中國存儲器制造大廠長江存儲，傳出今年產(chǎn)出將倍增，并計劃投產(chǎn)先進芯片，杠上三星電子、美光等行業(yè)巨頭。

　　日經(jīng)亞洲評論12 日引述未具名消息人士報導(dǎo)，長江存儲計劃在2021下半年，將存儲器芯片的月產(chǎn)量倍增至10 萬片硅晶圓，約占全球產(chǎn)出7%。相較之下，全球最大NAND 型快閃存儲器制造商三星的月產(chǎn)出為48 萬片硅晶圓，美國最大存儲器廠商美光（Micron Technology, Inc.）則月產(chǎn)18 萬片硅晶圓。

　　除了擴產(chǎn)現(xiàn)有芯片，長江存儲也打算加快科技發(fā)展進程，消息透露，長江存儲最快2021年中就會試產(chǎn)第一批192 層3D NAND 快閃存儲器，目前生產(chǎn)的是64 層與128 層芯片。

　　雖然計劃可能拖延至2021 下半年，也需要時間確保量產(chǎn)品質(zhì)，但這項時間表對于中國本土芯片業(yè)者而言仍是一大進步。三星、美光仍在努力開發(fā)176 層3D NAND，能量產(chǎn)的最先進版則是128 層芯片。如果順利的化這將是中國公司在存儲器領(lǐng)域首次領(lǐng)先三星、美光等國際巨存儲頭。

　　長江存儲計劃中的192 層芯片，定義上確實比三星、美光先進，但市場觀察人士依舊抱持謹慎態(tài)度，認為應(yīng)看看長江存儲產(chǎn)品的效能、品質(zhì)能否超越領(lǐng)導(dǎo)業(yè)者。長江存儲是在2020 年4 月宣布開發(fā)完成，并于同年底量產(chǎn)128 層NAND。消息顯示，目前良率約70%，依舊有改善空間。長江存儲的客戶包括聯(lián)想集團及華為。

　　科技市調(diào)機構(gòu)IC Insights 6 日發(fā)表研究報告指出，即使長江存儲（YMTC）、長鑫儲存（CXMT）努力打造新IC 生產(chǎn)線，到了2025 年，中國還是會有高于50% 的IC 是由外國廠商（如SKHynix、三星、臺積電、聯(lián)電）晶圓代工廠生產(chǎn)。