日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，其3mm x 3mm封裝的SiZ340DT雙片MOSFET在《今日電子》雜志的第十二屆年度Top-10電源產(chǎn)品評(píng)獎(jiǎng)中一舉獲得十佳電源產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)等兩項(xiàng)獎(jiǎng)項(xiàng)。SiZ340DT比前一代同樣封裝尺寸器件的導(dǎo)通電阻低57%，功率密度高25% ，效率高5% ，并因此榮獲Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)。

《今日電子》的編輯從前一年推出的數(shù)百款產(chǎn)品中，根據(jù)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)、在技術(shù)或應(yīng)用方面取得顯著進(jìn)步，以及性價(jià)比的卓越表現(xiàn)進(jìn)行評(píng)選。Vishay的SiZ340DT因節(jié)省空間，在“云計(jì)算”基礎(chǔ)設(shè)施、服務(wù)器、電信設(shè)備和各種客戶端電子設(shè)備，以及移動(dòng)計(jì)算應(yīng)用中簡(jiǎn)化高效同步降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)，榮獲兩個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。

SiZ340DT采用第四代TrenchFET^®技術(shù)制造，低邊通道2的MOSFET在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的導(dǎo)通電阻為5.1mΩ和7.0mΩ，高邊通道1的MOSFET在10V和4.5V下導(dǎo)通電阻為9.5mΩ和13.7mΩ。同時(shí)，器件還具有較低的柵極電荷，通道1 的MOSFET和通道2的MOSFET的柵極電荷分別為5.6nC和10.1nC，從而實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積FOM，減少傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)整體效率。

對(duì)于輸出電流10A和15A，輸出電壓小于2V的典型DC/DC拓?fù)?，SiZ340DT的PowerPAIR^®封裝占位只有3mm x 3mm，比使用分立器件最多可節(jié)省77%的PCB空間。器件可減少開(kāi)關(guān)損耗，實(shí)現(xiàn)超過(guò)450kHz的更高開(kāi)關(guān)頻率，通過(guò)使用更小的電感器和電容器，在不犧牲效率的同時(shí)，縮小PCB尺寸。

《今日電子》在9月25日北京國(guó)賓酒店舉行Top-10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)儀式。Vishay北京辦事處的銷售經(jīng)理Alice Wei代表Vishay領(lǐng)獎(jiǎng)。完整的獲獎(jiǎng)名單見(jiàn)如下網(wǎng)址：http://www.21ic.com/wz/CRXDQWHFA/20140901/20140901.htm。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊(cè)鏈接：

http://www.vishay.com/doc?62877。