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基于FPGA的LMS自適應(yīng)濾波器設(shè)計[可編程邏輯][數(shù)據(jù)中心]

提出一種基于LMS（Least Mean Square）自適應(yīng)算法的濾波方法，介紹該方法在低頻信號濾波上的應(yīng)用及在FPGA平臺上實現(xiàn)。傳統(tǒng)數(shù)字濾波器FIR、IIR濾波器針對不同的系統(tǒng)和干擾信號，其濾波參數(shù)不固定。因此，在窄帶信號的濾波處理中，傳統(tǒng)濾波器對信號濾波降噪的效果往往受到衰減增益限制。提出的方法先以CORDIC(Coordinate Rotation Digital Computer)算法產(chǎn)生的正弦信號來調(diào)制采樣信號，根據(jù)采樣信號與基準信號誤差使其權(quán)向量沿負梯度方向終止于維納解。該方法在類直流輸入及帶寬窄的情況下仍能有效過濾高頻噪聲，讀取低檢測信號幅值。理論分析和實驗結(jié)果表明,與傳統(tǒng)濾波方法對比，該濾波方法在處理窄帶信號的濾波上更具有優(yōu)勢。

發(fā)表于：10/17/2017

密集WiFi網(wǎng)絡(luò)環(huán)境網(wǎng)絡(luò)分配矢量優(yōu)化與性能分析[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

IEEE 802.11協(xié)議利用RTS/CTS幀交換來設(shè)置設(shè)備的網(wǎng)絡(luò)分配矢量(NAV)?，F(xiàn)有NAV方案未考慮密集部署場景，可能存在誤清除的情況。提出一種簡便可行的可計數(shù)NAV（C-NAV）設(shè)置方案，通過統(tǒng)計NAV設(shè)置信息的個數(shù)并進行實時更新以防止誤清除，從而更有效地利用傳輸機會。對所提C-NAV方案進行了理論分析和仿真驗證，證明在密集部署WiFi場景中，該方案能有效避免現(xiàn)有設(shè)置方案NAV時長浪費和錯誤清除等問題，提升網(wǎng)絡(luò)的整體吞吐量。

發(fā)表于：10/17/2017

mos管和三極管相比優(yōu)缺點?[模擬設(shè)計][汽車電子]

場效應(yīng)管是電壓控制電流源,控制電壓和電流屬于不同的支路,因而電壓的求解一般不難,進而根據(jù)漏極電流表達式來求出電流值,然后進行模型分析,求出跨導(dǎo)和輸出電阻. 而三極管要先建立模型,然后進行電路分析,求解過程特別是計算很復(fù)雜,容易出錯; 總體而言,我覺得場效應(yīng)管的分析要比三極管簡單一些.

發(fā)表于：10/16/2017

IGBT模塊工作原理以及檢測方法[模擬設(shè)計][汽車電子]

IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入極為MOSFET，輸出極為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點，又具有雙極型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來越廣泛的應(yīng)用，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

發(fā)表于：10/16/2017

雙極性晶體管[模擬設(shè)計][其他]

因為BJT有三個電極，所以存在相應(yīng)的三個不同的擊穿電壓值：BVcbo，BVceo和BVebo；這三個擊穿電壓實際上也就是對應(yīng)于BJT的三個反向截止電流（Icbo，Iceo和Iebo）分別急劇增大時的電壓。

發(fā)表于：10/16/2017

晶體管是怎樣制造出來的[模擬設(shè)計][其他]

晶體管是二極管、三極管、場效應(yīng)管等元器件的統(tǒng)稱。它是一種用來對電路信號進行處理的元件，當然電路光有晶體管不行，還得要其他元件配合才能完成一定的電路功能。下面我就來談?wù)劸w管的制造過程:

發(fā)表于：10/16/2017

基于參考信號接收功率預(yù)測和負載的切換算法[通信與網(wǎng)絡(luò)][通信網(wǎng)絡(luò)]

針對密集異構(gòu)網(wǎng)絡(luò)中用戶更容易發(fā)生頻繁切換的問題，提出了一種基于參考信號接收功率(Reference Signal Received Power，RSRP)預(yù)測和負載的自適應(yīng)切換算法，它不僅從用戶的角度考慮了RSRP，而且從網(wǎng)絡(luò)的角度考慮了基站的負載，同時還針對切換過程中用戶的移動性和信道的時變性對RSRP產(chǎn)生的影響，對RSRP進行預(yù)測，從而使用戶切換到更加合適的目標基站。仿真結(jié)果表明，相比于當前的切換算法，所提的切換算法能夠獲得更低的中斷概率和乒乓切換率以及更高的吞吐量。

