123,123

中兴通讯联合南非MTN实现全球首个5频RRU商用部署

近日，中兴通讯与南非MTN在西开普省达成里程碑式合作 —— 联合实现全球首个5频RRU的商用部署。这一成果不仅引领全球射频技术进入新发展阶段，更为非洲通信行业的技术升级注入强劲动力。南非是非洲最大最先进的通信市场之一，南非MTN在全国范围内实现超过97%的LTE人口覆盖，为超过6000万人口提供高质量的通信服务，体现了其将高质量通信服务延伸至偏远地区的长期承诺。

發(fā)表于：2025/9/3

成都华微发布4通道12位40G高速高精度射频直采ADC芯片

9月1日晚间，成都华微电子科技股份有限公司（以下简称“成都华微”）发布公告称，公司研发的4 通道12位40G 高速高精度射频直采 ADC（模数转换器）于近日成功发布。

發(fā)表于：2025/9/2

一种TR组件多路隔离电源加电顺序控制电路

相控阵雷达天线中的TR组件的多路直流电源需具备严格的加电顺序，用以防止闩锁效应，避免逻辑电路未初始化时高压误触发。针对TR组件中常用+28 V、+5 V、-5 V三种独立不共地电源上电顺序的工程需求，提出了一种基于三端稳压器TL431和光耦隔离的分级控制电路。通过光耦实现非共地电源间的电气隔离，结合TL431的门限保护电路，精确控制各电压的加电时序；并具备低成本、易扩展的优势，是解决多路独立电源供电设备加电顺序的有效途径，为工业设备的多电压供电设计提供了可靠参考。

發(fā)表于：2025/8/14

W波段高集成多通道多功能封装模块研究

针对W波段射频前端需求，设计了一组基于陶瓷封装工艺的W波段四通道上变频发射和下变频接收模块。该对模组均采用一次变频架构，上变频发射模块将78~80 GHz的信号经混频、放大、滤波传输后，传输到天线端口实现上变频至92~94 GHz频段；下变频接收模块将92~94 GHz频段信号经过低噪声放大、混频、滤波传输后，进入后端实现下变频至78~80 GHz。该前端本振信号为X波段，实现功率分配和信号放大功能，为多通道提供中频信号。为提高模块射频性能和可靠性和降低成本，设计了一种基于封装上装载技术（LOP）的滤波传输结构。模块实物测试结果表明：研发的W波段上变频发射模块在工作频带（92~94 GHz）内输出功率均大于12 dBm，输出功率增益大于6 dB；W波段下变频前端各通道在工作频带内的噪声小于9dB，增益大于10 dB。

發(fā)表于：2025/8/14

一种K波段变频组件设计

设计了一种K波段变频组件，该组件含上、下变频通道，实现K波段射频信号与中频信号间的变频转换。通过进行全链路级联仿真分析与计算，优化了链路的频点规划，合理规避了带内杂散；通过进行三维电磁场仿真，优化了链路的传输互联结构，改善了级间匹配特性。测试结果表明该组件具有杂散抑制度高、带内增益波动小等特点，杂散抑制优于60 dBc，带内波动优于±1 dB，镜频抑制优于50 dBc，其他各项指标均满足设计要求。该设计方法也对变频组件的设计进行了有益探索。

發(fā)表于：2025/8/14

X波段60 W高功率高效率功率放大器设计

基于0.25 μm栅长的GaN HEMT工艺，设计了一款8~12 GHz 60 W高功率放大器。该芯片的末级输出端功率合成网络在Bus-bar总线型的基础上添加并联LC到地枝节，达到优化各路平衡度的目的，在实现高功率输出的同时使芯片整体结构紧凑且易于匹配。采用输入端二次谐波阻抗匹配技术，在不影响输出功率的前提下提升高频效率。输出级匹配结构采用两段串电感并电容匹配的方式，将输出级阻抗匹配至目标阻抗的同时实现较低的匹配损耗。在脉宽100 μs、占空比10%测试条件下，该放大器饱和输出功率在8~12 GHz范围内大于48 dBm，效率大于35%，功率增益为23 dB。芯片尺寸为3.97 mm×5 mm。

發(fā)表于：2025/8/14

2030年射频前端市场将达697亿美元

据Yole Group报告显示，全球射频半导体市场正面临战略转折点，预计将从2024年的513亿美元增长至2030年的697亿美元，5G持续渗透、6G研发加速、汽车雷达与国防电子战的爆发，将成为三大核心驱动力，汽车、国防、工业等将成为射频应用的“新蓝海”。

