中文引用格式: 李祉怡,孫航,丁學偉,等. Virtuoso iQuantus Insight及Quantus Insight流程在FINFET先進工藝項目中加速后仿迭代的應用[J]. 電子技術(shù)應用,2024,50(8):26-31.
英文引用格式: Li Zhiyi,Sun Hang,Ding Xuewei,et al. Application of Virtuoso iQuantus Insight and Quantus Insight Flow on FINFET advance processes to accelerate post-simulation iteration[J]. Application of Electronic Technique,2024,50(8):26-31.
引言
半導體技術(shù)不斷發(fā)展,隨著集成度的提高,工藝節(jié)點不斷縮小,越來越多的設(shè)計進入了7 nm、5 nm甚至更低的節(jié)點,制造難度的成倍增長導致設(shè)計規(guī)則檢查(Design Rule Chek, DRC)越發(fā)復雜,寄生效應對集成電路設(shè)計性能的影響日益深遠。為考慮寄生效應對性能的影響,電路工程師會在設(shè)計中加上預設(shè)的寄生電阻電容進行前仿驗證。然而版圖中復雜的寄生通路使得從版圖設(shè)計提取得到的寄生網(wǎng)表中包含大量寄生RC參數(shù),這些寄生RC與電路中預設(shè)的值往往存在不小的差距,復雜的寄生RC網(wǎng)絡(luò)使版圖設(shè)計后仿真的性能結(jié)果無法達到電路前仿預期的結(jié)果。
基于這一現(xiàn)狀,在從模擬電路設(shè)計到最終的設(shè)計交付過程中(如圖1所示),需要進行多次迭代,根據(jù)版圖設(shè)計后仿結(jié)果與電路設(shè)計前仿預期之間的差異,不斷修改電路設(shè)計、調(diào)整版圖并再次進行后仿,以逐步縮小前后仿差異,最終得到滿足性能要求的設(shè)計。
圖1 模擬電路設(shè)計流程圖
從圖1中可見,當后仿真得到的性能指標不滿足預期時,需要對版圖進行修改或者對電路設(shè)計進行修改,在這一步修改過程中,分析寄生網(wǎng)表中的寄生電阻電容數(shù)值能夠為修改提供指導,對寄生電阻電容的分析越清晰,電路及版圖設(shè)計的迭代修改就更加有的放矢,迭代效率更高。因此如何對版圖寄生網(wǎng)表進行分析以快速定位問題在集成電路設(shè)計迭代過程中至關(guān)重要。
本文將討論如何使用Cadence公司的Virtuoso iQuantus Insight (ViQI)/Quantus Insight (QI)工具對版圖寄生網(wǎng)表中的寄生電阻、寄生電容進行分析,直觀地查看關(guān)鍵信號路徑上的寄生數(shù)值是否滿足預期,了解寄生電阻、電容在各金屬層的分布情況并在版圖中對應位置上顯示,幫助設(shè)計師快速找到薄弱點,同時可通過寄生假設(shè)(What-if)功能對薄弱點寄生進行修改,確保電路設(shè)計及版圖設(shè)計可進行針對性的快速迭代。
本文詳細內(nèi)容請下載:
http://ihrv.cn/resource/share/2000006117
作者信息:
李祉怡1,2,孫航1,2,丁學偉1,2,張慧麗3,曾義3
(1.深圳市中興微電子技術(shù)有限公司,廣東 深圳 518055;
2.移動網(wǎng)絡(luò)和移動多媒體技術(shù)國家重點實驗室,廣東 深圳 518055;
3.上??请娮涌萍加邢薰?,上海200120)