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mos管和三極管相比優(yōu)缺點(diǎn)?[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進(jìn)而根據(jù)漏極電流表達(dá)式來求出電流值,然后進(jìn)行模型分析,求出跨導(dǎo)和輸出電阻. 而三極管要先建立模型,然后進(jìn)行電路分析,求解過程特別是計(jì)算很復(fù)雜,容易出錯(cuò); 總體而言,我覺得場(chǎng)效應(yīng)管的分析要比三極管簡(jiǎn)單一些.

發(fā)表于：10/16/2017

IGBT模塊工作原理以及檢測(cè)方法[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

發(fā)表于：10/16/2017

雙極性晶體管[模擬設(shè)計(jì)][其他]

因?yàn)锽JT有三個(gè)電極，所以存在相應(yīng)的三個(gè)不同的擊穿電壓值：BVcbo，BVceo和BVebo；這三個(gè)擊穿電壓實(shí)際上也就是對(duì)應(yīng)于BJT的三個(gè)反向截止電流（Icbo，Iceo和Iebo）分別急劇增大時(shí)的電壓。

發(fā)表于：10/16/2017

晶體管是怎樣制造出來的[模擬設(shè)計(jì)][其他]

晶體管是二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管等元器件的統(tǒng)稱。它是一種用來對(duì)電路信號(hào)進(jìn)行處理的元件，當(dāng)然電路光有晶體管不行，還得要其他元件配合才能完成一定的電路功能。下面我就來談?wù)劸w管的制造過程:

發(fā)表于：10/16/2017

基于參考信號(hào)接收功率預(yù)測(cè)和負(fù)載的切換算法[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

針對(duì)密集異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)中用戶更容易發(fā)生頻繁切換的問題，提出了一種基于參考信號(hào)接收功率(Reference Signal Received Power，RSRP)預(yù)測(cè)和負(fù)載的自適應(yīng)切換算法，它不僅從用戶的角度考慮了RSRP，而且從網(wǎng)絡(luò)的角度考慮了基站的負(fù)載，同時(shí)還針對(duì)切換過程中用戶的移動(dòng)性和信道的時(shí)變性對(duì)RSRP產(chǎn)生的影響，對(duì)RSRP進(jìn)行預(yù)測(cè)，從而使用戶切換到更加合適的目標(biāo)基站。仿真結(jié)果表明，相比于當(dāng)前的切換算法，所提的切換算法能夠獲得更低的中斷概率和乒乓切換率以及更高的吞吐量。

發(fā)表于：10/16/2017

基于跨平臺(tái)的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的設(shè)計(jì)[嵌入式技術(shù)][數(shù)據(jù)中心]

設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一款實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，是SCADA（數(shù)據(jù)采集與監(jiān)視控制系統(tǒng)）的數(shù)據(jù)核心。在基于國產(chǎn)軟硬件平臺(tái)的基礎(chǔ)上，采用跨平臺(tái)的架構(gòu)設(shè)計(jì)，介紹了實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能及設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)。該實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)采用在共享內(nèi)存中創(chuàng)建多個(gè)隊(duì)列的方式存放輸入和輸出的數(shù)據(jù)，既方便多個(gè)進(jìn)程同時(shí)存取數(shù)據(jù)，又保證了數(shù)據(jù)處理的實(shí)時(shí)性。

發(fā)表于：10/16/2017

CMOS管和雙極晶體管的區(qū)別（JFET類型）[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

即使是夾住氧化膜（O）的金屬（M）與半導(dǎo)體（S）的結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)），如果在（M）與半導(dǎo)體（S）之間外加電壓的話，也可以產(chǎn)生空乏層。再加上較高的電壓時(shí)，氧華膜下能積蓄電子或空穴，形成反轉(zhuǎn)層。將其作為開關(guān)利用的即為MOSFET。

發(fā)表于：10/13/2017

對(duì)消處理技術(shù)在寬帶頻譜感知中的應(yīng)用研究[MEMS|傳感技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

