2 月 18 日消息，據(jù) TheElec 報(bào)道，三星芯片部門的負(fù)責(zé)人上周親自前往美國英偉達(dá)總部進(jìn)行訪問。此次訪問的目的是向英偉達(dá)展示三星最新研發(fā)的 1b 

DRAM 芯片樣品，該芯片主要用于高帶寬內(nèi)存（HBM）。

消息人士透露，英偉達(dá)曾在去年要求三星改進(jìn)其 1b DRAM 的設(shè)計(jì)，此次展示的樣品正是基于英偉達(dá)的要求而改進(jìn)后的成果。通常情況下，三星設(shè)備解決方案（DS）部門的負(fù)責(zé)人親自向客戶展示樣品的情況較為罕見。

IT之家注意到，三星在去年曾計(jì)劃使用 1b DRAM 生產(chǎn) HBM，但遭遇了良品率和過熱問題。該 DRAM 屬于第五代 10 納米產(chǎn)品，主要用于 HBM3E。由于面臨上述問題，三星曾計(jì)劃改用 1a DRAM（1b DRAM 的前代產(chǎn)品）來生產(chǎn) HBM3E 8H 和 12H，并計(jì)劃跳過 1b DRAM，直接使用 1c DRAM 生產(chǎn) HBM4。然而，由于英偉達(dá)堅(jiān)持要求使用 1b DRAM，三星不得不重新調(diào)整計(jì)劃。此次三星副董事長兼 DS 部門負(fù)責(zé)人 Young Hyun Jun 的訪問，很可能是為了確保三星能夠贏得英偉達(dá)的 HBM3E 訂單。

目前，三星的競爭對手 SK 海力士已經(jīng)向英偉達(dá)供應(yīng)采用 1b DRAM 生產(chǎn)的 HBM3E 12H，美光也預(yù)計(jì)將在近期開始生產(chǎn)面向英偉達(dá)的人工智能加速器所需的 HBM。

上個(gè)月，三星曾表示其“改進(jìn)版”HBM3E 的準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，并計(jì)劃于今年第二季度正式量產(chǎn)并供貨。Young Hyun Jun 不僅是 DS 部門的負(fù)責(zé)人，還兼任該部門下的內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人，他作為 DRAM 領(lǐng)域的專家，被認(rèn)為主導(dǎo)了 1b DRAM 的設(shè)計(jì)改進(jìn)工作。

在 1 月份的 CES 展會上，英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛曾表示，三星需要重新設(shè)計(jì)其 HBM，以通過英偉達(dá)的資格認(rèn)證。