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美國(guó)要再出手,全面鎖死中國(guó)18nm以下DRAM、128層以上NAND芯片

2023-02-28
來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
關(guān)鍵詞: DRAM NAND 芯片

眾所周知,從去年10月份開始,美國(guó)對(duì)中國(guó)的芯片產(chǎn)業(yè)就進(jìn)行了一輪新的打壓,并且是全面的打壓。

按照當(dāng)時(shí)的禁令,對(duì)18納米以下DRAM內(nèi)存的生產(chǎn)設(shè)備,128層以上NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備,以及14納米以下邏輯芯片的生產(chǎn)設(shè)備全部禁售。

很明顯,美國(guó)的目的就是要鎖死這些先進(jìn)芯片的生產(chǎn),讓中國(guó)只能生產(chǎn)落后的芯片,然后先進(jìn)的芯片靠進(jìn)口,這樣美國(guó)不僅可以獲得經(jīng)濟(jì)上的利益,還能夠繼續(xù)卡住我們的脖子。

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不過當(dāng)時(shí),考慮到一些國(guó)外廠商在中國(guó)也設(shè)有晶圓廠,并且是涉及到先進(jìn)工藝的,比如韓國(guó)三星、SK海力士在國(guó)內(nèi)的DRAM、NAND廠。

比如三星在西安設(shè)有生產(chǎn)兩座NAND工廠生產(chǎn)128/176層存儲(chǔ)芯片。SK海力士在無錫擁有兩座DRAM晶圓廠,生產(chǎn)14nm工藝的。

所以美國(guó)對(duì)韓企進(jìn)行了豁免一年,即三星、SK海力士的工廠,暫時(shí)不受限,可以采購(gòu)到先進(jìn)的設(shè)備,用來生產(chǎn)18nm以下DRAM、128層以上NAND。

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但是這個(gè)豁免可能也要收緊了,美國(guó)商務(wù)部副部長(zhǎng)Alan Estevez 2月23日在華府智庫(kù)戰(zhàn)略與國(guó)際研究中心(CSIS) 主辦的論壇中表示:“美方可能對(duì)韓企在中國(guó)的成長(zhǎng)程度設(shè)限,那些公司會(huì)被要求停留于目前所處的堆疊層數(shù),或其技術(shù)范圍內(nèi)某水平?!?/p>

什么意思?意思就是接下來美國(guó)會(huì)出手,韓企也會(huì)受限,不準(zhǔn)這些韓企再采購(gòu)先進(jìn)設(shè)備了,也不準(zhǔn)這些韓企的芯片制造工藝前進(jìn)了。

更確切一點(diǎn)的來講,就是美國(guó)計(jì)劃全面鎖死中國(guó)18nm以下DRAM、128層以上NAND芯片制造,不管是國(guó)外企業(yè),還是中國(guó)本土企業(yè),都鎖住。

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這會(huì)導(dǎo)致什么后果?一是中國(guó)大陸境內(nèi),基本上就接觸不到先進(jìn)工藝的設(shè)備,徹底與這些設(shè)備無緣了,這個(gè)影響有多大,大家懂的。

其次,這些韓企后續(xù)為了發(fā)展,可能不得不外遷,遷到一些不受限的國(guó)家和地區(qū)去,這對(duì)中國(guó)制造也會(huì)形成大的沖擊,因?yàn)檫@些外企一遷,又會(huì)影響到上、下游的供應(yīng)鏈……

可見,我們不能抱有任何幻想,只有自研、突破,讓對(duì)方?jīng)]有脖子可卡才行。



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