電子元件相關(guān)文章 一场关于3nm先进工艺芯片的竞赛开启，三星旗舰机将全部采用高通骁龙芯片？ 集邦咨询发布的一份资料显示，三星电子今年第二季的闪存芯片市占率环比下滑，SK 海力士则有所上升。三星电子第二季销售额环比减少 5.4%，为 59.8 亿美元。其市占率环比下滑 2.3 个百分点，为 33%。 發(fā)表于：2022/9/6 骁龙6 Gen1的参数遭到曝光，这款芯片或将全面统治低端机市场？ 近日，多款采用4nm制程芯片的手机，被用户吐槽存在发热量高和功耗高等方面的问题。据了解，此次涉嫌功耗过热的三款顶级手机芯片，分别是高通骁龙8 Gen 1、三星Exynos 2200、联发科天玑9000，均为目前各厂商高端芯片的代表。同时，天玑9000的生产商为台积电，Exynos 2200和骁龙 8 Gen 1的生产商三星，为排名前两位的芯片代工制造商。 發(fā)表于：2022/9/6 美国禁令最坏的状况要来了 在美国把对中国半导体的封控选在高端GUP芯片的时候，令人难以想象的场景已经来临。杰富瑞集团（Jefferies）的分析师预测最坏的状况是，华盛顿继续扩大禁令的范围，直到禁止台积电、三星等晶圆代工厂为中国的IC企业代工。目前，美国还没有采取这一选项。在采取更为激烈的行动时，美国应该会评估打击的效果。不过，也没有人能确保美国会不采取这种手段。 發(fā)表于：2022/9/6 淘汰赛开打，国产芯片公司的五种“死法” 以终为始，方得始终。从开始就要考虑到最终的结果，中国市场最终不需要那么多芯片公司，大浪淘沙，胜者为王。 發(fā)表于：2022/9/6 电力电子课程第 1 部分：什么是电子电力 [导读]电力电子在当今的技术中发挥着重要作用，能源管理变得极为重要。除了安全之外，提高所有设备的效率也是保护环境的责任。 本课程将以简单易懂的方式涵盖广泛的主题。它将包括各种技术解释、数学概念、图表和电子模拟。 發(fā)表于：2022/9/6 入门：什么是芯片解密?芯片的制作流程是什么样的? [导读]为增进大家对芯片的认识，本文将对芯片解密、芯片的制作过程予以介绍。 發(fā)表于：2022/9/6 入门：芯片设计为何如此之难?芯片设计的难点在哪? [导读]为了增进大家对芯片的认识，本文将对芯片在设计的过程中存在的两个难点予以介绍。 發(fā)表于：2022/9/6 入门：微流控芯片有哪些分类?微流控芯片是如何清洗的? [导读]为增进大家对芯片的认识，本文将对微流控芯片的分类，以及微流控芯片的清洗予以介绍。 發(fā)表于：2022/9/6 存储芯片大跌35%，三星受伤，国产存储更受伤 芯片产业都是周期性的，有高峰就会有低谷。去年可以说是全球芯片产业的高峰，但现在已经开始往下走，估计离低谷已经不远了。 發(fā)表于：2022/9/6 新型AI芯片，边缘物联网时代即将到来？ 近年来，边缘计算技术试图让这些设备在不依赖互联网的情况下仍然可以保持智能，这就要求它们所搭载的芯片本身具有处理AI任务的能力。这些小型设备所搭载的电池电量十分有限，往往不足以处理复杂的AI任务。 發(fā)表于：2022/9/5 全面屏方面，使用屏下摄像头技术的手机在2022年下半年迎来一波发布小高潮？ 这款芯片很难订到货，我联系原厂都没找到，你能帮我找到货吗?”在近日深圳的一场电子展上，不时会听闻此类问询，缺芯的焦急感瞬间充斥于交谈中。若再穿梭于展台间，消费电子芯片局部过剩的讯息又不绝于耳，动辄百分之八九十的跌价更是令人咋舌。 發(fā)表于：2022/9/5 芯片“弯道超车”的王牌，可能要让大家失望了 从美国芯片法案，到国内“反腐风暴”，全球芯片行业正在经历新周期前的巨变。 就在这样的一个时间点上，一种叫做Chiplet（芯粒）的技术突然火了。 發(fā)表于：2022/9/5 3D封装，全产业链缺一不可 1971年英特尔发布的第一款CPU 4004内部晶体管数约有2300个，5年后，英特尔的Ponte Vecchio处理器将47个小芯片超过1000亿个晶体管封装到一个处理器中，过程中同时使用2.5D和3D技术。 發(fā)表于：2022/9/5 防破音立体声D类音频功率放大器 音频功率放大器是组成音频系统的核心器件，其功能为放大来自音源或前级放大器输出的弱信号，并驱动扬声器、发射换能器等播放设备发出声音。由于播放设备对播放效果有着较高的要求，音频功放必须具有效率高、保真度高、功耗低、可靠性高等特性。 發(fā)表于：2022/9/2 有望成为“最佳半导体”的材料 高热导率、高电子和空穴迁移率的半导体材料对于电子和光子器件以及基础研究具有重要意义。在超高导热材料中，立方砷化硼(c-BAs：cubic boron arsenide)的电子和空穴迁移率理论上可以同时达到>1000cm?/(Vs)。尽管存在空间差异，但利用光学瞬变光栅技术，在常温条件下，我们在立方砷化硼样品的同一位置测量到了1200 W/(m·K)的热导率和1600cm?/(Vs)的双极迁移率。以此为基础的计算表明，降低电离杂质浓度和中性杂质浓度分别是获得高迁移率和高热导率的关键。高双极迁移率的同时具有超高导热率。 换而言之，立方砷化硼有望成为下一代电子产品的候选材料。 發(fā)表于：2022/9/2 <…118119120121122123124125126127…>
