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Vishay利用PowerPAK®封裝的新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品

首款40V P溝道Gen III器件,首款PowerPAK 1212-8S封裝的30V MOSFET
2013-07-15

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK® 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK® 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴充其TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiS443DN在-10V和-4.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)較低的導(dǎo)通電阻,是首款-40V P溝道Gen III器件;SiSS27DN是首款采用PowerPAK 1212-8S封裝的-30V MOSFET。

SiS443DN和SiSS27DN適用于24V、19V和12V負(fù)載開關(guān),以及移動計算、智能手機和平板電腦中電源管理等各種應(yīng)用的適配器和電池開關(guān)。這些器件的低導(dǎo)通電阻在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,使設(shè)計者能夠在電路里實現(xiàn)更低的壓降,更有效地使用能源,并延長電池使用時間。

 

在需要更高電壓的應(yīng)用里,3.3mm x 3.3mm PowerPAK 1212-8封裝的-40V SiS443DN提供11.7mΩ(-10V)和16mΩ(-4.5V)的最高導(dǎo)通電阻。在導(dǎo)通電阻非常重要的場合,SiSS27DN提供了極低的5.6mΩ(-10V)和9mΩ (-4.5V)導(dǎo)通電阻,采用高度0.75mm的PowerPAK 1212-8S封裝。

 

SiS443DN和SiSS27DN進(jìn)行了100%的Rg和UIS測試。MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定,符合RoHS指令2011/65/EU。

 

器件規(guī)格表:

型號

SiSS27DN

SiS443DN

VDS (V)

-30

-40

VGS (V)

20

20

RDS(ON) (mΩ) @

10 V

5.6

11.7

6 V

7

-

4.5 V

9

16

 

封裝

PowerPAK 1212-8S

PowerPAK 1212-8

新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十四周到十六周。

 

VISHAY簡介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1000 強企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器、電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息,敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

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