中國(guó)存儲(chǔ)器制造大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ),傳出今年產(chǎn)出將倍增,并計(jì)劃投產(chǎn)先進(jìn)芯片,杠上三星電子、美光等行業(yè)巨頭。
日經(jīng)亞洲評(píng)論12 日引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo),長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在2021下半年,將存儲(chǔ)器芯片的月產(chǎn)量倍增至10 萬(wàn)片硅晶圓,約占全球產(chǎn)出7%。相較之下,全球最大NAND 型快閃存儲(chǔ)器制造商三星的月產(chǎn)出為48 萬(wàn)片硅晶圓,美國(guó)最大存儲(chǔ)器廠商美光(Micron Technology, Inc.)則月產(chǎn)18 萬(wàn)片硅晶圓。
除了擴(kuò)產(chǎn)現(xiàn)有芯片,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也打算加快科技發(fā)展進(jìn)程,消息透露,長(zhǎng)江存儲(chǔ)最快2021年中就會(huì)試產(chǎn)第一批192 層3D NAND 快閃存儲(chǔ)器,目前生產(chǎn)的是64 層與128 層芯片。
雖然計(jì)劃可能拖延至2021 下半年,也需要時(shí)間確保量產(chǎn)品質(zhì),但這項(xiàng)時(shí)間表對(duì)于中國(guó)本土芯片業(yè)者而言仍是一大進(jìn)步。三星、美光仍在努力開(kāi)發(fā)176 層3D NAND,能量產(chǎn)的最先進(jìn)版則是128 層芯片。如果順利的化這將是中國(guó)公司在存儲(chǔ)器領(lǐng)域首次領(lǐng)先三星、美光等國(guó)際巨存儲(chǔ)頭。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃中的192 層芯片,定義上確實(shí)比三星、美光先進(jìn),但市場(chǎng)觀察人士依舊抱持謹(jǐn)慎態(tài)度,認(rèn)為應(yīng)看看長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品的效能、品質(zhì)能否超越領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)是在2020 年4 月宣布開(kāi)發(fā)完成,并于同年底量產(chǎn)128 層NAND。消息顯示,目前良率約70%,依舊有改善空間。長(zhǎng)江存儲(chǔ)的客戶包括聯(lián)想集團(tuán)及華為。
科技市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights 6 日發(fā)表研究報(bào)告指出,即使長(zhǎng)江存儲(chǔ)(YMTC)、長(zhǎng)鑫儲(chǔ)存(CXMT)努力打造新IC 生產(chǎn)線,到了2025 年,中國(guó)還是會(huì)有高于50% 的IC 是由外國(guó)廠商(如SKHynix、三星、臺(tái)積電、聯(lián)電)晶圓代工廠生產(chǎn)。