全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商– 國際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列采用TSOP-6封裝、搭載IR最新低壓HEXFET MOSFET硅技術(shù)的器件，適用于電池保護(hù)與逆變器開關(guān)中的負(fù)載開關(guān)、充電和放電開關(guān)等低功率應(yīng)用。
全新的功率MOSFET具備極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))，能夠大幅降低傳導(dǎo)損耗。新產(chǎn)品可以作為N及P通道配置里的20V或30V器件，最大柵極驅(qū)動(dòng)從12Vgs到20Vgs不等。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“采用TSOP-6封裝的IR全新功率MOSFET系列，與采用SOT-23和SO-8封裝的現(xiàn)有器件相輔相成，為客戶設(shè)計(jì)系統(tǒng)提供了更大的靈活性。這個(gè)平臺(tái)擁有極低的導(dǎo)通電阻，因而這些新器件能夠取代封裝尺寸較大的MOSFET，有助于減少電路板面積和系統(tǒng)成本。”
所有新器件均達(dá)到第一級(jí)潮濕敏感度(MSL1) 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)，并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)，不含鉛、溴化物和鹵素。
產(chǎn)品規(guī)格
|
器件編號(hào) (- TRPbF) |
BVDSS |
VGS最大值 |
25ºC時(shí)的最大Id |
典型/最大導(dǎo)通電阻(mΩ) |
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10V |
4.5V |
2.5V |
||||
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IRFTS9342 |
-30V |
20V |
5.9A |
31/39 |
53/66 |
NA |
|
IRLTS2242 |
-20V |
12V |
6.9A |
N/A |
26/32 |
45/55 |
|
IRLTS6342 |
30V |
12V |
7.8A |
12/20 |
15/24 |
|
|
IRFTS8342 |
30V |
20V |
8.2A |
15/19 |
22/29 |
N/A |
新器件正接受批量訂單。相關(guān)數(shù)據(jù)及MOSFET產(chǎn)品選型工具，請(qǐng)瀏覽IR的網(wǎng)站www.irf.com。
商標(biāo)
IR®和HEXFET®是國際整流器公司(International Rectifier Corporation) 的注冊(cè)商標(biāo)。文中所提及其它產(chǎn)品名稱均為對(duì)應(yīng)持有人所有的商標(biāo)。
- 完-
IR簡(jiǎn)介
國際整流器公司(簡(jiǎn)稱IR，紐約證交所代號(hào)IRF) 是全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商。IR 的模擬及混合信號(hào)集成電路、先進(jìn)電路器件、集成功率系統(tǒng)和器件廣泛應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)高性能計(jì)算設(shè)備及降低電機(jī)的能耗(電機(jī)是全球最大耗能設(shè)備) ，是眾多國際知名廠商開發(fā)下一代計(jì)算機(jī)、節(jié)能電器、照明設(shè)備、汽車、衛(wèi)星系統(tǒng)、宇航及國防系統(tǒng)的電源管理基準(zhǔn)。
IR 成立于1947 年，總部設(shè)在美國洛杉磯，在二十個(gè)國家設(shè)有辦事處。IR 全球網(wǎng)站：www.irf.com，中國網(wǎng)站：www.irf.com.cn。