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東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

東京大學(xué)研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料

6月29日消息，據(jù)scitechdaily報(bào)道，在2025 年 VLSI 技術(shù)和電路研討會(huì)上，東京大學(xué)工業(yè)科學(xué)研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過(guò)InGaOx的選擇性結(jié)晶實(shí)現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導(dǎo)體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數(shù)據(jù)領(lǐng)域應(yīng)用的性能，并在后硅時(shí)代延續(xù)摩爾定律的生命力。

三星：考慮將MUF技術(shù)應(yīng)用于服務(wù)器 DRAM 內(nèi)存

據(jù) TheElec，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應(yīng)用模壓填充（MUF）技術(shù)。三星最近測(cè)試了一種用于 3D 堆棧 (3DS) 內(nèi)存的 MR MUF 工藝，與 TC NCF 相其吞吐量有所提升，但物理特性卻出現(xiàn)了一定惡化。經(jīng)過(guò)測(cè)試，該公司得出結(jié)論，MUF 不適用于高帶寬內(nèi)存 (HBM)，但非常適合 3DS RDIMM，而目前 3DS RDIMM 使用硅通孔 (TSV) 技術(shù)制造，主要用于服務(wù)器。 MUF 是一種在半導(dǎo)體上打上數(shù)千個(gè)微小的孔，然后將上下層半導(dǎo)體連接的 TSV 工藝后，注入到半導(dǎo)體之間的材料，它的作用是將垂直堆疊的多個(gè)半導(dǎo)體牢固地固定并連接起來(lái)。

發(fā)表于：3/4/2024

AMD：無(wú)法兼容Intel Wi-Fi 7網(wǎng)卡

Intel 近日發(fā)布了新版 Wi-Fi 7 無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，增加新功能，修復(fù)已知 Bug，但遺憾的是，依然和 AMD 系統(tǒng)不對(duì)付。新驅(qū)動(dòng)在 Windows 10/11 64 位下版本號(hào)為 23.30.0，Windows 10 32 位下版本號(hào)為 22.160.0。

發(fā)表于：3/4/2024

三星SDI敲定匈牙利第三工廠計(jì)劃

據(jù) TheElec，三星 SDI 已最終敲定了在匈牙利建造第三座電池工廠的投資計(jì)劃。三星 SDI 正在擴(kuò)建現(xiàn)有的匈牙利第二工廠，預(yù)計(jì)將在 9 月竣工。消息人士稱，該公司預(yù)計(jì)今年將在整體設(shè)施擴(kuò)建上花費(fèi)超過(guò) 6 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 324 億元人民幣），其中超過(guò) 1 萬(wàn)億韓元（當(dāng)前約 54 億元人民幣）將用于建設(shè)第三工廠。據(jù)稱，三星 SDI 還將從菲律賓招募工人到匈牙利工作。

發(fā)表于：3/4/2024

多通道優(yōu)先級(jí)放大器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

　　圖1所示的模擬優(yōu)先級(jí)放大器最初是作為多輸出電源的一部分進(jìn)行設(shè)計(jì)，其中穩(wěn)壓操作基于最高優(yōu)先級(jí)通道的電壓。該放大器的另一個(gè)應(yīng)用是帶電子節(jié)氣門控制的引擎控制系統(tǒng)，其中引擎需要對(duì)多個(gè)輸入命令中優(yōu)先級(jí)最高的一個(gè)作出響應(yīng)。

發(fā)表于：3/1/2024

貿(mào)澤聯(lián)手Würth Elektronik推出全新電子書

　　2024年2月26日 – 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）與Würth Elektronik聯(lián)手推出全新電子書，匯聚了八位專家針對(duì)物聯(lián)網(wǎng) （IoT）技術(shù)與設(shè)備相關(guān)應(yīng)用的討論。

發(fā)表于：2/29/2024

全球首款“彈性”rSIM助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備“永遠(yuǎn)在線”

助力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備“永遠(yuǎn)在線”——全球首款“彈性”rSIM如何實(shí)現(xiàn)？全球首款可自動(dòng)切換網(wǎng)絡(luò)的“彈性”rSIM問世！再也不怕物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備掉線！

發(fā)表于：2/29/2024

消息稱三星背面供電芯片測(cè)試結(jié)果良好

據(jù)韓媒 Chosunbiz 報(bào)道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）芯片測(cè)試中獲得了好于預(yù)期的成果，有望提前導(dǎo)入未來(lái)制程節(jié)點(diǎn)。傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來(lái)越混亂，對(duì)設(shè)計(jì)與制造形成干擾。 BSPDN 技術(shù)將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡(jiǎn)化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對(duì)信號(hào)的干擾，最終可降低平臺(tái)整體電壓與功耗。對(duì)于三星而言，還特別有助于移動(dòng)端 SoC 的小型化。

發(fā)表于：2/29/2024

美光推出緊湊封裝型UFS 4.0

美光宣布開始送樣增強(qiáng)版通用閃存（UFS） 4.0 移動(dòng)解決方案，該方案具有突破性專有固件功能并采用業(yè)界領(lǐng)先的緊湊型 UFS 封裝 ( 9 x 13mm ) 。新款內(nèi)存基于先進(jìn)的 232 層 3D NAND 技術(shù)，美光 UFS 4.0 解決方案可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 1TB 容量，其卓越性能和端到端技術(shù)創(chuàng)新將助力旗艦智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)更快的響應(yīng)速度和更靈敏的使用體驗(yàn)。

發(fā)表于：2/29/2024

淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

淺談因電遷移引發(fā)的半導(dǎo)體失效

發(fā)表于：2/28/2024

TI裁掉低端電源芯片研發(fā)團(tuán)隊(duì)

據(jù)“芯視點(diǎn)”可靠消息，TI于最近裁掉了其其位于北京的一個(gè)芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。據(jù)了解，TI這個(gè)北京團(tuán)隊(duì)主要負(fù)責(zé)較為低端的電源芯片研發(fā)，團(tuán)隊(duì)人數(shù)約為50人左右。知情人士表示，TI這個(gè)裁員一方面可能受到整個(gè)消費(fèi)端市場(chǎng)需求不振的影響；另一方面，國(guó)內(nèi)包括電源芯片在內(nèi)的內(nèi)卷，也推動(dòng)TI做出了這樣的決定；此外，當(dāng)前中美關(guān)系的影響，讓TI最終走上了這樣一條道路。

發(fā)表于：2/28/2024