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2024年Q4全球智能手機(jī)AP/SoC芯片市場研究報(bào)告發(fā)布

2024年Q4全球智能手機(jī)AP/SoC芯片市場研究報(bào)告發(fā)布

3月30日消息，市場研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research日前公布了2024年第四季度全球智能手機(jī)AP/SoC芯片市場研究報(bào)告。報(bào)告顯示，聯(lián)發(fā)科、蘋果、高通、展銳、海思位居前六名，份額分別是34%、23%、21%、14%、4%、3%。

英偉達(dá)將投資2億美元在印尼投資建AI中心

英偉達(dá)將投資2億美元在印尼投資建AI中心

發(fā)表于：4/7/2024

英特爾發(fā)布XeSS 1.3 SDK，宣稱將大幅提升游戲FPS幀數(shù)表現(xiàn)

英特爾發(fā)布 XeSS 1.3 SDK，宣稱將大幅提升游戲 FPS 幀數(shù)表現(xiàn)

發(fā)表于：4/7/2024

微軟和Quantinum宣布在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破

微軟和Quantinum宣布在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破

發(fā)表于：4/7/2024

三星S25全系放棄使用效能較差的Exynos

據(jù)媒體報(bào)道，由于 Exynos 效能始終和高通有差距，三星將繼續(xù)采用雙處理器策略，高通驍龍?zhí)幚砥魅詫⒃?S25 系列上出現(xiàn)。此前有報(bào)道稱， Galaxy S25 系列將全系采用自研 Exynos 處理器。為此三星還專門成立團(tuán)隊(duì)來優(yōu)化 Exynos，通過采用三星第二代 3nm 制程技術(shù)打造，并希望通過 S25 新機(jī)展現(xiàn)成果。

發(fā)表于：4/7/2024

谷泰微榮獲2024中國IC設(shè)計(jì)成就獎之極具投資價(jià)值IC設(shè)計(jì)企業(yè)獎

3月29日，由知名媒體ASPENCORE主辦的“中國IC設(shè)計(jì)成就獎”（2024 CHINA IC DESIGN AWARDS）頒獎典禮在上海舉辦。江蘇谷泰微電子有限公司憑借在模擬芯片及信號鏈芯片領(lǐng)域的出色表現(xiàn)，榮獲2024年度中國IC設(shè)計(jì)成就獎之“極具投資價(jià)值IC設(shè)計(jì)企業(yè)獎”！

發(fā)表于：4/1/2024

可重構(gòu)晶體管登場，可用于構(gòu)建有編程功能的芯片電路

來自奧地利維也納工業(yè)大學(xué)的科研團(tuán)隊(duì)近日開發(fā)出新型晶體管技術(shù) -- 可重構(gòu)場效應(yīng)晶體管（RFET），可用于構(gòu)建具有可隨時(shí)編程功能的電路。一顆 CPU 固然擁有數(shù)十億個(gè)晶體管，但通常情況下是為執(zhí)行一種特定功能而制造的。傳統(tǒng)的晶體管開發(fā)和生產(chǎn)過程中有一道 " 化學(xué)摻雜 " 的步驟，就是為純的本質(zhì)半導(dǎo)體引入雜質(zhì)，從而改變電氣屬性的過程。摻雜過程決定了電流的流動方向，一旦晶體管被制造出來就無法改變。 RFET 則是靜電摻雜取代了化學(xué)摻雜，這是一種不會永久改變半導(dǎo)體材料化學(xué)結(jié)構(gòu)的新方法。

發(fā)表于：4/1/2024

新思科技收購Intrinsic ID，持續(xù)拓展全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP產(chǎn)品組合

新思科技收購Intrinsic ID，持續(xù)拓展全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP產(chǎn)品組合新思科技 ( Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS ) 近日宣布完成對 Intrinsic ID 的收購，后者是用于系統(tǒng)級芯片 ( SoC ) 設(shè)計(jì)中物理不可克隆功能 ( PUF ) IP 的領(lǐng)先提供商。此次收購為新思科技全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體 IP 產(chǎn)品組合增加了經(jīng)過生產(chǎn)驗(yàn)證的 PUF IP，讓全球芯片開發(fā)者能夠利用每個(gè)硅片的固有特征生成一個(gè)獨(dú)特的片上標(biāo)識符以保護(hù)其 SoC。與此同時(shí)，此次收購也為新思科技帶來了 Intrinsic ID 經(jīng)驗(yàn)豐富的 PUF 技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)。本次交易對新思科技的財(cái)務(wù)狀況無重大影響，詳情目前暫未披露。

發(fā)表于：4/1/2024

長江存儲QLC閃存X3-6070擦寫壽命已達(dá)四千次

3 月 28 日消息，據(jù)臺媒 DIGITIMES 報(bào)道，長江存儲在中國閃存市場峰會 CFMS 2024 上表示采用第三代 Xtacking 技術(shù)的 X3-6070 QLC 閃存已實(shí)現(xiàn) 4000 次 P / E 的擦寫壽命。不同于質(zhì)保壽命，消費(fèi)級原廠 TLC 固態(tài)硬盤在測試中普遍至少擁有 3000 次 P / E 級別的擦寫壽命。

發(fā)表于：3/29/2024

從卷算力到拼性價(jià)比，智能駕駛的“風(fēng)向”變了

從卷算力到拼性價(jià)比，智能駕駛的“風(fēng)向”變了

發(fā)表于：3/29/2024

一萬億晶體管GPU將到來，臺積電董事長撰文解讀

在之前的演講介紹中，臺積電曾多次談到了萬億晶體管的路線圖。今天，在IEEE網(wǎng)站上，發(fā)表了一篇署名為《How We’ll Reach a 1 Trillion Transistor GPU》的文章，講述了臺積電是如何達(dá)成萬億晶體管芯片的目標(biāo)。值得一提的是，本文署名作者M(jìn)ARK LIU（劉德音）和H.-S. PHILIP WONG，其中劉德音是臺積電董事長。H.-S Philip Wong則是斯坦福大學(xué)工程學(xué)院教授、臺積電首席科學(xué)家。

發(fā)表于：3/29/2024