9月4日，在臺北舉行的“Semicon Taiwan 2024”展會上，三星電子存儲器事業(yè)本部部長李正培（Jung-Bae Lee）作為主題演講嘉賓，介紹了三星的HBM優(yōu)勢。

李正培表示，目前AI時代遇三大挑戰(zhàn)，即能耗、因內(nèi)存帶寬限制帶來的AI性能限制，以及儲存容量限制。由于帶寬和內(nèi)存容量需求增加，目前的HBM構(gòu)架已經(jīng)無法滿足需求，加上HBM能耗較高，即數(shù)據(jù)傳輸與GPU間的能耗較高，因此三星將推出新的HBM構(gòu)架，以減少當中傳輸。

三星提出的新的解決方案與SK海力士一樣，雖然HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基礎(chǔ)裸片（Base Die），采用2.5D 系統(tǒng)級封裝，但是到HBM4都計劃將DRAM Base Die 改成Logic Base Die，以及3D封裝，以推動性能和能效進一步提升。

具體來說，這個Logic Base die是連接AI加速器內(nèi)部圖形處理單元（GPU）和DRAM的必備組件，位于DRAM的底部，主要充當GPU和內(nèi)存之間的一種控制器，并且這個Logic Base Die與之前的Base Die不同，它可以讓客戶自行設(shè)計，可以加入客戶自己的IP，有利于HBM實現(xiàn)定制化，從而讓數(shù)據(jù)處理更為高效。預計可以將功耗大幅降低至之前的30%。

三星在HBM4以前的DRAM制程Base Die，都是由自家內(nèi)存部門負責制造，但隨著下一代的HBM4的Base Die轉(zhuǎn)向 Logic Base Die，這部分則將交由邏輯制程晶圓代工廠制造，三星存儲部門則負責制造核心的DRAM Die，因此未來內(nèi)存制造商和晶圓代工業(yè)者與客戶的合作關(guān)系越來越緊密。

李正培表示，“僅靠現(xiàn)有的存儲器工藝來提高HBM的性能是有限的，必須結(jié)合邏輯制程才能最大限度地提高 HBM 性能?！辈贿^，這個Logic Base Die的制造并不會限制客戶交由三星設(shè)計（幫助客戶加入客戶自己的IP或者選擇三星提供的IP）或一定要使用三星晶圓代工廠來代工，客戶可以自由選擇。

但是，李正培也指出，三星在生產(chǎn)定制 HBM 方面具有優(yōu)勢，因為三星同時擁有半導體設(shè)計和晶圓代工能力，并且在市場上擁有強大的地位。

另外，三星也將推進新的HBM封裝技術(shù)，將通過HCB連接技術(shù)，使堆疊增加30%、熱阻（thermal resistance）減少20%，再通過3D封裝實現(xiàn)更大帶寬、更大容量、能耗更少。比如Logic Base Die和內(nèi)存之間的帶寬可以達到70.5TB/s。

最后，李正培強調(diào)，三星可以一次性完成從Logic Base Die設(shè)計、代工制造、封裝的所有工作，可以提供一站式的服務。也可以與很多生態(tài)系伙伴共同合作，滿足客戶不同需求，可使用不同伙伴的設(shè)計和服務。

相比之下，SK海力士在邏輯制程的能力上存在一定的欠缺，為了解決這一問題，SK海力士也計劃和臺積電進行合作。雖然此前SK海力士自己制造Base Die，但從第6代的HBM4開始，將會委托臺積電生產(chǎn)Logic Base Die，以進一步提升效率。