4月24日消息，據(jù)媒體報(bào)道，隨著1y和1z制程8Gb DDR4逐漸停產(chǎn)，三星也將停止其HBM2E產(chǎn)品的生產(chǎn)，目前已進(jìn)入最后采購(gòu)階段，接下來(lái)會(huì)將重點(diǎn)轉(zhuǎn)向HBM3E和HBM4。

近年來(lái)，隨著人工智能、高性能計(jì)算和PC對(duì)高性能內(nèi)存需求的快速增長(zhǎng)，HBM內(nèi)存的市場(chǎng)前景廣闊。

但三星在HBM產(chǎn)品開發(fā)和銷售上一直落后于SK海力士和美光，為了更好地與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手抗衡，三星需要加快技術(shù)迭代，將資源集中到新一代產(chǎn)品上。

三星并非唯一一家進(jìn)行產(chǎn)品調(diào)整的內(nèi)存巨頭，美光已通知客戶將停止生產(chǎn)服務(wù)器用DDR4內(nèi)存模塊，而SK海力士也被傳將減少DDR4的產(chǎn)量，將其生產(chǎn)比例降至20%。

此外，中國(guó)內(nèi)存廠商的崛起也對(duì)三星等傳統(tǒng)巨頭構(gòu)成了壓力，報(bào)道稱，中國(guó)廠商的激進(jìn)定價(jià)策略已使2023年至2024年間的平均內(nèi)存價(jià)格下降超過(guò)60%。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已量產(chǎn)16納米DDR5，并計(jì)劃在2025年將產(chǎn)能提高到每月18萬(wàn)片晶圓，目標(biāo)是在2026年切入LPDDR5和車用DRAM市場(chǎng)，未來(lái)進(jìn)軍HBM也只是時(shí)間問(wèn)題。