導(dǎo)通電阻 相關(guān)文章(136篇)
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英飛凌新型OptiMOS 7 MOSFET面向各類汽車應(yīng)用進行優(yōu)化
發(fā)表于：2024/6/18 17:22:25
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Vishay推出PowerPAK® 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET，優(yōu)異的RDS(ON) 導(dǎo)通電阻低至0.65 mW
發(fā)表于：2022/2/9 13:56:23
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Vishay推出新款200V N溝道MOSFET的RDS(ON)導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最低水平，提高系統(tǒng)功率密度且節(jié)省能源
發(fā)表于：2020/9/23 11:37:00
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Vishay推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-30 VP溝道MOSFET，可提高能效和功率密度
發(fā)表于：2020/8/19 16:17:00
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寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境
發(fā)表于：2020/7/21 12:12:00
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如何準確的測量開關(guān)損耗
發(fā)表于：2019/6/26 22:45:03
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如何正確選擇MOS管
發(fā)表于：2017/10/12 15:19:34
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ADI公司推出故障檢測和保護、低/超平電阻開關(guān)系列產(chǎn)品
發(fā)表于：2015/1/25 14:47:07
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德州儀器推出NexFET? N溝道功率MOSFET 可實現(xiàn)業(yè)界最低電阻
發(fā)表于：2015/1/22 14:21:22
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IR的電池保護MOSFET系列 為移動應(yīng)用提供具有成本效益的靈活解決方案
發(fā)表于：2014/12/2 16:31:40
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ADI公司推出故障檢測和保護、低/超平電阻開關(guān)系列產(chǎn)品
發(fā)表于：2014/11/17 23:52:04
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Vishay的SiZ340DT再度獲獎
發(fā)表于：2014/10/24 16:41:43
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Vishay的新款12V芯片級MOSFET可有效降低超便攜產(chǎn)品的功耗
發(fā)表于：2014/10/23 23:53:24
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IR推出車用40V 5x6mm雙PQFN COOLiRFET? 為小功率電機提供基準性能
發(fā)表于：2014/10/14 12:54:42
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Vishay發(fā)布其E系列器件的首顆500V高壓MOSFET
發(fā)表于：2014/10/9 19:55:18
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 為高性能運算和通信應(yīng)用提供極低導(dǎo)通電阻
發(fā)表于：2014/4/10 16:32:34
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄
發(fā)表于：2014/3/28 10:29:10
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ROHM開發(fā)出比以往產(chǎn)品小50％的世界最小晶體管“VML0604”
發(fā)表于：2014/3/26 9:59:13
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Vishay發(fā)布2014年“Super 12”明星產(chǎn)品
發(fā)表于：2014/3/11 10:50:41
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)最低RDS(on)的P溝道MOSFET
發(fā)表于：2014/1/23 15:11:28
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Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
發(fā)表于：2013/12/2 16:08:09
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Vishay利用PowerPAK®封裝的新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品
發(fā)表于：2013/7/15 11:10:35
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Vishay利用PowerPAK®封裝的新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品
發(fā)表于：2013/7/12 17:17:32
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Vishay大幅擴充 E系列650V N溝道 功率MOSFET家族
發(fā)表于：2013/6/5 15:04:19
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電壓開關(guān)式16位DAC提供低噪聲、快速建立時間和更出色的線性度
發(fā)表于：2013/5/29 16:17:14
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英飛凌推出采用突破性超結(jié)技術(shù)的CoolMOS? C7，為硬開關(guān)應(yīng)用帶來全球最低的通態(tài)電阻
發(fā)表于：2013/5/21 16:25:05
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IR推出40V汽車級COOLiRFET TM, 為重載應(yīng)用提供基準導(dǎo)通電阻以提升系統(tǒng)效
發(fā)表于：2013/5/21 16:24:14
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Vishay發(fā)布采用小尺寸WCSP6封裝的新款斜率控制的P溝道高邊負載開關(guān)
發(fā)表于：2013/5/3 15:56:00
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Vishay Siliconix 擴展ThunderFET®的電壓范圍
發(fā)表于：2013/4/24 16:11:00
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低導(dǎo)通電阻MOSFET測試中的自動校驗技術(shù)
發(fā)表于：2013/4/17 15:41:51
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