頭條 ST宣布中国本地造STM32微控制器已开启交付 3 月 23 日消息，意法半导体（ST）今日宣布，中国本地制造的 STM32 通用微控制器现已开启交付。首批由华虹宏力代工的意法半导体 STM32 晶圆产品已陆续发货给国内客户。这一里程碑标志着意法半导体全球供应链战略的重大进展。公司计划 2026 年将有更多 STM32 产品系列（包括高性能、安全及入门级的微控制器）实现本地量产。 最新資訊 用CPLD和外部SRAM构成大容量FIFO的设计 随着数字电视技术的进一步成熟，在视频服务器方面，利用支持软件丰富、运算速度不断提高、具有较高性能价格比的微机来代替昂贵的专用设备实现数字视频码流的复用具有一定的实际意义，但是一般的桌面操作系统定时不够精确、处理大量并发任务效率不高以及突发传送等问题影响了复用后码流的质量，为了保证复用后的码流可以均匀平滑地传送到调制器，还考虑到微机的工作效率，就需要用FIFO来进行码流的缓冲。如果FIFO的容量足够大，微机就可以通过DMA方式一次发送大量的数据，最后再经过FIFO的缓冲，按照预设频率均匀送出。 發(fā)表于：2011/12/27 FPGA设计经验之边沿检测 在一个时钟频率16MHz的同步串行总线接收电路里，串行总线波特率为1Mbps。在串行总线的发送端是在同步时钟（1MHz）的上升沿输出数据，在接收端在同步时钟的下降沿对输入数据进行接收采样。在这个接收电路里检测同步时钟的下降沿是必不可少的。假设主时钟-clk，同步时钟-rck，同步数据-data。 發(fā)表于：2011/12/26 英特尔深入探讨3D晶体管、Ultrabook关键技术细节 在本周于旧金山召开的英特尔开发者大会（IDF）中，英特尔将再揭示其采用三栅极（tri-gate）3D晶体管技术的22nm元件细节，并进一步说明超轻薄笔电（Ultrabook）的超薄、超低功耗设计概念。 發(fā)表于：2011/12/24 一种基于以太网加载FPGA和DSP的实现方法 介绍了脱离仿真器直接使用外部计算机通过网口进行程序代码加载的基本原理, 讨论分析了网络接口、FPGA接口和HPI接口的访问控制等关键技术。详述了在包含CPU、FPGA和DSP的复杂系统设计方案中基于以太网加载FPGA和DSP的实现。该技术在系统工程化的应用中具有很好的前景。 發(fā)表于：2011/12/23 莱迪思获奖的MachXO2 PLD系列所有成员都已量产 莱迪思半导体公司（NASDAQ：LSCC）今天宣布其获奖的MachXO2™系列PLD（可编程逻辑器件）的所有成员已完全合格，并批量生产。最近被EDN杂志选定为2011年“100个热门”产品，MachXO2 PLD系列包括9款器件，有 29种器件/封装组合，以满足广泛的客户需求。 發(fā)表于：2011/12/22 基于高速定点FFT算法的FPGA设计方案 针对高速实时信号处理的要求，软件实现方法显然满足不了其需要。近年来现场可编程门阵列(FPGA)以其高性能、高灵活性、友好的开发环境、在线可编程等特点，使得基于FPGA的设计可以满足实时数字信号处理的要求，在市场竞争中具有很大的优势。 發(fā)表于：2011/12/22 FPGA在导弹上信息处理机中的应用 信息处理机(图1)用于完成导弹上多路遥测信息的采集、处理、组包发送。主要功能包括高速1553B总线的数据收发 、422接口设备的数据加载与检测、多路数据融合和数据接收、处理、组包发送的功能。其中，总线数据和其他422接口送来的数据同时进行并行处理;各路输入信息按预定格式进行融合与输出;数据输出速率以高速同步422口的帧同步脉冲为源，如果高速同步422口异常不影响总线数据和其它422口的数据融合与输出功能。在CPU发生异常或总线数据异常时不影响其它422口数据的融合与输出功能;能够对从总线上接收的数据进行二次筛选、组包，并发送往总线，供其它设备接收。 發(fā)表于：2011/12/22 基于VHDL/CPLD的I2C串行总线控制器设计及实现 分析了I2C串行总线的数据传输机制，用VHDL设计了串行总线控制电路，其中包括微处理器接口电路和I2C总线接口电路。采用ModelSim Plus 6.0 SE软件进行了前仿真和调试,并在Xilinx ISE 7.1i开发环境下进行了综合、后仿真和CPLD器件下载测试。 结果表明实现了I2C串行总线协议的要求。 發(fā)表于：2011/12/22 基于DSP的输电线路局部气象在线监测装置 基于DSP的输电线路局部气象在线监测装置充分发挥了“DSP+CPLD”体系的优点，能够实现环境温度、大气压力、湿度、风速和风向等参数的多通道采集、数据处理、自然灾害预警等功能，对提高输电线路乃至整个电网的安全可靠性具有重要的现实意义 發(fā)表于：2011/12/22 多维设计技术力促3D芯片 您可能听说过这样的宣传：随着目前还是平面结构的裸片向多层结构的过渡，半导体制造基础在今后几年内将发生重大转变。为了使这种多层结构具有可制造性，全球主要半导体组织作出了近10年的不懈努力，从明年开始三维（3D）IC将正式开始商用化生产——比原计划落后了好几年。 發(fā)表于：2011/12/22 <…326327328329330331332333334335…>
