Vishay Siliconix 的新款 N溝道TrenchFET®功率MOSFET再度刷新導(dǎo)通電阻的最低記錄
2012-06-28
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝,具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
新的SiA436DJ在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下具有9.4mΩ、10.5mΩ、12.5mΩ、18mΩ和36mΩ的超低導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻數(shù)值比前一代方案最多低18%,比2mm x 2mm占位面積的最接近的N溝道器件最多低64%。
SiA436DJ可用于智能手機(jī)、平板電腦,以及移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用等便攜式電子產(chǎn)品中的負(fù)載切換。器件的超小尺寸PowerPAK SC-70封裝可在這些應(yīng)用中節(jié)省PCB空間,同時(shí)其低導(dǎo)通電阻可以減少傳導(dǎo)損耗,達(dá)到降低功耗、提高效率的目的。
MOSFET在1.2V電壓下就可導(dǎo)通,使MOSFET可以采用手持設(shè)備中常見的低壓電源軌進(jìn)行工作,簡化了電路設(shè)計(jì),使電池在兩次充電周期之間的工作時(shí)間更長。SiA436DJ的低導(dǎo)通電阻還可以減低負(fù)載開關(guān)上的電壓降,防止出現(xiàn)討厭的欠壓鎖定現(xiàn)象。
SiA436DJ通過了100%的Rg測試,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令。
新的SiA436DJ TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十二周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix公司的注冊(cè)商標(biāo)。