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新型面向汽车通孔应用的高性能功率半导体封装
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IR推出新系列 40V 至 200V 车用 MOSFET，提供基准导通电阻性能
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PMOS开关管的选择与电路设计
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一种12位50 MS／s CMOS流水线A／D转换器
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IR为低功率应用推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MOSFETs扩展了PQFN封装系列
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IR推出坚固的新系列40V至75V车用MOSFET，可为重载应用提供低导通电阻
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为便携应用选择合适的低成本USB开关
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Diodes 全新 MOSFET 组合可减少直流电机损耗
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Intersil推出业内效率最高的小占位面积6A开关稳压器
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Vishay Siliconix的新款N沟道功率MOSFET再次刷新业内最低导通电阻记录
發(fā)表于：2011/3/31 下午5:01:05
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Vishay Siliconix发布具有业内最低外形和最低导通电阻的TrenchFET®功率MOSFET
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一种200V/100A VDMOS 器件开发
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不同类型无触点开关的性能比较
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Vishay Siliconix的双芯片P沟道器件刷新业内最低导通电阻纪录
發(fā)表于：2011/3/2 上午9:35:34
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为便携式产品选择合适的模拟开关
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开关管&整流管功耗计算方法
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栅极电荷和导通电阻—可以再降低一点吗？
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CMOS伪差分E类射频功率放大器设计
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瑞萨电子高压MOS在进行产品开发时的注意要点
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高压功率VDMOSFET的设计与研制
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变流器核心器件MOSFET与IGBT
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Vishay Siliconix推出业内导通电阻最低的MOSFET器件
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使用运算放大器来驱动高精度 ADC
發(fā)表于：2010/11/16 上午12:00:00
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Vishay Siliconix推出具有业界最佳优值系数（FOM）的新款N沟道功率MOSFET
發(fā)表于：2010/11/8 下午4:25:12
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电源开关设计基础
發(fā)表于：2010/10/20 下午6:56:25
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Vishay Siliconix 推出新款超低导通电阻
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减少电源损耗实现电源效率最大化
發(fā)表于：2010/9/29 上午9:36:01
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IR 新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活
發(fā)表于：2010/9/15 下午4:21:03
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IR 推出为开关应用优化的 AUIRF7648M2 和 AUIRF7669L2 车用 DirectFET®2 功率 MOSFET
發(fā)表于：2010/9/8 下午1:34:48
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Vishay Siliconix推出突破性P沟道功率MOSFET，将业界最低导通电阻减少近50%
發(fā)表于：2009/9/10 下午2:03:39
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