三星相關(guān)文章(5095篇)

消息稱三星電子開啟全球裁員
發(fā)表于：9/12/2024 9:57:00 AM
高通第五代驍龍8將迎來雙代工廠
發(fā)表于：9/12/2024 9:17:57 AM
兩名前三星員工涉嫌泄露價值32億美元商業(yè)機(jī)密被捕
發(fā)表于：9/12/2024 8:50:18 AM
三星與臺積電合作開發(fā)無緩沖HBM4 AI芯片
發(fā)表于：9/9/2024 10:18:38 AM
高通確認(rèn)其芯片用于三星與谷歌合作開發(fā)的XR眼鏡
發(fā)表于：9/9/2024 8:50:30 AM
全球2納米芯片代工三強(qiáng)勝負(fù)初現(xiàn)
發(fā)表于：9/6/2024 10:44:55 AM
2024年上半年三星SK海力士在華營收增長超過100%
發(fā)表于：9/6/2024 8:23:03 AM
消息稱三星1b nm移動內(nèi)存良率欠佳
發(fā)表于：9/5/2024 10:21:50 AM
三星HBM4將采用Logic Base Die和3D封裝
發(fā)表于：9/5/2024 8:50:11 AM
2024年二季度全球晶圓代工市場營收排名公布
發(fā)表于：9/3/2024 9:59:36 AM
曝三星因Exynos 2500難產(chǎn)Galaxy S25全系將標(biāo)配驍龍8 Gen4
發(fā)表于：9/3/2024 9:39:50 AM
三星官宣車用LPDDR4X已通過驗(yàn)證
發(fā)表于：8/28/2024 11:39:42 AM
三星解散先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)組
發(fā)表于：8/27/2024 6:59:00 PM
三星開發(fā)全新低功耗OLED面板
發(fā)表于：8/26/2024 11:22:11 PM
消息稱三星將削減High-NA EUV光刻機(jī)采購規(guī)模
發(fā)表于：8/20/2024 11:28:00 AM
三星顯示展示圓形White OLEDoS顯示面板樣品
發(fā)表于：8/20/2024 8:50:02 AM
三星HBM押注下一代存儲技術(shù)CXL
發(fā)表于：8/20/2024 8:33:01 AM
2024年第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比增長24.8%
發(fā)表于：8/16/2024 8:50:50 AM
三星被曝最快2024年底前開始安裝首臺ASML High-NA EUV光刻機(jī)
發(fā)表于：8/16/2024 8:35:53 AM
消息稱三星電子正內(nèi)部自研XR設(shè)備專用芯片
發(fā)表于：8/15/2024 10:39:28 AM
HBM帶動三大內(nèi)存原廠均躋身2024Q1半導(dǎo)體IDM企業(yè)營收前四
發(fā)表于：8/14/2024 9:25:00 AM
三星二季度晶圓代工業(yè)務(wù)預(yù)計虧損3000億韓元
發(fā)表于：8/12/2024 10:50:21 AM
三星聯(lián)手高通開發(fā)XR專用芯片
發(fā)表于：8/9/2024 10:58:39 AM
曝三星晶圓代工業(yè)務(wù)今年可能虧損數(shù)萬億韓元
發(fā)表于：8/8/2024 10:41:15 AM
三星被控在微處理器和內(nèi)存制造領(lǐng)域侵犯哈佛專利
發(fā)表于：8/7/2024 11:12:07 AM
傳中企囤積三星HBM芯片以應(yīng)對美出口管制
發(fā)表于：8/7/2024 9:15:00 AM
消息稱三星8層HBM3E存儲芯片已通過英偉達(dá)測試
發(fā)表于：8/7/2024 8:50:00 AM
消息稱三星電子與Naver將在Mach-1后實(shí)質(zhì)結(jié)束AI芯片合作
發(fā)表于：8/6/2024 10:05:00 AM
三星電子宣布量產(chǎn)業(yè)界最薄 LPDDR5 內(nèi)存封裝
發(fā)表于：8/6/2024 8:23:00 AM
三星計劃2024Q3量產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品
發(fā)表于：8/1/2024 1:16:16 PM

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