《電子技術(shù)應(yīng)用》
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IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列 為高性能運(yùn)算和通信應(yīng)用提供極低導(dǎo)通電阻

2014-04-10

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國際整流器公司(International Rectifier,簡稱IR) 擴(kuò)充StrongIRFET系列,為高性能運(yùn)算和通信等應(yīng)用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點(diǎn)器件,具有極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on))。 

IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝,導(dǎo)通電阻典型值只有500µΩ,可大幅降低傳導(dǎo)損耗,因而非常適合動態(tài)ORing和電子保險絲(eFuse) 應(yīng)用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作,在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中,可比同類最佳PQFN器件降低15%的損耗,使設(shè)計人員能夠在大電流應(yīng)用內(nèi)減少器件數(shù)量。

IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“StrongIRFET系列經(jīng)過擴(kuò)充后,能夠滿足市場對動態(tài)ORing和電子保險絲的高效開關(guān)的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內(nèi)提供行業(yè)領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻,從而實(shí)現(xiàn)無可比擬的功率密度。”

與DirectFET系列的其它器件一樣,IRL6283M可提供有效增強(qiáng)電氣性能和熱性能的頂側(cè)冷卻功能,以及旨在提高可靠性的無鍵合線設(shè)計。此外,DirectFET封裝符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS) 的所有要求,例如完全不含鉛的物料清單可適合長生命周期的設(shè)計。同類的高性能封裝包含高鉛裸片,雖然符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定第7(a) 項豁免條款,但這項豁免將于2016年到期。

規(guī)格

 

器件編號

電壓

最高VGS

封裝

電流

額定值

導(dǎo)通電阻(典型/最高)

認(rèn)證級別

(V)

(V)

(A)

10V

 4.5V

2.5V

IRL6283M

20

12

DirectFET MD

211

.50/.75

.65/.87

1.1/1.5

工業(yè)

IRFH8201

25

20

PQFN 5x6B

100*

.80/.95

1.20/1.60

不適用

IRFH8202

.90/1.05

1.40/1.85

IRFH8303

30

.90/1.10

1.30/1.70

IRFH8307

1.1/1.3

1.7/2.1

IRF8301M

DirectFET MT

192

1.3/1.5

1.9/2.4

IR的StrongIRFET系列同時提供采用了行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環(huán)保封裝,并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS) 。

產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。更多信息和Spice模型請瀏覽IR的網(wǎng)站http://www.irf.com

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