電子元件相關文章 高通芯片組曝多個安全漏洞，可造成緩沖區(qū)溢出導致數據泄露 近日，高通發(fā)布了一個安全補丁，以解決其芯片組中的多個安全漏洞，其中一些漏洞可能被利用導致信息泄露和內存損壞。 發(fā)表于：1/8/2023 國內首臺高可靠自主化光纖電流互感器通過技術鑒定 科技日報訊 （記者華凌）近日，中國電機工程學會組織來自電力、光學等領域的專家，對我國首臺“高可靠自主化光纖電流互感器”進行技術鑒定。以中國科學院院士陳維江為代表的行業(yè)專家一致認為，該項目形成全系列光學電流互感器成套裝備，代表領域內國際最高技術水平，對實現領域內科技自立自強與創(chuàng)新超越具有重要意義。 發(fā)表于：1/8/2023 3毫秒完成IO配置支持PCIe 2.0的這款低功耗FPGA還有什么特點？ 6月25日，萊迪思半導體（Lattice）推出一款基于28納米FD-SOI（全耗盡絕緣層上硅）工藝的低功耗通用可編程器件Certus-NX。這是萊迪思在6個月內推出的第二款NX系列FPGA產品，該系列的第一款產品Crosslink-NX配置MIPI（移動處理器接口，Mobile Industry Processor Interface）接口，主要面向機器視覺、圖像處理等應用；除延續(xù)NX系列低功耗高IO密度特點之外，Certus-NX在高速接口上則選擇了支持PCIe 2.0，并支持千兆以太網接口（GigaE）,并支持QSPI閃存以縮短FPGA配置時間，而且強化了NX系列軟錯誤率（SER）低的特點，更適合工業(yè)與車載應用。 發(fā)表于：1/7/2023 Silicon Labs力助Yeelight易來快速推出其首款支持Matter的人在傳感器 采用Silicon Labs MG24無線SoC的Yeelight Pro P20人在傳感器可為跨多個生態(tài)系統的智能家居應用場景提供可靠、安全和超低功耗的連接 發(fā)表于：1/6/2023 供應商修訂協議，采用浮動定價，特斯拉或被迫高價買鋰 1月4日消息，當地時間周二，澳大利亞鋰礦商Piedmont Lithium宣布修訂與電動汽車制造商特斯拉之間的鋰礦供應協議，這可能迫使后者以更高價格購買鋰電池原料。 發(fā)表于：1/6/2023 摩托羅拉宣布印度版 10 款智能手機啟用支持 Jio 5G 網絡 IT之家 1 月 5 日消息，摩托羅拉今天宣布，已經在亞洲國家 / 地區(qū)銷售的 10 款符合條件的設備上啟用了對 Jio 5G 網絡的支持。這些設備將在 Jio True 5G 網絡上支持 13 個 5G 頻段。 發(fā)表于：1/6/2023 2025年我國退役動力電池累計137.4GWh，產值預計可超千億規(guī)模 動力電池即為工具提供動力來源的電源，多指為電動汽車、電動列車、電動自行車、高爾夫球車提供動力的蓄電池。其主要區(qū)別于用于汽車發(fā)動機啟動的啟動電池。 多采用閥口密封式鉛酸蓄電池、敞口式管式鉛酸蓄電池以及磷酸鐵鋰蓄電池。 發(fā)表于：1/6/2023 聯發(fā)科發(fā)布物聯網芯片Genio 700：采用6nm工藝 今天，聯發(fā)科正式發(fā)布了新一代智能物聯網平臺“Genio 700”，適用于智能家居、智能零售、工業(yè)物聯網產品。 發(fā)表于：1/6/2023 重新審視國內半導體發(fā)展思路 半導體不是一個容易進入的市場，這阻礙了中國之前建立本土產業(yè)的努力。目前，中國正努力結束對外國芯片的依賴，這是中國的第五次嘗試。國家對半導體行業(yè)投入大量資金的一個重要影響是改變了中國企業(yè)家和企業(yè)的激勵結構，提高了他們進入半導體行業(yè)的吸引力。 發(fā)表于：1/5/2023 在智能手表中應用的穿戴心率光發(fā)射芯片 隨著移動技術的發(fā)展，許多傳統的電子產品也開始增加移動方面的功能，比如過去只能用來看時間的手表，現今也可以通過智能手機或家庭網絡與互聯網相連，顯示來電信息、Twitter和新聞feeds、天氣信息等內容。 發(fā)表于：1/5/2023 分析師：芯片過剩將持續(xù)至秋季 但汽車芯片依舊短缺 行業(yè)分析師稱，2022年下半年出現的半導體過剩預計至少要到2023年秋季才會緩解，但影響汽車行業(yè)的短缺可能會持續(xù)全年。 發(fā)表于：1/5/2023 芯片報廢率80%的3nm可憐蟲：這下有救了 去年底臺積電宣布3nm量產，預計今年年中之后在終端層面開始大規(guī)模應用。 發(fā)表于：1/5/2023 安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領先業(yè)界的高能效 安森美(onsemi)將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業(yè)驅動應用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領域的領導者地位。 發(fā)表于：1/5/2023 ARM發(fā)力汽車芯片業(yè)務：未來幾年將死磕英特爾和MIPS 新浪科技訊 北京時間1月4日下午消息，據報道，自2020年以來，芯片設計公司ARM的汽車業(yè)務營收增長了一倍多。此舉正值ARM在上市之前尋求新的增長引擎。未來數年，預計ARM將在汽車芯片市場死磕英特爾和MIPS等競爭對手，且短期內無法分出勝負。 發(fā)表于：1/4/2023 集成高 k 鈣鈦礦氧化物和二維半導體的新型晶體管 二維(2D)半導體，如二硫化鉬和黑磷，可以與硅技術競爭，因為它們的原子級厚度，優(yōu)異的物理性能，并與經典的互補金屬氧化物半導體(CMOS)技術兼容。實現大規(guī)模二維半導體集成電路的先決條件是原材料的高質量和均勻性的大規(guī)模生產。硅晶片是通過切割大塊單晶錠獲得的，而大面積的二維半導體通常是通過自下而上的沉積方法獲得的。生長過程中引入的晶界和晶體缺陷等缺陷往往會導致電子性能的嚴重退化。絕緣襯底上的晶片級單晶2D半導體是非常需要的，但是它們的生長仍然是極具挑戰(zhàn)性的。 發(fā)表于：1/4/2023 ?…84858687888990919293…?