在高斯噪聲背景假設(shè)條件下，能量檢測(cè)的頻譜感知性能最優(yōu)且易于工程實(shí)現(xiàn)，但在非高斯噪聲背景下，其感知性能大大下降甚至無效。針對(duì)這一問題，利用對(duì)消處理方法來提高能量檢測(cè)在非高斯噪聲下的頻譜感知性能，通過將檢測(cè)統(tǒng)計(jì)量與先驗(yàn)背景噪聲進(jìn)行對(duì)消預(yù)處理，在降低噪聲非高斯度的同時(shí)提高了統(tǒng)計(jì)量的信噪比，從而提高了檢測(cè)概率，并進(jìn)一步提高了寬帶頻譜感知性能。利用USRP、GNURADIO和MATLAB設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了頻譜感知平臺(tái)，同時(shí)驗(yàn)證了該算法的可行性。

發(fā)表于：10/13/2017

熱電堆型總輻射傳感器設(shè)計(jì)與溫漂誤差修正[MEMS|傳感技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

總輻射是氣象探測(cè)、太陽能資源利用等領(lǐng)域中的一種重要測(cè)量參數(shù)。針對(duì)環(huán)境溫度會(huì)影響總輻射測(cè)量準(zhǔn)確度的問題，提出了一種基于熱電效應(yīng)的總輻射傳感器設(shè)計(jì)，利用計(jì)算流體動(dòng)力學(xué)方法對(duì)該傳感器探頭進(jìn)行了流-固耦合傳熱分析。設(shè)計(jì)了一種高精度溫度測(cè)量電路，搭建了測(cè)試平臺(tái)，對(duì)-20 ℃~40 ℃范圍的傳感器溫度特性進(jìn)行了測(cè)試，并提出了一種利用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法消除環(huán)境溫度引起的總輻射測(cè)量誤差的方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該熱電堆型總輻射傳感器的讀數(shù)精度可達(dá)2.79%，在氣象探測(cè)、光伏電站等領(lǐng)域具有一定的應(yīng)用潛力。

發(fā)表于：10/13/2017

MOS管的幾種效應(yīng)[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

1 溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)（channel length modulation） MOS晶體管中,柵下溝道預(yù)夾斷后、若繼續(xù)增大Vds，夾斷點(diǎn)會(huì)略向源極方向移動(dòng)。導(dǎo)致夾斷點(diǎn)到源極之間的溝道長(zhǎng)度略有減小，有效溝道電阻也就略有減小，從而使更多電子自源極漂移到夾斷點(diǎn)，導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多,使Id增大，這種效應(yīng)稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。

發(fā)表于：10/12/2017

MOS管參數(shù)解釋[模擬設(shè)計(jì)][其他]

MOSFET管是FET的一種，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應(yīng)用的為增強(qiáng)型的NMOS管和增強(qiáng)型的PMOS管，所以通常提到的就是這兩種。

發(fā)表于：10/12/2017

MOS管基礎(chǔ)知識(shí)與應(yīng)用[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

發(fā)表于：10/12/2017

MOS管的好壞判斷[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

主板上基本上都是N溝道的MOS管，一般我們的測(cè)量方法如下：黑表筆接D紅表筆接S 有500歐姆左右的電阻。然后紅黑對(duì)調(diào)：紅筆接D黑筆接S 萬用表顯示"1"，一般這樣我們就可以認(rèn)為管子是好的。

發(fā)表于：10/12/2017

三極管和MOS管的區(qū)別是什么[模擬設(shè)計(jì)][其他]

實(shí)際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對(duì)的。要真正理解得了解雙極晶體管和MOS晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來工作的，以 npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，

發(fā)表于：10/12/2017

為何IT8300給電源測(cè)試系統(tǒng)提供了最佳方案？[電源技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

電子負(fù)載常用于在電源或其他電能轉(zhuǎn)換設(shè)備的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)試驗(yàn)中，包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器。負(fù)載一般有兩種形式：由功率電阻組成的基礎(chǔ)負(fù)載和使用主動(dòng)電路用以動(dòng)態(tài)模擬負(fù)載變化的電子負(fù)載。負(fù)載常用于老化測(cè)試進(jìn)而確定產(chǎn)品早期故障，作為生產(chǎn)測(cè)試的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。電子負(fù)載常被整合到自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)中。測(cè)試報(bào)告要么被存在本地或者通過電腦接口上傳，這樣測(cè)試數(shù)據(jù)可以被進(jìn)一步處理或用于存檔。

發(fā)表于：10/12/2017