12月9日消息，根據(jù)韓國媒體BusinessKorea報(bào)道稱，三星電子在其半導(dǎo)體研究所中已經(jīng)成功完成了突破性400層堆疊NAND Flash閃存技術(shù)的開發(fā)。同時(shí)，三星也自上個(gè)月開始，將這項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)轉(zhuǎn)移到其平澤園區(qū)一號(hào)工廠中大規(guī)模生產(chǎn)線。而這一重要的里程碑的達(dá)成，將使得三星處于NAND Flash技術(shù)的領(lǐng)先位置，將有望領(lǐng)先已經(jīng)宣布計(jì)劃量產(chǎn)321層NAND Flash的SK海力士。

此前的消息顯示，三星電子計(jì)劃于2025年2月在美國舉行的2025年國際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC）上詳細(xì)介紹其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash閃存，并且預(yù)計(jì)將于2025年下半年正式開始量產(chǎn)。不過，一些市場(chǎng)專家預(yù)測(cè)，如果加快進(jìn)程，大量生產(chǎn)的階段可能會(huì)在明年第二季結(jié)束時(shí)開始。

除了400層NAND Flash閃存之外，三星電子2025年增加其先進(jìn)內(nèi)存產(chǎn)品線的產(chǎn)量。其中，三星電子計(jì)劃在平澤園區(qū)安裝新第9代（286層堆疊）的NAND Flash閃存生產(chǎn)設(shè)施，月產(chǎn)能為30,000至40,000片晶圓。此外，在中國西安工廠，三星將繼續(xù)將128層堆疊（V6）NAND Flash閃存生產(chǎn)線，轉(zhuǎn)換為236層堆疊（V8）NAND Flash閃存產(chǎn)品制程。

報(bào)道指出，三星電子400層堆疊NAND Flash閃存的開發(fā)代表了相關(guān)技術(shù)的重大進(jìn)步。三星電子早在2013年就推出的3D NAND Flash閃存，提升了容量與讀取速率之后，隨著最新的400層堆疊TLC NAND Flash閃存的開發(fā)完成，顯示哲該公司在相關(guān)技術(shù)上的顯著進(jìn)步。

三星電子目前在全球NAND Flash閃存市場(chǎng)市占率取得領(lǐng)先的位置，市占率為36.9%。不過，SK海力士率先在2023年量產(chǎn)238層堆疊的NAND Flash閃存，最近又宣布計(jì)劃量產(chǎn)321層堆疊的NAND Flash閃存，帶給三星很大壓力。

NAND Flash閃存市場(chǎng)近期受到多種因素的影響，包括消費(fèi)者需求、定價(jià)趨勢(shì)，以及人工智能（AI）和數(shù)據(jù)中心等數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的興起，在數(shù)據(jù)中心用NAND Flash的銷售量不斷增加情況下，市場(chǎng)需求逐漸加溫。然而，11月128Gb MLC的產(chǎn)品近期的交易價(jià)格下降了29.8%，均價(jià)為2.16美元。根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce的分析，雖然2024年第四季NAND Flash價(jià)格預(yù)計(jì)下跌了3-8%，但企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）仍預(yù)計(jì)將上漲了5%。

報(bào)道強(qiáng)調(diào)，在三星電子準(zhǔn)備大規(guī)模生產(chǎn)400層堆疊TLC NAND Flash閃存的同時(shí)，該公司也專注于優(yōu)化晶圓良率。目前NAND Flash研發(fā)階段的良率為10-20%。該技術(shù)成功轉(zhuǎn)移到生產(chǎn)線后，練綠的持續(xù)提升對(duì)于達(dá)成更高的產(chǎn)量和滿足市場(chǎng)需求將成為重要關(guān)鍵。