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英飞凌新型OptiMOS 7 MOSFET面向各类汽车应用进行优化
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Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 mW
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Vishay推出新款200V N沟道MOSFET的RDS(ON)导通电阻达到业内最低水平，提高系统功率密度且节省能源
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Vishay推出业内最低导通电阻的-30 VP沟道MOSFET，可提高能效和功率密度
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宽禁带生态系统：快速开关和颠覆性的仿真环境
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如何准确的测量开关损耗
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如何正确选择MOS管
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ADI公司推出故障检测和保护、低/超平电阻开关系列产品
發(fā)表于：2015/1/25 下午2:47:07
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德州仪器推出NexFET™ N沟道功率MOSFET 可实现业界最低电阻
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IR的电池保护MOSFET系列 为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案
發(fā)表于：2014/12/2 下午4:31:40
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Vishay的SiZ340DT再度获奖
發(fā)表于：2014/10/24 下午4:41:43
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Vishay的新款12V芯片级MOSFET可有效降低超便携产品的功耗
發(fā)表于：2014/10/23 下午11:53:24
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IR推出车用40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET™ 为小功率电机提供基准性能
發(fā)表于：2014/10/14 下午12:54:42
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Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET
發(fā)表于：2014/10/9 下午7:55:18
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 为高性能运算和通信应用提供极低导通电阻
發(fā)表于：2014/4/10 下午4:32:34
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Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
發(fā)表于：2014/3/28 上午10:29:10
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ROHM开发出比以往产品小50％的世界最小晶体管“VML0604”
發(fā)表于：2014/3/26 上午9:59:13
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Vishay发布2014年“Super 12”明星产品
發(fā)表于：2014/3/11 上午10:50:41
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Vishay推出具有业内最低RDS(on)的P沟道MOSFET
發(fā)表于：2014/1/23 下午3:11:28
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Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻
發(fā)表于：2013/12/2 下午4:08:09
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Vishay利用PowerPAK®封装的新款-40V和-30V MOSFET扩充Gen III P沟道产品
發(fā)表于：2013/7/15 上午11:10:35
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發(fā)表于：2013/7/12 下午5:17:32
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Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道 功率MOSFET家族
發(fā)表于：2013/6/5 下午3:04:19
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电压开关式16位DAC提供低噪声、快速建立时间和更出色的线性度
發(fā)表于：2013/5/29 下午4:17:14
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英飞凌推出采用突破性超结技术的CoolMOS™ C7，为硬开关应用带来全球最低的通态电阻
發(fā)表于：2013/5/21 下午4:25:05
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IR推出40V汽车级COOLiRFET TM, 为重载应用提供基准导通电阻以提升系统效
發(fā)表于：2013/5/21 下午4:24:14
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Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关
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Vishay Siliconix 扩展ThunderFET®的电压范围
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低导通电阻MOSFET测试中的自动校验技术
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