《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay的17款新器件擴(kuò)充600V N溝道功率MOSFET系列

新的E系列器件具有低至39mΩ的導(dǎo)通電阻和7A~73A電流,采用的超級(jí)結(jié)技術(shù)可實(shí)現(xiàn)低FOM和高功率密度,具有8種封裝
2012-10-23

 

2012 年10 月22 日— 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到39mΩ~600mΩ,將最高電流等級(jí)擴(kuò)展至7A~73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超級(jí)結(jié)技術(shù),使公司進(jìn)入使用功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的增量市場(chǎng),包括照明、適配器和高功率可再生能源系統(tǒng)。

 

今天發(fā)布的器件使600V E系列MOSFET的器件數(shù)量增加到27個(gè)。所有的E系列器件都具有超低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,可實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗,從而在功率因數(shù)校正、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、焊接、不間斷電源(UPS)、電池充電器、LED照明、半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、適配器和太陽(yáng)能電池逆變器等高功率、高性能的開(kāi)關(guān)應(yīng)用中節(jié)約能源。

 

器件可承受雪崩和通信模式中的高能脈沖,保證通過(guò)100% UIS測(cè)試時(shí)達(dá)到極限條件。MOSFET符合RoHS指令。

 

器件規(guī)格表:

型號(hào)

VBRDSS (V)

ID @ 25 ºC (A)

RDS(ON) max. @ Vgs = 10 V (mΩ)

Qg typ @

Vgs = 10V

(nC)

封裝

SiHP7N60E

600

7

600

20

TO-220

SiHF7N60E

600

7

600

20

TO-220 FullPAK

SiHD7N60E

600

7

600

20

DPAK/TO-252

SiHU7N60E

600

7

600

20

IPAK/TO-251

SiHP12N60E

600

12

380

29

TO-220

SiHF12N60E

600

12

380

29

TO-220 FullPAK

SiHB12N60E

600

12

380

29

D2PAK/TO-263

SiHP15N60E

600

15

280

38

TO-220

SiHF15N60E

600

15

280

38

TO-220 FullPAK

SiHB15N60E

600

15

280

38

D2PAK/TO-263

SiHP22N60E

600

22

180

57

TO-220

SiHB22N60E

600

22

180

57

D2PAK/TO-263

SiHF22N60E

600

22

180

57

TO-220 FullPAK

SiHG22N60E

600

22

180

57

TO-247AC

SiHP30N60E

600

30

125

85

TO-220

SiHB30N60E

600

30

125

85

D2PAK/TO-263

SiHF30N60E

600

30

125

85

TO-220 FullPAK

SiHG30N60E

600

30

125

85

TO-247AC

SiHW30N60E

600

30

125

85

TO-247AD

SiHB33N60E

600

33

99

100

D2PAK/TO-263

SiHP33N60E

600

33

99

100

TO-220

SiHG33N60E

600

33

99

100

TO-247AC

SiHW33N60E

600

33

99

100

TO-247AD

SiHG47N60E

600

47

99

147

TO-247AC

SiHW47N60E

600

47

64

147

TO-247AD

SiHG73N60E

600

73

64

241

TO-247AC

SiHW73N60E

600

73

39

241

TO-247AD

*備注:粗體的器件是E系列的新增型號(hào)。

 

這些新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,量產(chǎn)訂貨的供貨周期為十六周到十八周。

 

VISHAY簡(jiǎn)介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財(cái)富1,000 強(qiáng)企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無(wú)源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車(chē)、消費(fèi)、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場(chǎng)中幾乎所有類(lèi)型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購(gòu)戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請(qǐng)瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

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