三星相關(guān)文章(4981篇)

三星發(fā)布首款3nm芯片Exynos W1000
發(fā)表于：2024/7/4 8:37:00
消息稱三星電子將為移動(dòng)處理器引入HPB冷卻技術(shù)
發(fā)表于：2024/7/4 8:24:00
（更新：三星否認(rèn)）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過(guò)英偉達(dá)測(cè)試
發(fā)表于：2024/7/4 8:23:00
三星與大唐移動(dòng)專利糾紛達(dá)成和解
發(fā)表于：2024/7/3 8:39:00
三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù)
發(fā)表于：2024/7/3 8:33:00
三星計(jì)劃加入微軟谷歌等八巨頭的UALink聯(lián)盟
發(fā)表于：2024/7/1 12:18:00
美國(guó)等掏空韓國(guó)半導(dǎo)體人才三星和SK海力士成重災(zāi)區(qū)
發(fā)表于：2024/7/1 12:15:00
消息稱三星SK 海力士已啟動(dòng)芯片浸沒(méi)式液冷兼容測(cè)試
發(fā)表于：2024/6/28 8:48:00
三星否認(rèn)3nm晶圓代工廠出現(xiàn)生產(chǎn)缺陷
發(fā)表于：2024/6/26 16:27:35
消息稱三星3nm項(xiàng)目總投資超過(guò)1160億美元
發(fā)表于：2024/6/25 8:30:45
美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體制裁下韓國(guó)設(shè)備最杯具
發(fā)表于：2024/6/25 8:30:43
三星美國(guó)得州芯片工廠推遲至2026年投產(chǎn)
發(fā)表于：2024/6/24 8:35:29
三星聯(lián)手聯(lián)發(fā)科完成基于vRAN的5G RedCap技術(shù)測(cè)試
發(fā)表于：2024/6/24 8:35:24
三星SK海力士都將在新一代HBM中采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：2024/6/24 8:35:14
三星Exynos 2500 3nm良率僅20%
發(fā)表于：2024/6/24 8:35:00
三星因3nm良率太低痛失谷歌高通訂單
發(fā)表于：2024/6/19 8:30:43
HBM訂單2025年已預(yù)訂一空
發(fā)表于：2024/6/19 8:30:35
三星宣布與Synposys合作優(yōu)化2nm芯片
發(fā)表于：2024/6/18 8:38:50
2024上半年中國(guó)可折疊OLED面板出貨量將首次超越韓國(guó)三星
發(fā)表于：2024/6/18 8:38:34
淺析HBM五大關(guān)鍵門(mén)檻
發(fā)表于：2024/6/18 8:38:25
三星公布引領(lǐng)AI時(shí)代半導(dǎo)體技術(shù)路線圖
發(fā)表于：2024/6/14 8:55:22
三星祭出交鑰匙代工服務(wù) 加速AI芯片生產(chǎn)
發(fā)表于：2024/6/14 8:55:01
中芯國(guó)際沖到全球前三：僅次于臺(tái)積電三星
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:20
美國(guó)芯片制造業(yè)迎來(lái)歷史性投資，狂砸資金新建工廠
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:20
三星公布芯片技術(shù)路線圖
發(fā)表于：2024/6/13 8:59:00
消息稱三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存良率不足五成
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:45
三星16層及以上HBM需采用混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:27
三星被曝挖來(lái)蘋(píng)果Siri資深高管領(lǐng)導(dǎo)北美AI團(tuán)隊(duì)
發(fā)表于：2024/6/12 8:59:25
AMD與三星在3nm GAA上目前并無(wú)任何實(shí)質(zhì)進(jìn)展
發(fā)表于：2024/6/6 8:52:46
高通：正考慮實(shí)施臺(tái)積電、三星電子雙源生產(chǎn)戰(zhàn)略
發(fā)表于：2024/6/6 8:52:46

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