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解決方案

晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來(lái)像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，它們可以解決許多問(wèn)題。我們可以發(fā)現(xiàn)過(guò)去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用，比如我們可以在某些情況下用多個(gè)并聯(lián)的小功率晶體管替代更大功率的晶體管(帶或不帶散熱器)，并從中收獲諸多好處。

發(fā)表于：8/16/2016 8:35:00 PM

一個(gè)小型晶體管開(kāi)關(guān)電路的應(yīng)用[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

Q3是一個(gè)PNP型開(kāi)關(guān)，此開(kāi)關(guān)控制另一PNP型開(kāi)關(guān)Q4，Q5是另一NPN型開(kāi)關(guān)，與本文無(wú)關(guān)。　　實(shí)驗(yàn)是想研究Q3偏置電阻對(duì)Q4導(dǎo)通情況的影響。電路的設(shè)計(jì)需求是Q3導(dǎo)通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導(dǎo)通而VCE較大時(shí)，Q4也隨之導(dǎo)通。這種情況在Q3負(fù)載電容R29固定時(shí)，往往是由R27取特定范圍值導(dǎo)致的。在PSpice中做個(gè)DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實(shí)不用完全關(guān)斷Q4就導(dǎo)通了，而且R29的電流不會(huì)降低太多，也就是R29的分壓沒(méi)降低多少Q(mào)4即可導(dǎo)通，此時(shí)Q3對(duì)R29分壓影響迅速降低，Q4開(kāi)始保持R29的分壓。這個(gè)電路的問(wèn)題在于Q3對(duì)Q4的開(kāi)關(guān)界限不夠明顯，在R27取值合適的情況下，比如要么小于2M要么大于3M，電路沒(méi)有問(wèn)題，否則會(huì)導(dǎo)致之前所擔(dān)憂的情況。

發(fā)表于：8/16/2016 8:30:00 PM

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用技巧[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見(jiàn)不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.

發(fā)表于：8/16/2016 8:19:00 PM

激光技術(shù)用于可穿戴顯示器的薄膜晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

OFweek可穿戴設(shè)備網(wǎng)訊韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院(KAIST)材料科學(xué)與工程系的KeonJaeLee和Sang-HeeKoPark教授領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)研究小組采用無(wú)機(jī)激光剝離法開(kāi)發(fā)了用于柔性顯示器有源矩陣背板的超薄透明氧化物薄膜晶體管(TFT)。

發(fā)表于：8/16/2016 8:14:00 PM

學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過(guò)向其摻入雜質(zhì)來(lái)改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。

發(fā)表于：8/16/2016 10:14:00 AM

回顧晶體管歷史歲月[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

1947年12月16日：威廉·邵克雷（William Shockley）、約翰·巴頓（John Bardeen）和沃特·布拉頓（Walter Brattain）成功地在貝爾實(shí)驗(yàn)室制造出第一個(gè)晶體管。 1950年：威廉·邵克雷開(kāi)發(fā)出雙極晶體管（Bipolar Junction Transistor），這是現(xiàn)在通行的標(biāo)準(zhǔn)的晶體管。 1953年：第一個(gè)采用晶體管的商業(yè)化設(shè)備投入市場(chǎng)，即助聽(tīng)器。

發(fā)表于：8/15/2016 7:31:00 PM

晶體管的分類及重要性[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

電力晶體管　　電力晶體管按英文Giant Transistor直譯為巨型晶體管，是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT；其特性有：耐壓高，電流大，開(kāi)關(guān)特性好，但驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大；GTR和普通雙極結(jié)型晶體管的工作原理是一樣的。

發(fā)表于：8/15/2016 7:29:00 PM

晶體管的主要參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

晶體管的主要參數(shù)有電流放大系數(shù)、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數(shù) 電流放大系數(shù)也稱電流放大倍數(shù)，用來(lái)表示晶體管放大能力。根據(jù)晶體管工作狀態(tài)的不同，電流放大系數(shù)又分為直流電流放大系數(shù)和交流電流放大系數(shù)。

發(fā)表于：8/15/2016 7:26:00 PM

從電子管、晶體管，到CPU的誕生[模擬設(shè)計(jì)][其他]

電子管:二戰(zhàn)帶來(lái)的抉擇在教科書(shū)中，ENIAC就是電子計(jì)算機(jī)的起源，而電子管也就在那一刻，確定了其在計(jì)算機(jī)發(fā)展史中的地位。其實(shí)，在電子計(jì)算機(jī)的襁褓期，機(jī)電結(jié)構(gòu)還是純電子計(jì)算機(jī)，繼電器還是電子管？計(jì)算機(jī)的發(fā)展也面臨著迷茫中的抉擇。

發(fā)表于：8/15/2016 7:18:00 PM

旋轉(zhuǎn)變壓器的工作原理[MEMS|傳感技術(shù)][汽車電子]

旋轉(zhuǎn)變壓器（旋變）是一種輸出電壓與轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)角保持一定函數(shù)關(guān)系的感應(yīng)式微電機(jī)。它是一種將角位移轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的位移傳感器，也是能進(jìn)行坐標(biāo)換算和函數(shù)運(yùn)算的解算元件。旋轉(zhuǎn)變壓器的工作原理，可以先看以下內(nèi)容。

發(fā)表于：8/14/2016 11:23:00 PM