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英領(lǐng)物聯(lián) | 成為“功率器件”的大滿貫選手

　　[導(dǎo)讀]從碳達(dá)峰到碳中和，無(wú)疑是需要付出艱苦努力的。對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)從業(yè)者們來(lái)說(shuō)，則意味著一系列與新能源、電子轉(zhuǎn)換、節(jié)電相關(guān)的技術(shù)產(chǎn)品需求會(huì)在未來(lái)幾年內(nèi)迅速升溫。我們有理由相信，面對(duì)浩瀚如海洋星辰的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)，通過(guò)持續(xù)的材料、技術(shù)與應(yīng)用創(chuàng)新，英飛凌將為產(chǎn)業(yè)帶來(lái)更多低碳、高效的互聯(lián)解決方案。

發(fā)表于：9/12/2022

入門：通過(guò)并聯(lián) SiC MOSFET 獲得更多功率

　　[導(dǎo)讀]開(kāi)關(guān)、電阻器和MOSFET的并聯(lián)連接的目的是劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更大功率的設(shè)備。它們可以并聯(lián)以增加輸出電流的容量。因?yàn)樗鼈儾皇軣嵊绊懖环€(wěn)定性，并聯(lián)連接通常比其他更過(guò)時(shí)的組件更簡(jiǎn)單，更不重要。碳化硅MOSFET也可以與其他同類器件并聯(lián)使用。多個(gè)單元之間的簡(jiǎn)單并聯(lián)在正常條件下工作良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關(guān)的異常事件中，操作條件可能變得至關(guān)重要。因此，必須采取一定的預(yù)防措施來(lái)創(chuàng)建防故障電路，以便它們能夠充分利用功率器件并聯(lián)所提供的優(yōu)勢(shì)。

發(fā)表于：9/12/2022

電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

　　[導(dǎo)讀]基于硅（Si）的電力電子產(chǎn)品長(zhǎng)期以來(lái)一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)。由于其重要的優(yōu)勢(shì)，碳化硅（SiC）近年來(lái)在市場(chǎng)上獲得了很大的空間。隨著新材料的應(yīng)用，電子開(kāi)關(guān)的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)電氣特性得到了顯著改善。

發(fā)表于：9/12/2022

電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

　　[導(dǎo)讀]在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間太長(zhǎng)，尤其是在高功率時(shí)。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開(kāi)關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場(chǎng)效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管的開(kāi)關(guān)器件，這個(gè)問(wèn)題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。

發(fā)表于：9/12/2022

電力電子課程：第 6 部分 - BJT

　　[導(dǎo)讀]BJT是所有電子元件之王，它改變了電子技術(shù)的進(jìn)程。晶體管_也可以是一個(gè)功率元件，并允許重要的電流值通過(guò)。功率 BJT 雖然采用與信號(hào)晶體管不同的技術(shù)制造，但具有非常相似的工作特性。主要區(qū)別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此，需要以相當(dāng)高的基極電流驅(qū)動(dòng)功率晶體管。

發(fā)表于：9/12/2022

入門：什么是PLC控制系統(tǒng)?安全PLC與普通PLC有什么區(qū)別?

　　[導(dǎo)讀]為增進(jìn)大家對(duì)PLC的認(rèn)識(shí)，本文將基于兩點(diǎn)介紹PLC：1.什么是PLC控制系統(tǒng)，2.安全PLC和普通PLC有什么區(qū)別？

發(fā)表于：9/12/2022

入門：PLC近幾十年是如何發(fā)展的?PLC可用于哪些領(lǐng)域?

　　[導(dǎo)讀]為增進(jìn)大家對(duì)PLC的認(rèn)識(shí)，本文將基于兩點(diǎn)介紹PLC：1.PLC近幾十年是如何發(fā)展的？2.PLC可用于哪些領(lǐng)域？

發(fā)表于：9/12/2022

教學(xué)：可編程 USB 轉(zhuǎn)串口適配器開(kāi)發(fā)板 UART 轉(zhuǎn) SPI 應(yīng)用

　　[導(dǎo)讀]GD25Qxx 是四線SPI 接口的 FLASH 芯片，最大容量可達(dá) 16Mbytes。板上集成有 GD25Q64 芯片，每頁(yè) 256 字節(jié)，每扇區(qū) 16 頁(yè)（4k 字節(jié)），每塊區(qū) 256 頁(yè)（64k），寫入前必須先擦除，本芯片支持扇區(qū)擦除、塊區(qū)擦除和整片擦除。

