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自我革命的恐懼是否將導(dǎo)致蘋果的柯達時刻？

半個世紀后，當我們揭開這面被塵封的鏡子，把目光投向蘋果帝國時，一個問題開始浮現(xiàn)：在AI浪潮席卷全球的當下，蘋果是否正經(jīng)歷它的“柯達時刻”？

發(fā)表于：7/18/2025

中國L2級輔助駕駛滲透率已超過50% 位列全球最高

7 月 18 日消息，2025 新能源智能汽車新質(zhì)發(fā)展論壇于 7 月 15 日在長春順利召開。本屆大會以“新質(zhì)引領(lǐng)智創(chuàng)未來”為主題，邀請政府有關(guān)部門領(lǐng)導(dǎo)，及高校專家、企業(yè)代表參加。規(guī)模化應(yīng)用的窗口期。

發(fā)表于：7/18/2025

蘋果大模型團隊AI專家接連被Meta挖走

北京時間7月18日，據(jù)彭博社報道，在挖走蘋果AI模型團隊負責人龐若鳴后不久，馬克·扎克伯格(Mark Zuckerberg)旗下Meta又從蘋果招募了兩名關(guān)鍵AI研究員。據(jù)知情人士透露，這家社交網(wǎng)絡(luò)巨頭已聘請馬克·李(Mark Lee)和湯姆·甘特(Tom Gunter)，為其超級智能實驗室團隊工作。知情人士稱，馬克·李在近日離開了蘋果，已開始在Meta工作。甘特將在不久后入職。

發(fā)表于：7/18/2025

英特爾最新產(chǎn)品路線圖曝光

7 月 17 日消息，科技媒體 Notebook Check 昨日（7 月 16 日）發(fā)布博文，報道稱基于網(wǎng)絡(luò)上流出的路線圖，英特爾計劃在 2028 年推出 Titan Lake 系列處理器，完全放棄 P 核，配備最高 100 個 E 核。根據(jù)路線圖，2027 年的 Razer Lake 將是最后一個采用異構(gòu) P 核和 E 核設(shè)計的 CPU。Razer Lake 將采用 Griffin Cove P 核和 Golden Eagle E 核，在明年發(fā)布的 Nova Lake 的基礎(chǔ)上小幅提升。而 2028 年發(fā)布的 Titan Lake 設(shè)計，將摒棄英特爾的當前異構(gòu) P 核和 E 核設(shè)計，轉(zhuǎn)而采用統(tǒng)一設(shè)計，完全由 E 核構(gòu)成，預(yù)計將基于 Nova Lake 的較大 Arctic Wolf E 核。

發(fā)表于：7/17/2025

AI的下一波浪潮是機器人系統(tǒng)

昨日，英偉達創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛開啟年內(nèi)第三次中國之旅，出席第三屆鏈博會開幕式?！C供圖從皮衣?lián)Q身唐裝，7月16日，英偉達創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛出席2025年中國國際供應(yīng)鏈促進博覽會(鏈博會)開幕式并致辭，并在致辭中秀了一小段中文?！拔以诿绹L大，也是一直在學(xué)中文，我盡力?！秉S仁勛難得地用中文演講。他表示，AI的下一波浪潮將是機器人，“它具備推理與執(zhí)行能力，并且能夠理解物理世界”。

發(fā)表于：7/17/2025

硅基顯示正成為下一代技術(shù)新戰(zhàn)場

AR/VR設(shè)備的興起近年來，顯示產(chǎn)業(yè)取得了顯著進展，隨著頭戴式顯示設(shè)備（HMD）的崛起迎來全新轉(zhuǎn)折點。這類設(shè)備涵蓋了增強現(xiàn)實（AR）、虛擬現(xiàn)實（VR）以及混合現(xiàn)實（MR）等應(yīng)用場景，正加速走向商業(yè)化。在這一趨勢下，硅基顯示技術(shù)的市場關(guān)注度持續(xù)上升。作為HMD的核心顯示方案之一，硅基技術(shù)不僅承載著新一代沉浸式體驗的實現(xiàn)路徑，也為顯示產(chǎn)業(yè)的未來走向提供重要線索。

發(fā)表于：7/17/2025

英特爾RealSense業(yè)務(wù)完成分拆

近日，英特爾已經(jīng)完成了其 RealSense 3D 攝像頭業(yè)務(wù)的分拆，并獲得了5000萬美元的融資。此時正值英特爾CEO陳立武大刀闊斧地對公司進行改革之際，為了持續(xù)聚焦核心業(yè)務(wù)，提升運營效率的同時，英特爾的很多非核心業(yè)務(wù)開始被分拆、出售或關(guān)閉。

