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解決方案

P溝MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

?金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類， P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，柵極上加有足夠的正電壓(源極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的電子密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

發(fā)表于：2016/8/19 10:44:00

N溝MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC。由p型襯底和兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)構(gòu)成的MOS管叫作n溝道MOS管，該管導(dǎo)通時(shí)在兩個(gè)高濃度n擴(kuò)散區(qū)間形成n型導(dǎo)電溝道。n溝道增強(qiáng)型MOS管必須在柵極上施加正向偏壓，且只有柵源電壓大于閾值電壓時(shí)才有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。n溝道耗盡型MOS管是指在不加?xùn)艍海旁措妷簽榱悖r(shí)，就有導(dǎo)電溝道產(chǎn)生的n溝道MOS管。

發(fā)表于：2016/8/19 10:25:00

MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-SemIConductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路即為CMOS-IC

發(fā)表于：2016/8/18 18:46:00

增強(qiáng)型MOS晶體管,增強(qiáng)型MOS晶體管是什么意思[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。

發(fā)表于：2016/8/18 18:28:00

什么是耗盡型MOS晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。耗盡型是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。耗盡型MOS場效應(yīng)管，是在制造過程中，預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時(shí)，這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子，形成N型導(dǎo)電溝道。

發(fā)表于：2016/8/18 18:08:00

最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應(yīng)用類型[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS）晶體管，這種產(chǎn)品能夠承受相當(dāng)于65.0:1的電壓駐波比（VSWR）的負(fù)載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應(yīng)用？本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。

發(fā)表于：2016/8/18 18:00:00

新型高耐壓功率場效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

?摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導(dǎo)通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFET的結(jié)構(gòu)，分析了解決耐壓與導(dǎo)通電阻間矛盾的方法與原理，介紹并分析了具有代表性的新型高壓MOSFET的主要特性。

發(fā)表于：2016/8/18 17:24:00

場效應(yīng)晶體管放大器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

場效應(yīng)晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在電子電路中，特別是具有上述要求前級(jí)放大器顯示器出越性。根據(jù)場效應(yīng)管兩大類型--結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵場效應(yīng)管可構(gòu)成相應(yīng)的場效應(yīng)管放大器。以下以結(jié)型管為例給出三種基本組態(tài)放大器的等效電路和性能指標(biāo)計(jì)算表達(dá)式，見表5.2-7。圖為場效應(yīng)管具有與晶體管類似的正向受控作用，它也可構(gòu)成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。

發(fā)表于：2016/8/18 17:09:00

MOS管技術(shù):電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。在設(shè)計(jì)中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會(huì)造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應(yīng)加諸于場效應(yīng)晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會(huì)更加明顯。尤其在電源開機(jī)的霎那間 , 此瞬間電壓會(huì)達(dá)到最大值。這是由于變壓器一次側(cè)電感值相當(dāng)于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容完全未充電的狀態(tài)所致。幸運(yùn)的是一般場效應(yīng)晶體管皆可承受高于某些程度的額定電壓范圍 , 在此條件范圍內(nèi)設(shè)計(jì)者并不需要增加額外的保護(hù)線路以避免不必要的成本支出。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。

發(fā)表于：2016/8/17 18:28:00

增強(qiáng)型和耗盡型場效應(yīng)晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　總的來說，場效應(yīng)晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強(qiáng)型兩種。耗盡型場效應(yīng)晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時(shí)存在溝道、能夠?qū)щ姷腇ET;增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時(shí)不存在溝道、不能夠?qū)щ姷腇ET。

發(fā)表于：2016/8/17 18:26:00