《電子技術(shù)應(yīng)用》
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Vishay在日本舉行的Techno-Frontier 2012上展出最新的領(lǐng)先半導(dǎo)體和無源電子元件

2012-07-05
關(guān)鍵詞: 高電流 導(dǎo)通電阻 片式

 

2012 年7 月5 日— 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將參加7月11日至13日日本Tokyo Big Sight舉行的Techno-Frontier 2012,在專業(yè)的功率系統(tǒng)展覽Power System Japan的6D-210展位展出其最新的半導(dǎo)體和無源電子元件。為紀(jì)念Felix Zandman創(chuàng)辦Vishay 50周年,Vishay將展示其產(chǎn)品如何幫助工程師滿足在各種各樣應(yīng)用中對節(jié)省空間和提高效率的特定需求。

 

Vishay在Techno-Frontier 2012展出的產(chǎn)品包括:

電阻:Vishay將展出具有高功率密度和能在+275℃高溫的惡劣環(huán)境下工作的Power Metal Strip®電阻,以及用于功率計和電池管理應(yīng)用的高電流Power Metal Strip分流電阻。觀眾在展會上還會看到適用于風(fēng)電機組的不銹鋼剎車電阻,用于汽車、工業(yè)和電信應(yīng)用的圓柱形薄膜MELF電阻。

 

電感器:對于各種最終產(chǎn)品中的電壓調(diào)節(jié)模塊(VRM)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和噪聲濾波應(yīng)用,Vishay將展示最新的SMD電感器,以及高溫、高電流通孔器件。

 

電容器:Vishay的MICROTAN®固鉭片式電容器將在展會上亮相,此外還有用于中功率電子產(chǎn)品的小尺寸DC-link聚丙烯薄膜電容器。對于核磁共振診斷設(shè)備,公司將展出無磁多層陶瓷片式電容器(MLCC)。

 

二極管:重點產(chǎn)品將包括用于汽車應(yīng)用的整流器和瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),以及具有極低正向電壓降和低外形封裝,可用于光伏太陽能電池旁路保護的45V TMBS®系列整流器。

 

MOSFETTrenchFET® Gen IV功率MOSFET將出現(xiàn)在展會上,這種MOSFET的導(dǎo)通電阻只有前一代20V~30V器件的一半。另一個看點是E系列功率MOSFET,其導(dǎo)通電阻比其他600V~650V器件低30%。

 

功率IC對于負(fù)載點應(yīng)用,Vishay將提供高效同步降壓穩(wěn)壓器和microBUCK®穩(wěn)壓器,用于電壓穩(wěn)壓器(VR)的高頻、高電流的DrMOS集成式功率級可在服務(wù)器、桌面電腦、圖形卡和其他產(chǎn)品中能夠發(fā)揮節(jié)省空間的功效。

 

光電子產(chǎn)品:特色產(chǎn)品將包括用于3D電視主動式眼鏡的表面貼裝紅外接收器;業(yè)內(nèi)首款把信號探測和處理集成到單個元件內(nèi)的遙控編碼學(xué)習(xí)IC;具有業(yè)內(nèi)0.8mm業(yè)內(nèi)最低高度的全集成式接近和環(huán)境光光學(xué)傳感器。超高亮度的超薄ChipLED將出現(xiàn)在展會上,以及業(yè)內(nèi)首款采用表面貼裝封裝,可用于太陽能、風(fēng)能機組裝置的符合CAT IV的高壓隔離光耦。

 

欲了解Techno-Frontier 2012的更多信息,請訪問http://www.jma.or.jp/TF/en/。

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com

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