12月8日消息，在全球?qū)＠V訟持續(xù)多年之后，長江存儲首次在中國本土對美國存儲巨頭美光科技的中國專利發(fā)起了無效挑戰(zhàn)。

2025年12月3日至4日，國家知識產(chǎn)權(quán)局先后公開了三起長江存儲挑戰(zhàn)美光3D存儲專利的案件信息。

涉及的三項專利名稱分別是：具有大致垂直的鄰近半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的存儲器陣列及其形成、三維存儲器及形成所述三維存儲器的方法、電荷存儲設(shè)備、系統(tǒng)及方法。

目前，美國專利局目前正在對長江存儲在美國對美光專利提起的兩起專利無效IPRs請求進行“國家安全審查”。

11月10日，美國專利商標局要求長江存儲給出理由，解釋為何在已被列入實體清單的情況下，其IPR申請仍應(yīng)被受理。

值得注意的是，長江存儲對美光在中國的這三項專利發(fā)起無效的時間是在9月底和10月，早于美國對長江存儲實施“國家安全審查”之前，二者之間并無直接關(guān)聯(lián)。

美光也在中國對長江存儲的至少8件專利發(fā)起了無效挑戰(zhàn)，但由于中國專利局尚沒有類似可以拒絕受理的規(guī)定，美光發(fā)起的這些挑戰(zhàn)目前均處于正在審理階段。

截至目前（2025年12月），長江存儲（YMTC）與美光科技（Micron）之間的專利糾紛已持續(xù)兩年多，呈現(xiàn)出“多輪互訴、全球布局”的膠著態(tài)勢。以下按時間線梳理主要節(jié)點：

2023年11月

長江存儲率先在美國加州北區(qū)聯(lián)邦法院起訴美光，指控其96層、128層、176層及232層3D NAND及部分DDR5 SDRAM產(chǎn)品侵犯8件美國專利（如US10,950,623等），要求禁售并索賠。

2023年6月 – 美光反擊

美光在同年6月向美專利審判與上訴委員會（PTAB）提起反制，針對長江存儲12件美國專利啟動無效審查（IPR），試圖削弱對方專利壁壘。

2024年7月 – 長江存儲加碼

長江存儲在同一法院追加11件專利（總計19件），把訴訟范圍擴大到更多存儲芯片產(chǎn)品線；案件進入證據(jù)開示階段。

2025年2月 – 法院證據(jù)裁決

美國聯(lián)邦巡回上訴法院維持原審裁定，要求美光向長江存儲提交73頁高度機密工藝文檔（柵極厚度、蝕刻氣體配方、編程電壓曲線等），但須按嚴格保護令僅限外部律師查閱。

2025年5月 – 美光“國安牌”

美光以長江存儲被列入實體清單、擔(dān)憂技術(shù)外泄為由，向美國最高法院申請緊急令，試圖推翻上述證據(jù)開示命令，但尚未獲支持。

2025年10月6日 – 全球同步出擊

長江存儲再次升級攻勢，在德州東區(qū)法院提起第二起侵權(quán)訴訟，指控美光及全球分銷商安富利侵犯8件2020-2024年授權(quán)的新專利（US10,707,851、US12,068,250等），覆蓋176層至276層NAND及低功耗DRAM；幾乎同時，長江存儲在英國高等法院、歐洲統(tǒng)一專利法院（UPC）和德國地方法院也針對美光提起平行訴訟，打響中歐戰(zhàn)線。

2025年11月 – 歐洲戰(zhàn)場落地

歐洲統(tǒng)一專利法院正式受理長江存儲針對美光的三件3D NAND專利侵權(quán)案，成為首家在UPC主動起訴美國存儲巨頭的中國企業(yè)。

2025年12月 – 中國本土“首訴”

長江存儲首次在中國本土反擊：12月3-4日國家知識產(chǎn)權(quán)局公開其針對美光在華三件3D NAND核心專利（涉及垂直陣列結(jié)構(gòu)、三維制造方法、電荷存儲方案）的無效宣告請求，開啟“主場”無效戰(zhàn)；同期，美光也已對長江存儲至少8件中國專利提出無效，雙方在中美兩大戰(zhàn)場形成“互告+互無”格局。

其他并行糾紛

長江存儲向USPTO提起IPR，請求宣告美光兩件美國專利（8,945,996B2、10,872,903B2）無效，PTAB已受理但正對長江存儲實體清單身份進行“國家安全審查”。

長江存儲還指控美光資助的丹麥咨詢公司散布虛假信息、損害其商譽，并另案起訴。

整體看，雙方已在美、中、歐三地形成“互訴侵權(quán)+互提無效”的拉鋸，涉案專利總量逾50件，核心均圍繞3D NAND結(jié)構(gòu)、制造工藝及控制技術(shù)。隨著2026年德國庭審及美國多案證據(jù)開示推進，糾紛短期內(nèi)難有結(jié)果，但長江存儲通過不斷以“新專利、新戰(zhàn)場”增加籌碼，試圖在全球存儲專利格局中爭得更大主動權(quán)。