1 月 20 日消息，2026 年 1 月 18 日在美光紐約工廠奠基儀式上，美國商務(wù)部部長霍華德 · 盧特尼克（Howard Lutnick）釋放明確信號(hào)：存儲(chǔ)芯片制造商要么選擇在美國本土建廠，要么面臨高達(dá) 100% 的懲罰性關(guān)稅。

繼臺(tái)積電、三星等企業(yè)響應(yīng)“美國制造”號(hào)召進(jìn)行投資后，美國政府此次將矛頭明確指向了 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）供應(yīng)鏈，意圖通過高額關(guān)稅倒逼全球存儲(chǔ)巨頭將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至美國，而此舉可能會(huì)進(jìn)一步推高全球內(nèi)存價(jià)格。

盡管三星電子和 SK 海力士已在美國布局，但其現(xiàn)有規(guī)劃恐難逃新政制裁。三星此前雖已宣布在美投入半導(dǎo)體前道和后道工序，但目前尚無新建專門用于生產(chǎn)內(nèi)存芯片的晶圓廠計(jì)劃。

與此同時(shí)，SK 海力士近期雖宣布在印第安納州西拉法葉投資 40 億美元（IT之家注：現(xiàn)匯率約合 279.07 億元人民幣），但該項(xiàng)目主要聚焦于 2.5D 先進(jìn)封裝與研發(fā)工作，并未包含 DRAM 生產(chǎn)線。

目前僅有美光科技一家主要廠商明確致力于在美國本土生產(chǎn) DRAM 芯片。若新政落地，這兩家韓國巨頭將首當(dāng)其沖，面臨極為嚴(yán)峻的經(jīng)營風(fēng)險(xiǎn)。

這一政策對(duì)本已緊張的全球存儲(chǔ)市場而言無異于雪上加霜。受人工智能產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長的驅(qū)動(dòng)，DRAM 價(jià)格此前已攀升至歷史高位，產(chǎn)能擴(kuò)張本就面臨巨大挑戰(zhàn)。

科技媒體 Wccftech 認(rèn)為，若美國強(qiáng)行實(shí)施 100% 關(guān)稅，將導(dǎo)致供應(yīng)鏈成本劇增，進(jìn)而引發(fā)存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)一步失控。對(duì)于正處于高速發(fā)展期的 AI 行業(yè)而言，核心硬件成本的暴漲可能成為阻礙技術(shù)普及的“攔路虎”，而最終的成本壓力極大概率將轉(zhuǎn)嫁給下游廠商及普通消費(fèi)者。