頭條 東京大學研發(fā)摻鎵氧化銦晶體取代硅材料 6月29日消息，據scitechdaily報道，在2025 年 VLSI 技術和電路研討會上，東京大學工業(yè)科學研究所的研究人員發(fā)布了一篇題為《通過InGaOx的選擇性結晶實現(xiàn)環(huán)繞柵極的納米片氧化物半導體晶體管，以提高性能和可靠性》的論文，宣布開發(fā)一種革命性的新型的摻鎵氧化銦（InGaOx）的晶體材料，有望取代現(xiàn)有的硅材料，大幅提升在AI 與大數據領域應用的性能，并在后硅時代延續(xù)摩爾定律的生命力。 最新資訊 一種應用乒乓自歸零的高精度放大器 設計實現(xiàn)了一種低失調、高增益的運算放大器（運放）。整體電路包含帶隙基準、振蕩器、分頻器、輔助運放和主運放等。該電路采用乒乓結構的自歸零技術，實現(xiàn)了連續(xù)工作，同時顯著縮減了放大器的輸入失調偏移。此外，還提出了一種新穎、高效的控制時序，以較低的成本有效降低了放大器在乒乓切換過程中的穩(wěn)定時間，進一步減小了放大器的輸出毛刺。該放大器芯片基于350 nm CMOS工藝設計制造，實際測試結果表明，在5 V電源電壓下，放大器消耗了0.65 mA的電流，實現(xiàn)了最大3 µV的輸入失調偏移，增益帶寬積為8 MHz，噪聲頻譜密度降到了30 nV/√Hz。 發(fā)表于：3/17/2025 一種帶短路保護的磁隔離IGBT驅動架構 設計一種帶短路保護的磁隔離IGBT驅動架構，該架構采用變壓器隔離，集成去飽和檢測電路、米勒鉗位電路和軟關斷，當IGBT發(fā)生短路故障退出飽和區(qū)，便對器件執(zhí)行軟關斷，并通過米勒鉗位電路抑制柵極電壓尖峰。同時通過故障反饋通道將故障信號反饋給前級控制器，實現(xiàn)對短路故障的快速響應。仿真和實測結果表明，本架構具有8 kV的隔離耐壓，去飽和檢測和米勒鉗位閾值分別為9 V和2 V，去飽和故障響應時間為419 ns，故障報錯時間為311 ns，軟關斷時間為136 ns。該架構實現(xiàn)了短路故障保護和故障反饋，已應用在某一高耐壓隔離IGBT驅動器中。 發(fā)表于：3/17/2025 X波段寬帶高效率連續(xù)類功率放大器芯片設計 為提高功率放大器的帶寬和效率，基于0.25 μm GaAs pHEMT ED工藝，通過控制輸出級二次諧波阻抗進行波形控制，實現(xiàn)連續(xù)B/J類波形，設計了一款單片集成的X波段高效率連續(xù)B/J類功率放大器。放大器由兩級構成，驅動級使用增強型晶體管實現(xiàn)高增益，輸出級使用耗盡型晶體管實現(xiàn)高效率與瓦級的輸出功率。仿真結果顯示，該功率放大器在7.3~12.2 GHz的頻帶內實現(xiàn)了29~30.6 dBm的輸出功率，功率增益為17~18.6 dB，功率附加效率大于50%，峰值效率為59%，輸入回波損耗小于10 dB，芯片尺寸僅為2.1 mm×1.3 mm。 發(fā)表于：3/17/2025 世強硬創(chuàng)十周年慶送車活動正式上線 《服務硬核科技企業(yè)研發(fā)創(chuàng)新，世強硬創(chuàng)十周年慶送車活動正式上線，回饋百萬工程師》 電子行業(yè)知名研發(fā)與采購服務平臺——世強硬創(chuàng)平臺在其十周年慶典活動中，最終確定以“20臺汽車”作為重磅獎品，致敬平臺超100萬工程師用戶及11萬家硬科技企業(yè)。該活動自3月1日啟動以來，迅速引發(fā)電子工程領域的廣泛關注。 發(fā)表于：3/17/2025 制導雷達智能處理技術現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢 圍繞制導雷達智能處理技術的最新進展及其發(fā)展趨勢進行綜述。闡述了當前在制導雷達智能處理領域存在的技術挑戰(zhàn)，從多源信息融合技術、跟蹤與濾波方法、智能化與認知技術及智能抗干擾技術等方面著手，梳理總結了近幾年的研究進展，并針對該領域未來技術發(fā)展趨勢進行了展望。整體上看，智能處理技術正朝著高度集成化、自主智能化和多模態(tài)融合的方向發(fā)展，以提升制導雷達的精確性和可靠性，為未來制導系統(tǒng)提供更為強大、靈活和可靠的導引信息。 發(fā)表于：3/17/2025 英特爾前CEO再度發(fā)文反對拆分英特爾 Intel前CEO再度發(fā)文反對拆分英特爾，政府應支持其與臺積電競爭！ 發(fā)表于：3/17/2025 華為自研PC處理器麒麟X90曝光 華為自研PC處理器麒麟X90曝光：獲安全可靠II級認證 發(fā)表于：3/17/2025 意大利政府擬對意法半導體董事會動用否決權 近年來，意法半導體的表現(xiàn)不及芯片同行，自2025年初以來，其股價已下跌約8.4%。據報道，意大利政府已考慮罷免公司CEO Jean-Marc Chery，原因是該公司表現(xiàn)不佳。 發(fā)表于：3/17/2025 越來越卷的MCU大廠 MCU 領域的競爭愈發(fā)白熱化。根據 Omdia 最新研究數據，英飛凌在 2024 年強勢崛起，成為全球最大的 MCU 供應商，其市場份額攀升至 21.3%，較 2023 年的 17.8% 提升了 3.5 個百分點。2022 年，英飛凌、恩智浦和瑞薩還是并列第一的態(tài)勢，這一躍升不僅凸顯了英飛凌的強勁增長勢頭，也為 MCU 市場的激烈角逐拉開了新的序幕。 發(fā)表于：3/17/2025 我國成功研制硅光集成高階模式復用器芯片 3 月 13 日消息，據科技日報今日報道，復旦大學信息科學與工程學院張俊文研究員、遲楠教授與相關研究團隊開展合作，通過精確設計和優(yōu)化，將多維復用技術引入片上光互連架構，不僅顯著提升了數據傳輸吞吐量，同時在功耗和延遲方面表現(xiàn)卓越，具備極強的擴展性和兼容性，適用于多種高性能計算場景。 發(fā)表于：3/14/2025 ?…41424344454647484950…?