發(fā)表于：7/17/2025

Cadence 率先推出業(yè)內(nèi)首款 LPDDR6/5X 14.4Gbps 內(nèi)存 IP，為新一代 AI 基礎(chǔ)架構(gòu)助力

　　中國上海，2025 年 7 月 16 日 -- 楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布業(yè)內(nèi)首個 LPDDR6/5X 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案完成流片。該解決方案已經(jīng)過優(yōu)化，運行速率高達 14.4Gbps，比上一代 LPDDR DRAM 快 50%。全新的 Cadence® LPDDR6/5X 內(nèi)存 IP 系統(tǒng)解決方案是擴展 AI 基礎(chǔ)架構(gòu)的關(guān)鍵驅(qū)動因素。經(jīng)過擴展之后，AI 基礎(chǔ)架構(gòu)可以適應(yīng)新一代 AI LLM、代理 AI 及其他垂直領(lǐng)域計算密集型工作負載對于內(nèi)存帶寬和容量的需求。在這方面，Cadence 目前正在與領(lǐng)先的 AI、高性能計算（HPC）和數(shù)據(jù)中心客戶進行多項合作。

發(fā)表于：7/16/2025

艾邁斯歐司朗榮膺OPPO 2025年度“最佳交付獎”

　　中國上海，2025年7月16日--全球領(lǐng)先的智能傳感和發(fā)射器解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（SIX：AMS）今日宣布，榮膺OPPO 2025年度“最佳交付獎”。該獎項不僅表彰艾邁斯歐司朗在供應(yīng)鏈卓越性、技術(shù)協(xié)作與質(zhì)量領(lǐng)導(dǎo)力領(lǐng)域的突出成就，同時，也凸顯艾邁斯歐司朗在移動消費電子領(lǐng)域的杰出領(lǐng)導(dǎo)力。

發(fā)表于：7/16/2025

Vishay推出PLCC-6封裝RGB LED通過獨立控制紅色、綠色和藍色芯片實現(xiàn)寬色域

　　美國賓夕法尼亞 MALVERN、中國上海 - 2025年7月16日 - 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于車內(nèi)照明、RGB顯示屏和背光的新款三色LED---VLMRGB6122，20 mA下發(fā)光強度達2800 mcd。車規(guī)級VLMRGB6122在3.5 mm x 2.8 mm x 1.4 mm PLCC-6小型表面貼裝封裝中集成紅色、綠色和藍色芯片，采用獨立陽極和陰極連接，能夠分別控制每顆芯片的顏色，通過混色，使色域三角形定義色域中的每種顏色都落在CIE 1931顏色空間里。

發(fā)表于：7/16/2025

美國ITC裁決三星勝訴京東方OLED遭遇禁售風險

?7月15日消息，據(jù)韓國媒體ETNEWS報道，顯示面板大廠三星Display在針對中國顯示面板大廠京東方（BOE）提起的侵犯商業(yè)秘密的美國訴訟中獲得了勝利，京東方的OLED產(chǎn)品將被禁售。

發(fā)表于：7/16/2025

CPC2501M固態(tài)繼電器集成電路，集成了用于可視門鈴的鈴聲旁路功能

伊利諾伊州羅斯蒙特，2025年7月15日--Littelfuse公司（納斯達克股票代碼：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。

發(fā)表于：7/16/2025

傳英偉達今年將在AI產(chǎn)品中部署80萬個SOCAMM內(nèi)存模塊

7月16日近日，ETNews 報道稱，下一代低功耗內(nèi)存模塊 “SOCAMM” 市場已全面開啟，英偉達計劃在今年為其 AI 產(chǎn)品部署 60 至 80 萬個 SOCAMM 內(nèi)存模塊。該產(chǎn)品甚至被業(yè)內(nèi)稱為 “第二代 HBM”，隨著其在 AI 服務(wù)器和 PC 中的應(yīng)用逐步增長，其大規(guī)模出貨預(yù)計將對內(nèi)存和 PCB 電路板市場產(chǎn)生積極影響。

發(fā)表于：7/16/2025

英特爾已跌出前十大半導(dǎo)體公司

7月11日消息，據(jù)oregonlive報道，近日，英特爾CEO陳立武（Lip-Bu Tan）在公司內(nèi)部發(fā)表講話，他不認為英特爾是領(lǐng)先的芯片公司之一，因為英特爾已經(jīng)跌出了全球前十大半導(dǎo)體廠商，目前面臨嚴峻的技術(shù)和財務(wù)挑戰(zhàn)的英特爾正在大規(guī)模裁員。

發(fā)表于：7/14/2025

LG電子啟動混合鍵合設(shè)備開發(fā)追逐未來HBM內(nèi)存制造關(guān)鍵技術(shù)

7 月 13 日消息，韓媒 SEDaily 今日報道稱，LG 電子下屬的生產(chǎn)技術(shù)研究所 (PTI) 已啟動混合鍵合設(shè)備開發(fā)，目標在 2028 年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。混合鍵合未來將毫無疑問地成為 16+ 層堆疊 HBM 內(nèi)存堆棧構(gòu)建的關(guān)鍵技術(shù)，其采用無凸塊的銅-銅鍵合，縮小各層 DRAM Die 間距，能在有限的高度內(nèi)實現(xiàn)更高層數(shù)堆疊，且具備更低發(fā)熱。目標。

發(fā)表于：7/14/2025