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工業(yè)自動(dòng)化最新文章

是德科技推出先进的14-bit精密示波器

是德科技推出先进的14-bit精密示波器，适用于各种普遍的应用场景 • 14-bit 模数转换器 (ADC) 示波器相比于其他的通用示波器而言，信号分辨率是其四倍以上，而本底噪声不到后者的一半 • 仪器采用定制的专用集成电路和深度内存架构，可提供快速、准确的测量结果 • 可提供在设计调试期间内识别小幅度和罕见信号故障所需的精度和准确性，加快产品上市时间

發(fā)表于：2024/9/4

Optimality在多个场景的时域仿真中高效性的深度研究

随着产品的速率及复杂性越来越高，针对仿真而言，除了要求仿真本身具有非常高的精度外，还对仿真的效率提出了很高的要求。具体到不同的信号模块，如DDR系统或者高速串行信号上，基于速率越来越高，越来越希望仿真给能出“最优解”的配置，例如DDR5颗粒的ODT的最优配置，高速信号芯片的加重均衡的最优配置等参数。那么如何在成百上千种组合的参数中选择相对最优的参数呢？传统的软件只能通过大量的扫描来进行筛选，在仿真时间和工程师的精力两方面都有比较大的耗费。使用Optimality软件，通过分享一些具体的仿真案例，展现软件的智能性，帮助使用者更快速挑选出最优的参数，使DDR及高速串行的仿真工作变得更加轻松，充分体现出Optimality软件的高效性。

發(fā)表于：2024/9/4

Virtuoso iQuantus Insight及Quantus Insight流程在FINFET先进工艺项目中加速后仿迭代的应用

随着工艺演进，尺寸进一步缩小带来了更多寄生通路和更大的寄生电阻，后仿结果和前仿相去甚远。如何快速缩小前后仿之间的差距成为重要课题。传统设计中只能通过Quantus Extracted View相对直观地对寄生进行分析，无法更详细地进行分析，这成为设计者们面临的艰巨挑战。同时，后仿发现问题，只能通过“修改电路-版图迭代-再次后仿”反复优化，迭代周期长，如何降低时间成本成为各公司关注的重点。Virtuoso iQuantus Insight （ViQI）/Quantus Insight （QI）可基于寄生网表文件进行寄生分析及结果可视化。工程师可借此对寄生进行准确的分析及假设，无需版图迭代，即可进行设计优化。讨论了如何通过ViQI/QI工具在FINFET先进工艺项目中实现快速的后仿迭代，大幅提高工作效率。

發(fā)表于：2024/9/4

Conformal ECO寄存器新增的扫描链自动化接入方案

随着芯片规模的增加，ECO的需求和大小也随之增加，其中当新增寄存器数量达到百位量级时，人工接入扫描链难度也将急剧上升。基于Cadence的Conformal和Innovus等工具，在综合考量逻辑正确性和中后端物理实现可行性的基础上，采用归一思路下的“S”型连线和room值下的再分组等方法，实现了上述问题的自动化和高效化解决，在逻辑上确保了时钟域一致性等问题，物理上同时兼顾了布局布线优化和最大扫描链长度。并且其自动化的高效性，在项目实践中能够快速完成上百数量寄存器的扫描链接入。

發(fā)表于：2024/9/4

SEMI硅光子产业联盟成立

SEMI硅光子产业联盟成立，台积电及日月光等30多家企业加入

發(fā)表于：2024/9/4

日本携手英特尔建先进半导体研发中心

日本携手英特尔建先进半导体研发中心，将配备EUV光刻机

發(fā)表于：2024/9/4

2023年中国CAD市场达54.8亿元同比增长12.8%

IDC：2023 年中国 CAD 市场达 54.8 亿元同比增长 12.8%，达索系统、西门子、欧特克三巨头份额均下滑

發(fā)表于：2024/9/4

忆恒创源发布基于平头哥主控的PCIe 5.0 SSD

9月3日消息，在ODCC大会上，国内知名企业级PCIe SSD产品和解决方案供应商忆恒创源，正式发布了国产PCIe 5.0企业级NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。这款SSD基于阿里平头哥的镇岳510 NVMe主控芯片和长江存储闪存颗粒打造，率先实现了4K随机写100万IOPS的突破，可为AI、数据库、云计算、虚拟化等应用带来强劲的加速能力。

發(fā)表于：2024/9/4

我国超高纯石墨领域取得重大突破

99.99995%以上纯度！我国超高纯石墨领域取得重大突破锂电池/半导体必用材料

發(fā)表于：2024/9/4

消息称LG Display连连亏损大规模裁员

消息称LG Display连连亏损大规模裁员，已有1400人自愿退休

發(fā)表于：2024/9/4

消息称美国司法部已对英伟达在AI领域主导地位升级反垄断调查

消息称美国司法部已对英伟达在 AI 领域主导地位升级反垄断调查

發(fā)表于：2024/9/4

意法半导体正式宣布入股RISC-V公司Quintauris GmbH

意法半导体加入高通/恩智浦/博世/英飞凌/Nordic的RISC-V合资公司

發(fā)表于：2024/9/4

消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺

消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺

發(fā)表于：2024/9/4

消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化

消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化 9 月 3 日消息，韩媒 etnews 当地时间昨日报道称，三星电子和 SK 海力士的“类 HBM 式”堆叠结构移动内存产品将在 2026 年后实现商业化。消息人士表示这两大韩国内存巨头将堆叠式移动内存视为未来重要收入来源，计划将“类 HBM 内存”扩展到智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，为端侧 AI 提供动力。综合IT之家此前报道，三星电子的此类产品叫做 LP Wide I/O 内存，SK 海力士则将这方面技术称为 VFO。两家企业使用了大致相同的技术路线，即将扇出封装和垂直通道结合在一起。三星电子的 LP Wide I/O 内存位宽达 512bit，是现有 LPDDR 内存的 8 倍，较传统引线键合拥有 8 倍 I/O 密度和 2.6 倍的 I/O 带宽。该内存将于 2025 年一季度技术就绪，2025 下半年至 2026 年中量产就绪。

發(fā)表于：2024/9/3

我国首次突破沟槽型碳化硅MOSFET芯片制造技术

9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。项目背景碳化硅是第三代半导体材料的主要代表之一，具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和迁移速率和高导热率等优良特性。碳化硅 MOS 主要有平面结构和沟槽结构两种结构，目前业内应用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片为主。平面碳化硅 MOS 结构的特点是工艺简单，元胞一致性较好、雪崩能量比较高；缺点是当电流被限制在靠近 P 体区域的狭窄 N 区中，流过时会产生 JFET 效应，增加通态电阻，且寄生电容较大。

發(fā)表于：2024/9/3

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