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解決方案

IGBT驱动光耦TLP250的应用及注意事项[模拟设计][消费电子]

在一般较低性能的三相电压源逆变器中，各种与电流相关的性能控制，通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可，如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时，这一检测结果也可以用来完成对逆变单元中 IGBT实现过流保护等功能。因此在这种逆变器中，对 IGBT驱动电路的要求相对比较简单，成本也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的 TLP250，夏普公司生产的 PC923等等。

發(fā)表于：2016/8/22 下午6:20:00

IGBT的驱动和过流保护电路的研究[模拟设计][消费电子]

绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET与GTR的复合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、开关频率高、输入阻抗高、驱动电路简单、热温度性好的优点，又包含了GTR的载流量大、阻断电压高等多项优点．是取代GTR的理想开关器件。IGBT目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，广泛应用于各类固态电源中。IGBT的工作状态直接影响整机的性能，所以合理的驱动电路对整机显得很重要，但是如果控制不当，它很容易损坏，其中一种就是发生过流而使IGBT损坏，本文主要研究了IGBT的驱动和短路保护问题，就其工作原理进行分析，设计出具有过流保护功能的驱动电路，并进行了仿真研究。

發(fā)表于：2016/8/22 下午6:10:00

FPGA设计宝典之提高算法速度的六大绝招[可编程逻辑][其他]

面积和速度这两个指标贯穿着FPGA设计的始终,是设计质量评价的终极标准。“面积”：指一个设计所消耗的FPGA的逻辑资源数量。FPGA中的逻辑资源,也就是触发器( FF)和查找表(LUT) 。“速度”：是指设计结果在芯片上稳定运行时所能达到的最高频率,这个频率由设计的时序状况决定。与设计满足的时钟周期、PAD to PAD Time、建立时间、保持时间和时钟到输出延时等众多时序特征向量密切相关。

發(fā)表于：2016/8/19 下午3:39:00

MOS晶体管[模拟设计][消费电子]

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SEMIconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC

發(fā)表于：2016/8/19 上午11:04:00

P沟MOS晶体管[模拟设计][消费电子]

金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的电子密度，从而改变沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。

發(fā)表于：2016/8/19 上午10:44:00

N沟MOS晶体管[模拟设计][消费电子]

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。由p型衬底和两个高浓度n扩散区构成的MOS管叫作n沟道MOS管，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压（栅源电压为零）时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

發(fā)表于：2016/8/19 上午10:25:00

MOS晶体管[模拟设计][消费电子]

金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC

發(fā)表于：2016/8/18 下午6:46:00

增强型MOS晶体管,增强型MOS晶体管是什么意思[模拟设计][消费电子]

根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

發(fā)表于：2016/8/18 下午6:28:00

什么是耗尽型MOS晶体管[模拟设计][消费电子]

据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。耗尽型是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。耗尽型MOS场效应管，是在制造过程中，预先在SiO2绝缘层中掺入大量的正离子，因此，在UGS=0时，这些正离子产生的电场也能在P型衬底中“感应”出足够的电子，形成N型导电沟道。

發(fā)表于：2016/8/18 下午6:08:00

最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型[模拟设计][消费电子]

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，这种产品能够承受相当于65.0:1的电压驻波比（VSWR）的负载失配。但这些晶体管真的无懈可击吗？这种耐用性适用于哪些类型的应用？本报告将介绍一些最新的耐用型大功率LDMOS晶体管以及它们的电气特性，并通过比较测试过程来判断它们的耐用水平。

發(fā)表于：2016/8/18 下午6:00:00