發(fā)表于：10/16/2017

基于跨平臺的實時數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的設(shè)計[嵌入式技術(shù)][數(shù)據(jù)中心]

設(shè)計實現(xiàn)了一款實時數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，是SCADA（數(shù)據(jù)采集與監(jiān)視控制系統(tǒng)）的數(shù)據(jù)核心。在基于國產(chǎn)軟硬件平臺的基礎(chǔ)上，采用跨平臺的架構(gòu)設(shè)計，介紹了實時數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的功能及設(shè)計實現(xiàn)。該實時數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)采用在共享內(nèi)存中創(chuàng)建多個隊列的方式存放輸入和輸出的數(shù)據(jù)，既方便多個進程同時存取數(shù)據(jù)，又保證了數(shù)據(jù)處理的實時性。

發(fā)表于：10/16/2017

CMOS管和雙極晶體管的區(qū)別（JFET類型）[模擬設(shè)計][汽車電子]

即使是夾住氧化膜（O）的金屬（M）與半導(dǎo)體（S）的結(jié)構(gòu)（MOS結(jié)構(gòu)），如果在（M）與半導(dǎo)體（S）之間外加電壓的話，也可以產(chǎn)生空乏層。再加上較高的電壓時，氧華膜下能積蓄電子或空穴，形成反轉(zhuǎn)層。將其作為開關(guān)利用的即為MOSFET。

發(fā)表于：10/13/2017

對消處理技術(shù)在寬帶頻譜感知中的應(yīng)用研究[MEMS|傳感技術(shù)][工業(yè)自動化]

在高斯噪聲背景假設(shè)條件下，能量檢測的頻譜感知性能最優(yōu)且易于工程實現(xiàn)，但在非高斯噪聲背景下，其感知性能大大下降甚至無效。針對這一問題，利用對消處理方法來提高能量檢測在非高斯噪聲下的頻譜感知性能，通過將檢測統(tǒng)計量與先驗背景噪聲進行對消預(yù)處理，在降低噪聲非高斯度的同時提高了統(tǒng)計量的信噪比，從而提高了檢測概率，并進一步提高了寬帶頻譜感知性能。利用USRP、GNURADIO和MATLAB設(shè)計并實現(xiàn)了頻譜感知平臺，同時驗證了該算法的可行性。

發(fā)表于：10/13/2017

熱電堆型總輻射傳感器設(shè)計與溫漂誤差修正[MEMS|傳感技術(shù)][工業(yè)自動化]

總輻射是氣象探測、太陽能資源利用等領(lǐng)域中的一種重要測量參數(shù)。針對環(huán)境溫度會影響總輻射測量準確度的問題，提出了一種基于熱電效應(yīng)的總輻射傳感器設(shè)計，利用計算流體動力學(xué)方法對該傳感器探頭進行了流-固耦合傳熱分析。設(shè)計了一種高精度溫度測量電路，搭建了測試平臺，對-20 ℃~40 ℃范圍的傳感器溫度特性進行了測試，并提出了一種利用BP神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法消除環(huán)境溫度引起的總輻射測量誤差的方法。實驗結(jié)果表明，該熱電堆型總輻射傳感器的讀數(shù)精度可達2.79%，在氣象探測、光伏電站等領(lǐng)域具有一定的應(yīng)用潛力。

發(fā)表于：10/13/2017

MOS管的幾種效應(yīng)[模擬設(shè)計][汽車電子]

1 溝道長度調(diào)制效應(yīng)（channel length modulation） MOS晶體管中,柵下溝道預(yù)夾斷后、若繼續(xù)增大Vds，夾斷點會略向源極方向移動。導(dǎo)致夾斷點到源極之間的溝道長度略有減小，有效溝道電阻也就略有減小，從而使更多電子自源極漂移到夾斷點，導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多,使Id增大，這種效應(yīng)稱為溝道長度調(diào)制效應(yīng)。

發(fā)表于：10/12/2017

MOS管參數(shù)解釋[模擬設(shè)計][其他]

MOSFET管是FET的一種，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，一般主要應(yīng)用的為增強型的NMOS管和增強型的PMOS管，所以通常提到的就是這兩種。

發(fā)表于：10/12/2017

MOS管基礎(chǔ)知識與應(yīng)用[模擬設(shè)計][汽車電子]

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

發(fā)表于：10/12/2017

MOS管的好壞判斷[模擬設(shè)計][汽車電子]

主板上基本上都是N溝道的MOS管，一般我們的測量方法如下：黑表筆接D紅表筆接S 有500歐姆左右的電阻。然后紅黑對調(diào)：紅筆接D黑筆接S 萬用表顯示"1"，一般這樣我們就可以認為管子是好的。

發(fā)表于：10/12/2017