4 月 10 日消息，韓媒 Sedaily 于 4 月 8 日發(fā)布博文，報道稱在美國新關(guān)稅政策的不確定性下，存儲巨頭們并未放緩腳步，反而加速角逐 HBM3E 市場。

IT之家援引博文報道，三星調(diào)整了 HBM3E 產(chǎn)品設(shè)計，計劃今年 4 月向英偉達大規(guī)模供應(yīng) 8H 版本。另一家韓國媒體 EBN 透露，若進展順利，三星 12 層 HBM3E 有望 5 月獲得英偉達認(rèn)證。

SK 海力士長期稱霸 HBM 市場，但美光正迎頭趕上。另一家韓媒 Sisa Journal 指出，美光 3 月已通過 12 層 HBM3E 驗證，并開始交付，支持英偉達最新 B300 產(chǎn)品。

該媒體分析認(rèn)為美光的 DRAM 總產(chǎn)能雖然不及 SK 海力士，但其 10nm-class 1b 先進工藝占比更高。這讓美光在產(chǎn)品質(zhì)量上占優(yōu)，尤其在 HBM 關(guān)鍵的散熱管理方面表現(xiàn)突出。

此外存儲巨頭也在加速推進 HBM4 競賽。三星計劃 2025 年實現(xiàn) HBM4 量產(chǎn)，但其 10nm 1c DRAM 工藝尚未成熟，目標(biāo)充滿挑戰(zhàn)。

Business Korea 早前提到，美光預(yù)計 2026 年推出 HBM4，而 2025 下半年生產(chǎn)的 HBM 多為 12 層產(chǎn)品。兩大巨頭在技術(shù)升級上各有布局，未來競爭將更激烈。