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导通电阻
导通电阻 相關文章(136篇)
Vishay发布2013年“Super 12”明星产品
發(fā)表于:2013/3/7 下午4:45:20
IR推出AUIR3200S MOSFET驱动IC
發(fā)表于:2013/2/26 下午4:19:21
IR 推出具有基准导通电阻的全新300V功率MOSFET
發(fā)表于:2013/1/22 下午4:45:47
Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK® SC-75和SC-70封装的功率MOSFET
發(fā)表于:2013/1/9 下午4:30:23
业界首家!无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产
發(fā)表于:2012/12/26 下午3:05:38
飞兆半导体的高压MOSFET针对AC-DC电源应用提供 业界领先的高可靠性体二极管性能
發(fā)表于:2012/12/13 下午4:41:37
IR 推出StrongIRFET功率MOSFET系列 适合要求超低导通电阻的工业应用
發(fā)表于:2012/12/4 下午4:22:57
富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件 满足高效电源单元供应市场需求
發(fā)表于:2012/11/21 下午5:06:23
IR推出可靠的AUIR3320S智能电源开关
發(fā)表于:2012/10/23 下午4:37:01
Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列
發(fā)表于:2012/10/23 下午4:36:17
Vishay Siliconix采用P沟道TrenchFETGen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻
發(fā)表于:2012/10/8 下午4:55:23
英飞凌推出面向空间和航空应用高能效电源设计的 抗辐射加固型MOS开关器件
發(fā)表于:2012/7/24 下午4:46:07
Vishay在日本举行的Techno-Frontier 2012上展出最新的领先半导体和无源电子元件
發(fā)表于:2012/7/5 下午4:24:06
Vishay Siliconix 的新款 N沟道TrenchFET®功率MOSFET再度刷新导通电阻的最低记录
發(fā)表于:2012/6/28 下午4:53:04
IR推出采用 TO-220 fullpak 封装、坚固可靠的车用功率MOSFET
發(fā)表于:2012/6/20 下午5:04:54
罗姆于世界首次实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装,并开始量产
發(fā)表于:2012/6/14 下午2:41:46
恩智浦推出新型汽车级TrenchMOS器件
發(fā)表于:2012/6/4 下午4:10:16
Vishay的新一代 TrenchFET® MOSFET再度刷新 业内导通电阻最低记录
發(fā)表于:2012/5/8 下午5:05:57
Vishay 推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标
發(fā)表于:2012/5/3 下午1:46:36
IR推出采用TSOP-6封装的HEXFET MOSFET系列产品
發(fā)表于:2012/4/26 下午3:05:08
IR 推出采用 TSOP-6 封装的 HEXFET MOSFET 系列产品
發(fā)表于:2012/4/24 下午4:59:12
瑞萨电子推出14款具有增强保护功能适用于汽车车身应用的新款智能功率器件
發(fā)表于:2012/4/20 下午2:03:06
瑞萨电子推出低功耗,超小型功率MOSFET,为便携式装置提供更高的功效和更小的封装尺寸
發(fā)表于:2012/4/20 上午9:20:39
Vishay发布2012年的“Super 12”明星产品
發(fā)表于:2012/4/10 下午4:17:20
安森美半导体推出低静态电流4通道及6通道开关, 支持下一代高速接口
發(fā)表于:2012/3/31 上午9:14:32
模拟开关与多路转换器知识详解
發(fā)表于:2011/12/4 上午12:00:00
电源管理电路设计时必需考虑的散热问题
發(fā)表于:2011/11/29 上午12:00:00
MOSFET驱动电路设计及应用
發(fā)表于:2011/11/24 上午12:00:00
新型后级开关稳压同步整流电路的设计
發(fā)表于:2011/11/6 下午3:41:58
运放做自动OR操作的电源选择器
發(fā)表于:2011/11/6 上午12:00:00
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