發(fā)表于：9/12/2022

教學(xué)：可編程 USB 轉(zhuǎn)串口適配器開(kāi)發(fā)板 DS1302 時(shí)鐘芯片參數(shù)讀取與修改

　　[導(dǎo)讀]DS1302 是實(shí)時(shí)時(shí)鐘芯片，SPI 接口，可以對(duì)年、月、日、周、時(shí)、分、秒進(jìn)行計(jì)時(shí)，且具有閏年補(bǔ)償?shù)榷喾N功能。DS1302 內(nèi)部有一個(gè) 31×8 的用于臨時(shí)性存放數(shù)據(jù)的 RAM 寄存器。

發(fā)表于：9/12/2022

最強(qiáng)手機(jī)芯片誕生：4nm，160億晶體管，CPU比高通8+強(qiáng)50%

隨著iPhone14系列手機(jī)發(fā)布，最強(qiáng)的手機(jī)芯片也就誕生了，它就是iPhone14Pro兩款手機(jī)中使用的A16芯片。

發(fā)表于：9/12/2022

國(guó)產(chǎn)常用32位單片機(jī)MCU-APT32F1023性能介紹

　MCU又稱單片機(jī)；是把CPU的頻率與規(guī)格做適當(dāng)縮減，并將內(nèi)存、計(jì)數(shù)器、USB、A/D轉(zhuǎn)換、UART、PLC、DMA等周邊接口，甚至LCD驅(qū)動(dòng)電路整合在單一芯片上，形成的芯片級(jí)計(jì)算機(jī)，主要為不同的應(yīng)用做不同組合控制。

發(fā)表于：9/10/2022

RISC-V內(nèi)核的單片機(jī)MCU芯片APT32F1104

　RISC-V架構(gòu)愈發(fā)受到全球芯片行業(yè)的重視，RISC-V是第五代基于精簡(jiǎn)指令集計(jì)算(RISC)原理建立的開(kāi)放指令集架構(gòu)(ISA)由于 RISC-V 的開(kāi)源優(yōu)勢(shì)、更好的功耗性能、可靠的安全功能等，已經(jīng)成為業(yè)界新星，而MCU正是RISC-V構(gòu)架應(yīng)用最為廣泛的領(lǐng)域。

發(fā)表于：9/10/2022

英特爾，三年后重返巔峰？

據(jù)tomshardware報(bào)道，在日前參加 Evercore ISI TMT 會(huì)議的時(shí)候，Pat Gelsinger表示，至少在2023年之前，公司預(yù)計(jì)還將繼續(xù)失去數(shù)據(jù)中心的市場(chǎng)份額，按照他的說(shuō)法，這主要是因?yàn)椤案?jìng)爭(zhēng)對(duì)手勢(shì)頭太猛，但英特爾執(zhí)行的不夠好。因此我們確實(shí)預(yù)計(jì)會(huì)繼續(xù)丟去份額，我們也跟不上總體 TAM 增長(zhǎng)”。

發(fā)表于：9/9/2022

日本240億美元加碼電池，寧德時(shí)代麒麟電池提前量產(chǎn)

眾所周知，新能源車中，最重要的就是電池了，電池也占了汽車廠商成本的一大頭。隨著新能源汽車規(guī)模的不斷擴(kuò)大，全球的新能源廠商也進(jìn)入了“競(jìng)賽”行列。近日，日本不甘落后就提出了240億美元的投資計(jì)劃，力爭(zhēng)改變?nèi)蛐履茉措姵匾灾袊?guó)市場(chǎng)為主導(dǎo)的格局。

發(fā)表于：9/8/2022

教學(xué)：使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)檢測(cè) VM振弦采集模塊測(cè)量精度對(duì)比

　　[導(dǎo)讀]真值是檢測(cè)任何設(shè)備測(cè)量精度的基礎(chǔ)條件，真值不能用信號(hào)發(fā)生器號(hào)稱的誤差來(lái)衡量、不能用電阻標(biāo)稱的阻值來(lái)衡量。獲取真值最可靠的辦法是使用比要檢測(cè)精度更高一個(gè)數(shù)量級(jí)的儀表去測(cè)量。例如：電阻的值必須要用 6 位半或者更高精度的儀表測(cè)量后才能確定真實(shí)的電阻到底是多少。信號(hào)發(fā)生器也必須用一個(gè)更高精度的頻率測(cè)量設(shè)備檢測(cè)后才可以使用。如果“真值” 是不可靠的，那么對(duì)任何設(shè)備的精度檢測(cè)工作，都會(huì)是徒勞的。

發(fā)表于：9/8/2022