頭條 FTC要求新思科技與Ansys剝離部分資產(chǎn) 5 月 29 日消息，美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)（FTC）于當(dāng)?shù)貢r(shí)間 5 月 28 日宣布，為解決半導(dǎo)體IP 供應(yīng)商和 EDA 軟件提供商新思科技（Synopsys）與工業(yè)軟件公司 Ansys 價(jià)值 350 億美元合并案中的反壟斷問(wèn)題，將要求雙方剝離部分資產(chǎn)。 最新資訊 三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片 據(jù)報(bào)道，三星將在即將到來(lái)的 2024 年 IEEE 國(guó)際固態(tài)電路峰會(huì)上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。 消息稱(chēng)三星將發(fā)布超高速 32Gb DDR5 內(nèi)存芯片，容量翻倍且更省電 發(fā)表于：2/5/2024 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)準(zhǔn)備自己造HBM內(nèi)存 據(jù)媒體報(bào)道，中國(guó)領(lǐng)先的存儲(chǔ)企業(yè)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ) ( CXMT ) 已經(jīng)開(kāi)始準(zhǔn)備必要設(shè)備，計(jì)劃制造自己的 HBM 高帶寬內(nèi)存，以滿(mǎn)足迫切的 AI、HPC 應(yīng)用需求。 發(fā)表于：2/5/2024 SK海力士宣布2026年量產(chǎn)HBM4 據(jù)媒體報(bào)道，SK海力士表示，生成式AI市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年35%的速度增長(zhǎng)，而SK海力士有望在2026年大規(guī)模生產(chǎn)下一代HBM4。 據(jù)了解，HBM類(lèi)產(chǎn)品前后經(jīng)過(guò)了HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的開(kāi)發(fā)，其中HBM3E是HBM3的擴(kuò)展（Extended）版本，而HBM4將是第六代產(chǎn)品。 發(fā)表于：2/5/2024 華為全年研發(fā)投入1621億元 華為全年研發(fā)投入1621億元！中國(guó)第一 世界第五 發(fā)表于：2/5/2024 聯(lián)發(fā)科將以更實(shí)惠的價(jià)格為三星提供芯片 傳聞聯(lián)發(fā)科將以更實(shí)惠的價(jià)格為三星提供芯片，但旗艦系列不大可能采用天璣9400 發(fā)表于：2/5/2024 SpaceX發(fā)布星艦超級(jí)重型助推器照片 SpaceX發(fā)布星艦超級(jí)重型助推器照片，本月或進(jìn)行第三次試飛 發(fā)表于：2/5/2024 晶體管成本10年前已停止下降 摩爾定律定格 28nm 英偉達(dá)首席執(zhí)行官黃仁勛近年來(lái)多次在公開(kāi)場(chǎng)合表示，“摩爾定律已死”。雖然英特爾和 AMD 高管持不同觀(guān)點(diǎn)，但谷歌近日公布的一份報(bào)告，再次佐證了黃仁勛的觀(guān)點(diǎn)。 摩爾定律是英特爾創(chuàng)始人之一戈登?摩爾的經(jīng)驗(yàn)之談，其核心內(nèi)容為：集成電路上可以容納的晶體管數(shù)目在大約每經(jīng)過(guò) 18 個(gè)月到 24 個(gè)月便會(huì)增加一倍。換言之，處理器的性能大約每?jī)赡攴槐叮瑫r(shí)價(jià)格下降為之前的一半。 1 億柵極晶體管自 2014 年 28nm 以來(lái)成本陷入停滯，并未下降 發(fā)表于：2/4/2024 龍芯3C6000 服務(wù)器芯片正式交付流片 據(jù)龍芯中科官網(wǎng)公布的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表，龍芯 3C6000 目前已經(jīng)交付流片。 龍芯中科提到，龍芯 3C6000 芯片的 IO 接口相比當(dāng)前服務(wù)器產(chǎn)品 3C5000 進(jìn)行了大幅度的改進(jìn)和優(yōu)化 ，采用龍鏈技術(shù)實(shí)現(xiàn)了“片間互聯(lián)”，解決了處理器核數(shù)量擴(kuò)展上的瓶頸，未來(lái)公司服務(wù)器在 3C6000 基礎(chǔ)上還會(huì)封成 32 核和 64 核的產(chǎn)品推出。 發(fā)表于：2/4/2024 Meta第二代自研AI芯投產(chǎn) Meta第二代自研AI芯投產(chǎn)，擺脫英偉達(dá)依賴(lài)！為買(mǎi)H100小扎狂砸數(shù)百億美元 發(fā)表于：2/4/2024 江波龍首顆自研2D MLC NAND Flash閃存發(fā)布 日前，繼自研SLC NAND Flash系列產(chǎn)品規(guī)模化量產(chǎn)后，江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash正式發(fā)布。 該產(chǎn)品采用BGA132封裝，支持Toggle DDR模式，數(shù)據(jù)訪(fǎng)問(wèn)帶寬可達(dá)400MB/s，將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。 發(fā)表于：2/2/2024 ?…177178179180181182183184185186…?
