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2024年Q4全球智能手機(jī)AP/SoC芯片市場(chǎng)研究報(bào)告發(fā)布

2024年Q4全球智能手機(jī)AP/SoC芯片市場(chǎng)研究報(bào)告發(fā)布

3月30日消息，市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Counterpoint Research日前公布了2024年第四季度全球智能手機(jī)AP/SoC芯片市場(chǎng)研究報(bào)告。報(bào)告顯示，聯(lián)發(fā)科、蘋果、高通、展銳、海思位居前六名，份額分別是34%、23%、21%、14%、4%、3%。

更快更??！三星二代QLC閃存技術(shù)公開：速度直接翻倍！

更快更??！三星二代QLC閃存技術(shù)公開：速度直接翻倍！ 3 月 21 日消息，根據(jù)三星半導(dǎo)體近日在官方公眾號(hào)公布的新品線路圖顯示，三星將計(jì)劃推出 UFS 4.0 以及 UFS 5.0。

發(fā)表于：3/21/2024

三星正研發(fā) CMM-H 混合存儲(chǔ)模組

3 月 21 日消息，據(jù)三星半導(dǎo)體微信公眾號(hào)發(fā)布的中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì) 2024 簡(jiǎn)報(bào)，其正研發(fā) CMM-H 混合存儲(chǔ) CXL 模組。該模組同時(shí)包含 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存。作為一種新型高速互聯(lián)技術(shù)，CXL 可提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量和更低的傳輸延遲，可在 CPU 和外部設(shè)備間建立高效連接。根據(jù)三星給出的圖示，這一模組可經(jīng)由 CXL 界面直接在閃存部分和 CPU 之間傳輸塊 I / O，也可經(jīng)由 DRAM 緩存和 CXL 界面實(shí)現(xiàn) 64 字節(jié)的內(nèi)存 I / O 傳輸。

發(fā)表于：3/21/2024

多源極軌衛(wèi)星微波溫度計(jì)資料實(shí)時(shí)區(qū)域同化系統(tǒng)

基于中尺度數(shù)值預(yù)報(bào)模式WRF和WRFDA同化系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)多源極軌衛(wèi)星微波溫度計(jì)資料實(shí)時(shí)區(qū)域同化，并對(duì)同化產(chǎn)品進(jìn)行評(píng)估和應(yīng)用。2018年同化試驗(yàn)結(jié)果表明：通過質(zhì)量控制和偏差訂正，AMSU-A資料第5~9通道亮溫觀測(cè)增量O-B（觀測(cè)值O和背景場(chǎng)的正演輻射模擬值B的差值）的標(biāo)準(zhǔn)差有效降低，同化后各通道亮溫分析殘差O-A（觀測(cè)值O和分析場(chǎng)的正演輻射模擬值A(chǔ)的差值）的標(biāo)準(zhǔn)差有效降低。同化預(yù)報(bào)產(chǎn)品被應(yīng)用在暴雨強(qiáng)對(duì)流個(gè)例和臺(tái)風(fēng)個(gè)例中，取得良好效果。

發(fā)表于：3/20/2024

基于改進(jìn)YOLOv5的路面裂縫檢測(cè)方法

針對(duì)現(xiàn)有裂縫檢測(cè)模型體積較大且檢測(cè)精度不高的問題，提出一種基于輕量化網(wǎng)絡(luò)的無(wú)人機(jī)航拍圖像裂縫檢測(cè)方法。首先，使用MobileNetv3網(wǎng)絡(luò)替代YOLOv5的主干網(wǎng)絡(luò)，降低模型大??；其次，引入C3TR和CBAM模塊提高網(wǎng)絡(luò)表征能力，將損失函數(shù)替換為EIOU以提高模型的魯棒性。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，該方法在自制數(shù)據(jù)集上獲得98.9%的精度，相較于原始YOLOv5提高1.2%，模型大小減小51.5%，檢測(cè)速度提高37%。改進(jìn)后的模型在精度、大小和速度上均優(yōu)于Faster-RCNN等4種常見裂縫檢測(cè)模型，滿足了裂縫檢測(cè)的實(shí)時(shí)性、輕量化和精度需求。

發(fā)表于：3/20/2024

華為自研存儲(chǔ)細(xì)節(jié)曝光：功耗、速度完秒SSD

3月20日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，華為正在積極研發(fā)一種前沿的“磁電”存儲(chǔ)技術(shù)，該技術(shù)有望徹底改變數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)的格局。據(jù)悉，這種新型“磁電磁盤”（MED）技術(shù)不僅在速度上遠(yuǎn)超現(xiàn)有的SSD等存儲(chǔ)設(shè)備，更在能效和容量上實(shí)現(xiàn)了前所未有的突破。在能耗方面，新型“磁電”存儲(chǔ)每PB耗電僅為71W，相比傳統(tǒng)的磁性硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD）節(jié)能高達(dá)90%，這無(wú)疑為數(shù)據(jù)中心和大型企業(yè)節(jié)省了大量的能源成本。在性能方面，華為預(yù)計(jì)每機(jī)架的MED性能將達(dá)到驚人的8GB/s，這一速度比檔案磁帶裝置的最高性能提升了2.5倍。這將極大地提升數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)遷移速度，使其在處理大規(guī)模

發(fā)表于：3/20/2024

華碩推出基于英偉達(dá)MGX的數(shù)據(jù)中心解決方案

華碩推出基于英偉達(dá) MGX 的數(shù)據(jù)中心解決方案，滿足 AI 人工智能服務(wù)器需求

發(fā)表于：3/20/2024

RTX 50升級(jí)臺(tái)積電4NP工藝：但其實(shí)還是5nm

3月20日消息，NVIDIA剛發(fā)布的B100/B200 AI GPU將制造工藝從4N升級(jí)到4NP，集成晶體管也從800億個(gè)增加到1040億個(gè)/2080億個(gè)，而同樣基于Blackwell架構(gòu)的RTX 50系列游戲GPU也會(huì)同步跨越。

發(fā)表于：3/20/2024

三星正打造全新的PB級(jí)別SSD存儲(chǔ)方案

3月19日消息，三星宣布，正在打造全新的PB級(jí)別SSD存儲(chǔ)方案，也就是PBSSD，容量將達(dá)到跨越式的1PB左右，相當(dāng)于1000TB。三星并未透露具體如何實(shí)現(xiàn)PBSSD，只是說將會(huì)利用其開發(fā)的FDP(Flexible Data Placement)技術(shù)，可以翻譯為彈性數(shù)據(jù)安置，已經(jīng)被采納為NVMe技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。它可以強(qiáng)化數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)能力，從而提高性能和可預(yù)見性，更好地滿足超大規(guī)模工作負(fù)載的需求，尤其是配合超強(qiáng)算力的AI GPU。事實(shí)上，三星這一番表態(tài)，就是在NVIDIA GTC大會(huì)上做出的，后者剛發(fā)布了新一代高性能GPU B100/B200和超級(jí)芯片GB200。

發(fā)表于：3/20/2024

SK 海力士展示Platinum P51 SSD

3 月 20 日消息，SK 海力士近日出席英偉達(dá) GTC 2024 大會(huì)，展示了面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的首款 Gen5 NVMe 固態(tài)硬盤系列 -- Platinum P51 M.2 2280 NVMe SSD。

發(fā)表于：3/20/2024

AI大模型催生海量算力需求 HBM正進(jìn)入黃金時(shí)代

AI大模型催生海量算力需求 HBM正進(jìn)入黃金時(shí)代

發(fā)表于：3/20/2024