12月8日消息，在全球?qū)＠V訟持續(xù)多年之后，長(zhǎng)江存儲(chǔ)首次在中國(guó)本土對(duì)美國(guó)存儲(chǔ)巨頭美光科技的中國(guó)專利發(fā)起了無效挑戰(zhàn)。

2025年12月3日至4日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局先后公開了三起長(zhǎng)江存儲(chǔ)挑戰(zhàn)美光3D存儲(chǔ)專利的案件信息。

涉及的三項(xiàng)專利名稱分別是：具有大致垂直的鄰近半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器陣列及其形成、三維存儲(chǔ)器及形成所述三維存儲(chǔ)器的方法、電荷存儲(chǔ)設(shè)備、系統(tǒng)及方法。

目前，美國(guó)專利局目前正在對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美國(guó)對(duì)美光專利提起的兩起專利無效IPRs請(qǐng)求進(jìn)行“國(guó)家安全審查”。

11月10日，美國(guó)專利商標(biāo)局要求長(zhǎng)江存儲(chǔ)給出理由，解釋為何在已被列入實(shí)體清單的情況下，其IPR申請(qǐng)仍應(yīng)被受理。

值得注意的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)對(duì)美光在中國(guó)的這三項(xiàng)專利發(fā)起無效的時(shí)間是在9月底和10月，早于美國(guó)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)施“國(guó)家安全審查”之前，二者之間并無直接關(guān)聯(lián)。

美光也在中國(guó)對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)的至少8件專利發(fā)起了無效挑戰(zhàn)，但由于中國(guó)專利局尚沒有類似可以拒絕受理的規(guī)定，美光發(fā)起的這些挑戰(zhàn)目前均處于正在審理階段。

截至目前（2025年12月），長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）與美光科技（Micron）之間的專利糾紛已持續(xù)兩年多，呈現(xiàn)出“多輪互訴、全球布局”的膠著態(tài)勢(shì)。以下按時(shí)間線梳理主要節(jié)點(diǎn)：

2023年11月

長(zhǎng)江存儲(chǔ)率先在美國(guó)加州北區(qū)聯(lián)邦法院起訴美光，指控其96層、128層、176層及232層3D NAND及部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品侵犯8件美國(guó)專利（如US10,950,623等），要求禁售并索賠。

2023年6月 – 美光反擊

美光在同年6月向美專利審判與上訴委員會(huì)（PTAB）提起反制，針對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)12件美國(guó)專利啟動(dòng)無效審查（IPR），試圖削弱對(duì)方專利壁壘。

2024年7月 – 長(zhǎng)江存儲(chǔ)加碼

長(zhǎng)江存儲(chǔ)在同一法院追加11件專利（總計(jì)19件），把訴訟范圍擴(kuò)大到更多存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品線；案件進(jìn)入證據(jù)開示階段。

2025年2月 – 法院證據(jù)裁決

美國(guó)聯(lián)邦巡回上訴法院維持原審裁定，要求美光向長(zhǎng)江存儲(chǔ)提交73頁高度機(jī)密工藝文檔（柵極厚度、蝕刻氣體配方、編程電壓曲線等），但須按嚴(yán)格保護(hù)令僅限外部律師查閱。

2025年5月 – 美光“國(guó)安牌”

美光以長(zhǎng)江存儲(chǔ)被列入實(shí)體清單、擔(dān)憂技術(shù)外泄為由，向美國(guó)最高法院申請(qǐng)緊急令，試圖推翻上述證據(jù)開示命令，但尚未獲支持。

2025年10月6日 – 全球同步出擊

長(zhǎng)江存儲(chǔ)再次升級(jí)攻勢(shì)，在德州東區(qū)法院提起第二起侵權(quán)訴訟，指控美光及全球分銷商安富利侵犯8件2020-2024年授權(quán)的新專利（US10,707,851、US12,068,250等），覆蓋176層至276層NAND及低功耗DRAM；幾乎同時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)在英國(guó)高等法院、歐洲統(tǒng)一專利法院（UPC）和德國(guó)地方法院也針對(duì)美光提起平行訴訟，打響中歐戰(zhàn)線。

2025年11月 – 歐洲戰(zhàn)場(chǎng)落地

歐洲統(tǒng)一專利法院正式受理長(zhǎng)江存儲(chǔ)針對(duì)美光的三件3D NAND專利侵權(quán)案，成為首家在UPC主動(dòng)起訴美國(guó)存儲(chǔ)巨頭的中國(guó)企業(yè)。

2025年12月 – 中國(guó)本土“首訴”

長(zhǎng)江存儲(chǔ)首次在中國(guó)本土反擊：12月3-4日國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公開其針對(duì)美光在華三件3D NAND核心專利（涉及垂直陣列結(jié)構(gòu)、三維制造方法、電荷存儲(chǔ)方案）的無效宣告請(qǐng)求，開啟“主場(chǎng)”無效戰(zhàn)；同期，美光也已對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)至少8件中國(guó)專利提出無效，雙方在中美兩大戰(zhàn)場(chǎng)形成“互告+互無”格局。

其他并行糾紛

長(zhǎng)江存儲(chǔ)向USPTO提起IPR，請(qǐng)求宣告美光兩件美國(guó)專利（8,945,996B2、10,872,903B2）無效，PTAB已受理但正對(duì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)體清單身份進(jìn)行“國(guó)家安全審查”。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)還指控美光資助的丹麥咨詢公司散布虛假信息、損害其商譽(yù)，并另案起訴。

整體看，雙方已在美、中、歐三地形成“互訴侵權(quán)+互提無效”的拉鋸，涉案專利總量逾50件，核心均圍繞3D NAND結(jié)構(gòu)、制造工藝及控制技術(shù)。隨著2026年德國(guó)庭審及美國(guó)多案證據(jù)開示推進(jìn)，糾紛短期內(nèi)難有結(jié)果，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過不斷以“新專利、新戰(zhàn)場(chǎng)”增加籌碼，試圖在全球存儲(chǔ)專利格局中爭(zhēng)得更大主動(dòng)權(quán)。