發(fā)表于：2025/7/28

基于双射频芯片级联的雷视一体系统设计实现

在智能交通系统（Intelligent Transports System，ITS）领域，相较于单雷达和卡口相机的组合，雷视一体机有着成本低和数据融合的优点。基于射频芯片级联技术，对毫米波雷达性能进行提升，并采用专业级的安防芯片，通过多传感器融合，设计了一款具有远距离探测功能的雷视一体机系统。算法方面采用多传感器融合算法，通过更换主干特征提取网络和损失函数对目标检测算法YOLOv8n进行改进，改进后参数量减少24%，模型大小减小22%。通过交通实地场景测试，验证了雷视一体机系统的可靠性，最终实现交通路口场景的全方位监测，且最远探测距离可以达到350 m，探测精度可达97%以上，符合远距交通雷视一体机的设计要求。

發(fā)表于：2025/7/24

电容网络对射频SOI开关功率承受能力影响研究

通过比较分析研究电容网络对射频SOI开关功率承受能力的影响，主要包括射频开关晶体管源极与漏极之间的横向耦合电容Cdsn和射频开关源极与漏极节点到GND的纵向耦合电容Cgndn。研究内容包括射频开关堆叠结构Cdsn/Cgndn逐步变化，前两级Cdsn/Cgndn电容值大小，前N级Cdsn/Cgndn电容网络对射频开关插入损耗、隔离度和功率承受能力的影响，研究结果为射频开关电路设计提供参考。

發(fā)表于：2025/7/24

V频段H面膜片带通滤波器设计

为满足上变频器对低插入损耗、高抑制度滤波器的需要，设计并制作了一种V频段H面膜片带通滤波器，该滤波器由六个矩形谐振腔串联组成。六个谐振腔和七个耦合窗的尺寸初值通过理论计算得到，采用三维电磁场仿真软件HFSS对滤波器进行了结构建模和优化仿真。制作了滤波器样品并进行了测试，测试结果表明在47.2~50.2 GHz带内插入损耗小于0.6 dB，回波损耗优于15.6 dB，对42.6 GHz频点的抑制度为73.8 dBc，对54.8 GHz频点的抑制度为52.8 dBc，测试结果与软件仿真结果基本一致。

發(fā)表于：2025/7/22

Ku频段小型化气密型功放组件研究

阐述了一种Ku频段小型化气密型性功放组件的工程实现方案。此组件采用4片GaN功率芯片与1片GaAs驱动芯片级联工作，并通过波导功分与合成网络的结合，实现了高效的功率合成。为确保组件在盐雾和低气压等环境下的稳定运行，采用了同轴探针式波导气密封电路与射频腔体激光封焊技术，对整个功放模块的射频电路进行了全面的气密封装，有效抵御盐雾和低气压等外界因素对组件可靠性的潜在威胁。最终，该功放组件在13~15 GHz的连续波工作频带内，实现了大于120 W的饱和输出功率。该组件的技术状态稳定，可靠性与实用性均达到了工程使用要求，适用于测控、通信、电子对抗等领域中的微波发射系统，展现出卓越的应用前景与市场价值。

發(fā)表于：2025/7/22

基于基片集成波导圆极化天线微波毫米波天线

设计了一款Ka波段高增益基片集成波导圆极化天线，采用四脊波导作为圆极化辐射器。为验证设计，研制了4×4圆极化阵列天线，该天线采用三层介质基板结构：顶层为4×4四脊波导圆极化辐射器，中层为4×4背腔辐射缝隙单元天线（工作模式为TE110模），底层为T形基片集成波导一分八功分器。测试结果表明，该阵列天线S11<-10 dB的范围为35.3~35.55 GHz，3 dB轴比带宽为35.24~35.57 GHz，最大增益为18.14 dBi（35.42 GHz）。该设计创新性地采用四脊波导实现圆极化辐射，具有高口径效率和紧凑结构，适用于微波毫米波系统。

發(fā)表于：2025/7/22

超宽带大瞬时带宽可调中频接收机前端技术研究

为满足对复杂电磁环境的测试和接收机超宽带、大瞬时带宽、小型化、可调等发展需求，基于二级混频的超外差变频技术和多路开关滤波器组，设计了一款具有1.5 GHz~18 GHz超宽带射频信号接收、1 GHz大瞬时带宽、大动态范围和超低接收灵敏度的接收机射频前端模块，且该模块还具有输出中频频率和带宽可选的功能。通过测试对该模块进行了验证，结果符合设计要求。

發(fā)表于：2025/7/22

国产射频芯片概念-研发实力大比拼

根据卓胜微(300782)、唯捷创芯(688153)、康希通信(688653)、慧智微-U(688512)公开披露数据，对4家公司的研发实力信息等数据统计如下。

發(fā)表于：2025/7/18

2025中国西部微波射频技术研讨会在蓉成功举行

2025年7月10日下午，由中国电子仪器行业协会主办，中电会展与信息传播有限公司、《电子技术应用》杂志社联合承办的“2025中国西部微波射频技术研讨会暨第三十届国际电子测试测量研讨会”在成都世纪城新国际会展中心圆满落幕。

發(fā)表于：2025/7/17