與非網(wǎng)6月1日訊 半導(dǎo)體制造商GLOBAL FOUNDRIES與航空航天和國防技術(shù)公司Raytheon Technologies將合作開發(fā)一種新的硅基氮化鎵（GaN-on-Si）半導(dǎo)體，并將其商業(yè)化，以支持未來的無線網(wǎng)絡(luò)。

　　領(lǐng)先的航空航天和國防科技公司RaytheonTechnologies（NYSE：RTX）和全球領(lǐng)先的特殊工藝半導(dǎo)體制造商格芯（GLOBALFOUNDRIES）將協(xié)作開發(fā)新型硅基氮化鎵（GaN-on-Si）半導(dǎo)體并實(shí)現(xiàn)其商業(yè)化。這種半導(dǎo)體將為5G和6G移動(dòng)及無線基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用帶來顛覆性的射頻性能。

　　根據(jù)協(xié)議，Raytheon Technologies將授權(quán)格芯使用其專有的硅基氮化鎵技術(shù)和專業(yè)知識(shí)，在其位于佛蒙特州伯靈頓的Fab 9廠開發(fā)這種新型半導(dǎo)體。氮化鎵是一種獨(dú)特的材料，用于制造可耐受高熱量和高功率水平的高性能半導(dǎo)體。這種優(yōu)點(diǎn)使得它非常適合處理5G和6G無線信號(hào)，因?yàn)檫@些信號(hào)需要比傳統(tǒng)無線系統(tǒng)更高的性能水平。

　　雷神技術(shù)公司是先進(jìn)的射頻砷化鎵技術(shù)的先驅(qū)之一，廣泛用于移動(dòng)和無線市場。Raytheon Technologies 的首席技術(shù)官 Mark Russell 表示，他們在推進(jìn)用于先進(jìn)軍事系統(tǒng)的氮化鎵技術(shù)也處于世界的最前沿。

　　雷神技術(shù)公司將把其專有的GaN-on-Si技術(shù)授權(quán)給GF，后者將在其位于佛蒙特州伯靈頓的第9工廠開發(fā)這種新的半導(dǎo)體。

　　氮化鎵是一種用于構(gòu)建高性能半導(dǎo)體的材料，可以有效降低器件熱損耗提高功率水平。這使其成為處理5G和6G無線信號(hào)的理想選擇，與傳統(tǒng)的無線系統(tǒng)相比，這些信號(hào)需要更高的性能水平。

　　新的 GaN 產(chǎn)品將提高射頻性能并維持生產(chǎn)和運(yùn)營成本。這將使客戶能夠?qū)⒐β屎凸β矢郊有侍岣叩叫滤?，以滿足不斷發(fā)展的5G和6G毫米波工作頻率標(biāo)準(zhǔn)。

　　此次合作標(biāo)志著GLOBAL FOUNDRIES 在提供差異化解決方案方面的最新戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。在過去10年中，該公司已在美國半導(dǎo)體開發(fā)領(lǐng)域投資了150億美元。它計(jì)劃在2021年將其計(jì)劃投資增加一倍，以擴(kuò)大全球產(chǎn)能。

　　事實(shí)上，過去幾年，其他企業(yè)也在聯(lián)手推動(dòng)氮化鎵生產(chǎn)。

　　2018年，意法半導(dǎo)體宣布與美國MACOM聯(lián)合開發(fā)硅基氮化鎵產(chǎn)品，MACOM獲得了技術(shù)許可，增加了150mm的硅基氮化鎵晶片的生產(chǎn)能力，并能夠滿足200mm晶片的需求。

　　2020年2月，意法半導(dǎo)體宣布與臺(tái)積電合作，以加快氮化鎵工藝技術(shù)的開發(fā)，并向市場提供分立和集成的GaN器件。

　　2018年10月，II-VI宣布與住友電氣設(shè)備創(chuàng)新有限公司（SEDI）進(jìn)行戰(zhàn)略合作，建立垂直集成的150毫米晶圓制造平臺(tái)，以生產(chǎn)在支持下一代無線網(wǎng)絡(luò)的碳化硅基氮化鎵HEMT器件。