座芯片工廠。 發(fā)表于：2018/12/23 三星7nm EUV拿下大訂單：將代工IBM Power11處理器 隨著10nm以及更先進(jìn)光刻工藝的難度加大、資本要求更加密集，有實(shí)力參與的晶圓廠商數(shù)量驟減。在UMC（聯(lián)電）和GF（格芯）放棄后，基本只剩下臺(tái)積電、三星和Intel三家有此實(shí)力。 發(fā)表于：2018/12/23 三星和英特爾都虎視眈眈，MRAM有何吸引力？ 在第64屆國(guó)際電子器件會(huì)議( IEDM )上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。 發(fā)表于：2018/12/23 2019年的半導(dǎo)體市場(chǎng)將如何發(fā)展？ 2018年12月12 日-14日，在東京國(guó)際展示廳舉行的“SEMICON Japan 2018”上，英國(guó)的HIS Markit的技術(shù)調(diào)查部的總監(jiān)—南川 明先生在“市場(chǎng)研討會(huì)”上做了關(guān)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最新動(dòng)向的演講，“以車載半導(dǎo)體為中心、改變行業(yè)面貌”。 發(fā)表于：2018/12/23 瑞薩電子收購(gòu)Intersil之后的變與不變 2017年，瑞薩電子實(shí)現(xiàn)了70多億美元的營(yíng)收，并且還在不斷拓展其產(chǎn)品線和業(yè)務(wù)營(yíng)收能力，特別是在高性能模擬器件和電源器件方面，更是不遺余力，為此，瑞薩電子于2016年發(fā)起了對(duì)美國(guó)英特矽爾（Intersil）的并購(gòu)，并于2017年2月24日完成收購(gòu)，從而豐富了其電源管理和高性能模擬產(chǎn)品線。 發(fā)表于：2018/12/23 知識(shí)產(chǎn)權(quán)專家：蘋果以軟件升級(jí)繞過(guò)高通專利并無(wú)可能 兩家行業(yè)巨頭的正式交鋒始于2017年1月蘋果在美國(guó)加州起訴高通，指責(zé)后者壟斷無(wú)線芯片市場(chǎng)，并在中國(guó)向北京知識(shí)產(chǎn)權(quán)法院遞交訴訟。隨后蘋果停止向高通支付專利費(fèi)用。 發(fā)表于：2018/12/23 Intel的3D堆疊能否為摩爾定律續(xù)命？ 過(guò)去的一年，我們?cè)谔幚砥魇袌?chǎng)看到了AMD的崛起和Intel的頹勢(shì)。Intel的7nm工藝遲遲沒(méi)有進(jìn)展，而AMD卻搶先發(fā)布了第一款基于7nm的處理器。 發(fā)表于：2018/12/23 3nm爭(zhēng)奪戰(zhàn)正式開(kāi)打 昨天，臺(tái)灣主管部門宣布，臺(tái)積電3nm工廠環(huán)評(píng)正式通過(guò)，這個(gè)總投資規(guī)模約200億美元的項(xiàng)目進(jìn)入了一個(gè)新階段。 發(fā)表于：2018/12/23 國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備廠商梳理 前些天，我國(guó)本土半導(dǎo)體設(shè)備傳來(lái)好消息，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司自主研制的5nm等離子體刻蝕機(jī)經(jīng)臺(tái)積電驗(yàn)證，性能優(yōu)良，將用于全球首條5nm制程生產(chǎn)線。 發(fā)表于：2018/12/23 ?…276277278279280281282283284285…?
