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解決方案

22納米3D晶體管技術(shù)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為Tri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：8/17/2016 3:16:00 PM

5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重成本之高超乎想象[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)（DP）。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來(lái)到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無(wú)懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)（FP），這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。

發(fā)表于：8/16/2016 9:13:00 PM

基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被構(gòu)造成具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的安全GaN，并且展示出性能方面的提升。

發(fā)表于：8/16/2016 8:59:00 PM

芯片里面有幾千萬(wàn)的晶體管是怎么實(shí)現(xiàn)的？[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

1. 當(dāng)前CPU上的晶體管已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是千萬(wàn)級(jí)別的概念，而是數(shù)個(gè)billion。 2. 目前最先進(jìn)的制程工藝是Intel 剛剛公布的14nm工藝，F(xiàn)in Pitch小于 50nm，可以說(shuō)是技術(shù)上的一個(gè)飛躍了。關(guān)于所謂的14nm，實(shí)際只能初略的反映工藝的一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，真正的溝道長(zhǎng)度要比14nm要長(zhǎng)一些。

發(fā)表于：8/16/2016 8:50:00 PM

晶體管出現(xiàn)的意義[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。　　同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性：　?、倬w管的構(gòu)件是沒有消耗的。無(wú)論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍，稱得起永久性器件的美名。

發(fā)表于：8/16/2016 8:44:00 PM

晶體管工作原理是什么?[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

利用半導(dǎo)體的特性，每個(gè)管子工作原理個(gè)不同，你可以找機(jī)電方面的書看下圖中的S是指源極(Source)，D是指漏極(Drain)，G是柵極(Gate)。晶體管的工作原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，就是用兩個(gè)狀態(tài)表示二進(jìn)制的“0”和“1”。

發(fā)表于：8/16/2016 8:42:00 PM

晶體管或穩(wěn)壓器并聯(lián)后可以取消散熱器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　雙極結(jié)型晶體管(BJT)看起來(lái)像老式的電子元件，但由于具有低成本和卓越參數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，它們可以解決許多問題。我們可以發(fā)現(xiàn)過(guò)去由于這些元件太高成本而不可能實(shí)現(xiàn)的新應(yīng)用，比如我們可以在某些情況下用多個(gè)并聯(lián)的小功率晶體管替代更大功率的晶體管(帶或不帶散熱器)，并從中收獲諸多好處。

發(fā)表于：8/16/2016 8:35:00 PM

一個(gè)小型晶體管開關(guān)電路的應(yīng)用[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

Q3是一個(gè)PNP型開關(guān)，此開關(guān)控制另一PNP型開關(guān)Q4，Q5是另一NPN型開關(guān)，與本文無(wú)關(guān)。　　實(shí)驗(yàn)是想研究Q3偏置電阻對(duì)Q4導(dǎo)通情況的影響。電路的設(shè)計(jì)需求是Q3導(dǎo)通Q4截止，反之亦然。然而可能在Q3導(dǎo)通而VCE較大時(shí)，Q4也隨之導(dǎo)通。這種情況在Q3負(fù)載電容R29固定時(shí)，往往是由R27取特定范圍值導(dǎo)致的。在PSpice中做個(gè)DC掃描，R27從100k變化到10M，結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q3確實(shí)不用完全關(guān)斷Q4就導(dǎo)通了，而且R29的電流不會(huì)降低太多，也就是R29的分壓沒降低多少Q(mào)4即可導(dǎo)通，此時(shí)Q3對(duì)R29分壓影響迅速降低，Q4開始保持R29的分壓。這個(gè)電路的問題在于Q3對(duì)Q4的開關(guān)界限不夠明顯，在R27取值合適的情況下，比如要么小于2M要么大于3M，電路沒有問題，否則會(huì)導(dǎo)致之前所擔(dān)憂的情況。

發(fā)表于：8/16/2016 8:30:00 PM

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用技巧[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來(lái)說(shuō)對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.

發(fā)表于：8/16/2016 8:19:00 PM

激光技術(shù)用于可穿戴顯示器的薄膜晶體管[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

OFweek可穿戴設(shè)備網(wǎng)訊韓國(guó)科學(xué)技術(shù)學(xué)院(KAIST)材料科學(xué)與工程系的KeonJaeLee和Sang-HeeKoPark教授領(lǐng)導(dǎo)的一個(gè)研究小組采用無(wú)機(jī)激光剝離法開發(fā)了用于柔性顯示器有源矩陣背板的超薄透明氧化物薄膜晶體管(TFT)。

發(fā)表于：8/16/2016 8:14:00 PM