1. 場(chǎng)效應(yīng)管和三極管輸入電阻的差異？
答：1.場(chǎng)效應(yīng)管是單極、三極管是雙極區(qū)別.
2.解決問題方面: 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來求出電流值,然后進(jìn)行模型分析,求出跨導(dǎo)和輸出電阻. 而三極管要先建立模型,然后進(jìn)行電路分析,求解過程特別是計(jì)算很復(fù)雜,容易出錯(cuò); 總體而言,我覺得場(chǎng)效應(yīng)管的分析要比三極管簡(jiǎn)單一些.
3.三極管和場(chǎng)效應(yīng)管的比較可以歸納以下幾點(diǎn): 一、在三極管中,空穴和自由電子都參與導(dǎo)電,稱為雙極型器件,用BJT表示;而場(chǎng)效應(yīng)管只有多子導(dǎo)電,稱為單極型器件,用FET表示.由于多子濃度不受外界溫度、光照、輻射的影響,在環(huán)境變化劇烈的條件下,選用FET比較合適. 這也就是我們通常所說的場(chǎng)效應(yīng)管比較穩(wěn)定的原因. 二、在放大狀態(tài)工作時(shí),三極管發(fā)射結(jié)正偏,有基極電流,為電流控制器件,相應(yīng)的輸入電阻較小,約103Ω;FET在放大狀態(tài)工作時(shí)無柵極電流,為電壓控制器件,輸入電阻很大,JFET的輸入電阻大于107Ω,MOS管的輸入電阻大于109Ω. 三、場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上對(duì)稱,可以互換使用(但應(yīng)注意,有時(shí)廠家已將MOS管的源極與襯底在管內(nèi)已經(jīng)短接,使用時(shí)就不能互換).對(duì)耗盡型MOS管的VGS可正、可負(fù)、可為零,使用時(shí)比較靈活.三極管的集電極和發(fā)射極一般不能互換使用. 四、在低電壓小電流狀態(tài)下工作時(shí),FET可作為壓控可變線性電阻器和導(dǎo)通電阻很小的無觸點(diǎn)電子開關(guān). 五、MOS管工藝簡(jiǎn)單,功耗小,適合于大規(guī)模集成.三極管的增益高,非線性失真小,性能穩(wěn)定.在分立元件電路和中、小規(guī)模集成電路中,三極管仍占優(yōu)勢(shì). 六、三極管的轉(zhuǎn)移特性(ic-vbe的關(guān)系)按指數(shù)規(guī)律變化,場(chǎng)效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性按平方規(guī)律變化,因此場(chǎng)效應(yīng)管的非線性失真比三極管的非線性失真大.七、場(chǎng)效應(yīng)管的三種基本組態(tài)電路(共源、共漏和共柵)可以對(duì)照三極管的共發(fā)、共集和共基電路,由于場(chǎng)效應(yīng)管的柵極無電流,所以輸入電阻R'i≈∞.跨導(dǎo)gm比三極管的小一個(gè)數(shù)量級(jí),gm我們可以用轉(zhuǎn)移特性求導(dǎo)得到
4.三極管可以說是電流控制電流源的器件,而電流是通過輸入電阻的大小來體現(xiàn)的;但場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流源的器件
5.記住四種mos管的特性曲線的方法:只需記住n溝道的emos管的曲線,它的Vgs是大于0的,且曲線呈遞增趨勢(shì)．而p溝道的emos的Vgs是小于0的,且呈現(xiàn)遞減趨勢(shì)．dmos的Vgs既有大于0的部分,又有小于0的部分,按照n溝道遞增,p溝道遞減的曲線特征就可以將dmos的特性曲線記住了 6.1)場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件,而三級(jí)管是電流控制元件; 2)場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱為單極性器件,而三級(jí)管既有多子,也有少子導(dǎo)電,稱之為雙極性器件; 3)場(chǎng)效應(yīng)管靈活性比三級(jí)管好; 4)場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝更適合于集成電路
2．mos管用途？
現(xiàn)有的很多小信號(hào)放大電路都是由晶體管或MOS管的放大電路構(gòu)成，其功率有限，不能把電路的功率做得很大。隨著現(xiàn)代逆變技術(shù)的逐步成熟，尤其是SPWM逆變技術(shù)，使信號(hào)波形能夠很好地在輸出端重現(xiàn)，并且可以做到高電壓，大電流，大功率。SPWM技術(shù)的實(shí)現(xiàn)方法有兩種，一種是采用模擬集成電路完成正弦調(diào)制波與三角波載波的比較，產(chǎn)生SPWM信號(hào)；另一種是采用數(shù)字方法。隨著應(yīng)用的深入和集成技術(shù)的發(fā)展，已商品化的專用集成電路（ASIC）和專用單片機(jī)（8X196/MC/MD/MH）以及DSP，可以使控制電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化，集成度高。由于數(shù)字芯片一般價(jià)格比較高，所以在此采用模擬集成電路。主電路采用全橋逆變結(jié)構(gòu)，SPWM波的產(chǎn)生采用UC3637雙PWM控制芯片，并采用美國IR公司推出的高壓浮動(dòng)驅(qū)動(dòng)集成模塊IR2110，從而減小了裝置的體積，降低了成本，提高了系統(tǒng)的可靠性。經(jīng)本電路放大后，信號(hào)可達(dá)3kV，并保持了良好的輸出波形。