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解決方案

一起来说说步进电机[嵌入式技术][工业自动化]

步进电机是将电脉冲信号转变为角位移或线位移的开环控制电机，是现代数字程序控制系统中的主要执行元件，应用极为广泛。。在非超载的情况下，电机的转速、停止的位置只取决于脉冲信号的频率和脉冲数，而不受负载变化的影响，当步进驱动器接收到一个脉冲信号，它就驱动步进电机按设定的方向转动一个固定的角度，称为“步距角”，它的旋转是以固定的角度一步一步运行的。可以通过控制脉冲个数来控制角位移量，从而达到准确定位的目的；同时可以通过控制脉冲频率来控制电机转动的速度和加速度，从而达到调速的目的。

發(fā)表于：2017/10/27 下午2:03:00

mos管和三极管相比优缺点?[模拟设计][汽车电子]

场效应管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻. 而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错; 总体而言,我觉得场效应管的分析要比三极管简单一些.

發(fā)表于：2017/10/16 下午3:10:09

IGBT模块工作原理以及检测方法[模拟设计][汽车电子]

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

發(fā)表于：2017/10/16 下午2:43:51

双极性晶体管[模拟设计][其他]

因为BJT有三个电极，所以存在相应的三个不同的击穿电压值：BVcbo，BVceo和BVebo；这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流（Icbo，Iceo和Iebo）分别急剧增大时的电压。

發(fā)表于：2017/10/16 下午2:03:42

晶体管是怎样制造出来的[模拟设计][其他]

晶体管是二极管、三极管、场效应管等元器件的统称。它是一种用来对电路信号进行处理的元件，当然电路光有晶体管不行，还得要其他元件配合才能完成一定的电路功能。下面我就来谈谈晶体管的制造过程:

發(fā)表于：2017/10/16 下午1:52:45

CMOS管和双极晶体管的区别（JFET类型）[模拟设计][汽车电子]

即使是夹住氧化膜（O）的金属（M）与半导体（S）的结构（MOS结构），如果在（M）与半导体（S）之间外加电压的话，也可以产生空乏层。再加上较高的电压时，氧华膜下能积蓄电子或空穴，形成反转层。将其作为开关利用的即为MOSFET。

發(fā)表于：2017/10/13 下午3:47:39

MOS管的几种效应[模拟设计][汽车电子]

1 沟道长度调制效应（channel length modulation） MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds，夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大，这种效应称为沟道长度调制效应。

發(fā)表于：2017/10/12 下午2:56:40

MOS管参数解释[模拟设计][其他]

MOSFET管是FET的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管，所以通常提到的就是这两种。

發(fā)表于：2017/10/12 下午2:49:22

MOS管基础知识与应用[模拟设计][汽车电子]

MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

發(fā)表于：2017/10/12 下午2:29:21

MOS管的好坏判断[模拟设计][汽车电子]

主板上基本上都是N沟道的MOS管，一般我们的测量方法如下：黑表笔接D红表笔接S 有500欧姆左右的电阻。然后红黑对调：红笔接D黑笔接S 万用表显示"1"，一般这样我们就可以认为管子是好的。

發(fā)表于：2017/10/12 下午2:15:27