工業(yè)自動(dòng)化最新文章 消息称美光正在全球扩张HBM内存产能 目标相关领域市占看齐整体 DRAM，消息称美光正全球扩张 HBM 内存产能 發(fā)表于：2024/6/20 三星电子存储部门宣布进行重组 三星电子存储半导体领导宣布下半年重组。这次会议是在新任设备解决方案（DS）部门负责人全永铉上任后举行的，标志着公司可能在高带宽内存（HBM）等核心业务上寻求新的突破。 据业内人士19日透露，三星电子存储部门前一天召开了会议。存储部门总经理兼总裁Jungbae Lee主持了会议，该部门的主要高管出席了会议。 發(fā)表于：2024/6/20 Intel 3制程已大批量生产 6月20日消息，据Tom's hard ware报道，当地时间周三，处理器大厂英特尔宣布其 3nm 级制程工艺技术“Intel 3”已在两个工厂投入大批量生产，并提供了有关新的制程节点更多细节信息。 据介绍，Intel 3 带来了更高的性能和更高的晶体管密度，并支持 1.2V 电压，相比Intel 4 带来了18%的性能提升，适用于超高性能应用。该节点面向英特尔自己的产品以及代工客户。它还将在未来几年内还将会推出Intel 3-T、Intel 3-E、Intel 3P-T等多个演进版本。 發(fā)表于：2024/6/20 龙芯中科发布龙芯2K0300蜂鸟开发系统 龙芯 2K0300 蜂鸟开发系统发布：小尺寸模块化设计、支持接口拓展 6 月 19 日消息，龙芯中科昨日在广州发布龙芯 2K0300 蜂鸟开发系统。该系统基于龙芯中科首款芯片 2K0300 打造。 發(fā)表于：2024/6/20 imec首次展示功能性单片CFET器件 imec首次展示功能性单片CFET器件 發(fā)表于：2024/6/20 芬兰Flow Computing公司成功研发出全新芯片技术 芬兰Flow Computing公司成功研发出全新芯片技术 發(fā)表于：2024/6/20 一文了解SiC MOS的应用 SiC MOS，碳化硅MOSFET，世辉，基本半导体 發(fā)表于：2024/6/19 台积电南京已获美国商务部VEU授权 台积电南京已获美国商务部VEU授权 發(fā)表于：2024/6/19 国内最大电感式传感器工厂武汉投产 国内最大，武汉理岩电感式传感器工厂投产：核心芯片自主研发 6 月 18 日消息，从中国光谷官方公众号获悉，国内最大的自主品牌电感式位置传感器生产基地在光谷投产。 發(fā)表于：2024/6/19 三井化学宣布量产新一代CNT光刻薄膜 日本三井化学宣布量产新一代 CNT 光刻薄膜，支持 ASML 新一代光刻机 發(fā)表于：2024/6/19 中国科大人形机器人研究院揭牌 中科大人形机器人研究院揭牌 發(fā)表于：2024/6/19 HBM订单2025年已预订一空 据台湾电子时报，存储芯片供应链透露，上游存储原厂HBM订单2025年预订一空，订单能见度可达2026年一季度。SK海力士、美光2024年HBM提前售罄，2025年订单也接近满载，估计合计供应给英伟达的HBM月产能约当6万多片。 發(fā)表于：2024/6/19 新华三与富士康合作在马来西亚建设其首个海外工厂 新华三与富士康合作，在马来西亚建设其首个海外工厂 發(fā)表于：2024/6/19 消息称三星正考虑将得州工厂工艺规划从4nm改为2nm 6 月 18 日消息，据 Etnews 报道，三星电子正在考虑将其美国得克萨斯州泰勒工厂的工艺制程从 4 纳米改为 2 纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季度做出最终决定。 發(fā)表于：2024/6/19 SEMI：全球半导体晶圆厂产能今明两年将分别增长 6%、7% SEMI：全球半导体晶圆厂产能今明两年将分别增长 6%、7% 發(fā)表于：2024/6/19 <…211212213214215216217218219220…>
